Ждущий мультивибратор на транзисторах

Номер патента: 196091

Авторы: Барьюдив, Лейтмак

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И ЕВЬО 91 Союз Советских Социалистических Респуоликт. свидетельства М ависимо Заявлено 21,11.1966 ( 1057427/26-9)с присоединением заявкиг,л. 21 ат, 36/ риоритетпубликовано 16.Ъ,1967, Бюллетень11 ата опуоликования описания 30 Х 1.1967 Комитет по цела изобретений и открытии при Совете Мииистров СССРАвторыизобретения 1, Е. Лейпман и 3 рындин аявите,БРАТОР НА ТРАНЗИСТОРА ЖДУЩИЙ МУЛЬ 2 Известны ждущие мультивибраторы на транзисторах с применением дополнительных зарядно-разрядных транзисторов для уменьшения времени восстановления схемы.В предложенном устройстве совместно применены двухкаскадный сравнивающий усилитель н разрядный транзистор, что обеспечивает повышение стабильности длительности выходного импульса и уменьшение времени восстановления схемы.Предложенное устройство отличается от известных тем, что к коллектору транзистора одного плеча мультивибратора подключен вход двухкаскадного сравнивающего усилителя на транзисторах, выход которого подключен к общей точке соединения баз указанного транзистора мультивибратора и дополнительного разрядного транзистора противоположного типа проводимости, эмиттер которого соединен с базой транзистора второго плеча мультивибратора, а коллектор заземлен.Предложенное устройство обеспечивает повышение стабильности длительности выходного импульса и уменьшение времени восстановления схемы.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного устройства, которое работает следующим образом. В исходном (устойчивом) состоянии транзистор 1 заперт, а транзисторы 2 и 3, базы которых через сопротивление 4 подключены к коллектору транзистора , насыщены базовыми токами, проходящими через сопротивления 4, 5. Транзистор 3 работает в инверсном включении.Напряжение на базе транзистора 1 равно напряжению на эмиттере насыщенного транзистора 3 и близко к нулю, что обеспечивает надежное запирание транзистора 1. Напряжение на коллекторе насыщенного транзистора 2 также близко к нулю, Так как для однотипных транзисторов напряжение насышения при работе транзистора в нормальном и инверсном включении отличается незначительно, напряжение между оокладкамн времязадающего конденсатора б близко к нулю.Сравнивающий усилитель в цепи обратной связи выполнен на транзисторах 7 и 8. В устойчивом состоянии потенциал эмиттера транзистора 7 отрицателен и равен по величине опорному напряжению, получаемому на выходе делителя на сопротивлениях 9 и 10. Потенциал базы транзистора 7, равный напряжению на коллекторе насыщенного транзистора 2, близок к нулю, благодаря чему транзистор 7 заперт,Положительный запускающий импульс одновременно подается на базы транзисторов 2 и 3, запирая их. Отрицательное напряжение на коллекторе транзистора 2 стремится увеличиться, и конденсатор б начинает заряжатьсяпо цепи; эмнттер-база транзистора 1, время- задающее сопротивление 11, термокомпенсирующий диод 12, источник питания 13. Ток заряда конденсатора б, являющийся базовым током транзистора 1, переводит транзистор в состояние насыщения, поэтому схема остается в неустойчивом состоянии и после прекращения запускающего импульса. В этом состоянии выходное напряжение приблизительно равно нулю, и транзистор 2 и 8 поддерживаются в запертом состоянии напряжением вспомогательного источника 14, подаваемым в их базы через сопротивление 15.По мере заряда конденсатора б уьеличивается напряжение на базе транзистора 7. В момент равенства напряжений на базе и эмиттере транзистора 7 эмиттерный переход его отпирается, что приводит к появлению базового и коллекторного токов и возникновению в результате этого положительного перепада напряжения на коллекторе 7. Этот перепад через разделительный конденсатор 1 б передается на вход второго каскада усилителя, выполненного на транзисторе 8 по схеме с общим эмиттером.Ток покоя транзистора 8 задается и стабилизируется с помощью схемы автоматического смещения (сопротивления 17 и 18 и конденсатор 19), в которой конденсатор 19 устра няет параллельную отрицательную обратную связь по переменному напряжению, На коллекторе транзистора 8 образуется усиленный отрицательный перепад напряжения, который через разделительный конденсатор 20 поступает на базы транзистсров 2 и 3, вызывая их насыщение. Насыщение транзистора 3 приводит к запиранию транзистора 1, напряжение на коллекторно-эмиттерном переходе его вновь увеличивается до первоначального значения, благодаря чему транзисторы 2 и 8 остаются и в дальнейшем насыщенными. После отпирания транзисторов 2 и 3 времязадающий конденсатор б быстро разряжается через 5 10 15 20 25 Зо 35 40 малое сопротивление транзисторов 2 и 3. По окончании разряда конденсатора б схема возвращается в исходное состояние.Включение в цепь обратной связи сравнивающего двухкаскадного усилителя с большим коэффициентом усиления позволяет получить выходной импульс, оканчивающийся практически сразу же после отпирания транзистора 7. Ьлагодаря этому величина и стабильность коэффициента усиления насыщенного в неустойчивом состоянии транзистора 1 не оказывает влияния на длительность выходного импульса.Температурная стабильность схемы зависит также от стабильности напряжения на базово-эмиттерном переходе насыщенного транзис гора 1 и напри(еия отпирания транзистора 7. Поскольку оба напряжения действуют на открытых р - п-переходах, их температурные изменения имеют одинаковые знаки, чем достигается частичная теркомпенсация схемы.Полная компенсация может быть получена введением в схему компенсирующего диода 12. Требуемый ток через диод задается сопротивлением 21 от вспомогательного источника 13 напряжения. Предмет изобретенияЖдущий мультивибратор на транзисторах с применением дополнительного разрядного транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности выходного импульса и уменьшения времени восстановления, к коллектору транзистора одного плеча мультивибратора подключен вход двухкаскадного сравнивающего усилителя на транзисторах, выход которого подключен к обцей точке соединения баз указанного транзистора мультивибратора и дополнительного разрядного транзистора противоположного типа проводимости, эмиттер которого соединен с базой транзистора второго плеча мультивибратора, а коллектор его - заземлен.19 оО 9 заказ 1925/ Тираж 535 ПодписноеЦНРИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапчова, 2 Составитель С. Борисовскаяедактор Э, Н, Шибаева Техред Т, П, Курилко Корректоры: В. В. Крылова и Л. В. Наделяева

Смотреть

Заявка

1057427

Б. Лейтмак, Э. Л. Барьюдив

МПК / Метки

МПК: H03K 3/284

Метки: ждущий, мультивибратор, транзисторах

Опубликовано: 01.01.1967

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-196091-zhdushhijj-multivibrator-na-tranzistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ждущий мультивибратор на транзисторах</a>

Похожие патенты