Способ электронографии на отражение

.07.7 рисоединением заявкиосударстеенный кавите авета Министрое СССР 3) Приорите убликовано(088,8) 5.09.76,нь 3 лле лам изобретенийи открытий 02.12.7 та опубликования оппсагп) Авторы изобретения О, П. Пчсляков и С. И, СтенинИнститут физики полупроводников СО А 1) Заявнтел 54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОНОГРАФИИ НА ОТРАЖЕНИ Изобретение относится к области анализа кристаллических веществ с помощью дифракции электронов и может быть использовано для исследования структуры приповерхностных слоев различных кристаллов.дИзвестны способы (1) получения электронограмм на отражение, заключающиеся в том, что исследуемый объект освещается пучком электронов, направленных под скользящим углом к поверхности объекта. Возникающая 10 дифракционн 251 картина фиксруетс 51 ниже объекта на фотопластинку или фотопленку. Для повышения точности измерения межплоскостных расстояний объекта д на его поверхность наносят тонкую пленку эталонного ве щества или получают отдельную электронограмму от эталонного вещества, помещаемого в кристяллодержатель электронографа взамен исследуемого кристалла. Однако эти способы не позволяют измерять межплоскостное рас стояние точнее, чем 1%.Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является (2) способ электронографии на отражение, включающий использование дифракции электронов на прп поверхностных слоях обьектов и,регистрацию дифракционных картин на фотопленке. Однако низкая точность определения межплоскостного расстояния при этом способе ограничивает возможности идентификации веществ с 3; олизкимп межплоскостными расстояниями. Низкая точность связана с тем, что электронным пучком освещается вся поверхность объекта, в результате чего расстояние от объектатЛастины ОЯзывается неопределенным в пределах размера объекта в направлении падающего пучка.Для увеличени точности измерения межзОскосИых рясст 051 ни 11 1 гзучяемого Ооъект 1 О пред;ЯгОмом спосооу рс Нсрацп 10 дпфракцпОнных кяртпн производ 51 т послсдОЗ 1- тс;1 ьпо па две фотоплсни, рясположснпыс на разных расстояниях от объекта.Суть изобретения поясняется чертежом, на котором 1 - первая позици расположения фоОэмульсионного материала; 2 - вторая позицп 51 расположспия фотоэмльсионн 010 матср 1 яля; 3 - - тОложение ООьект 2; 4 - полоксние эталона.Если дпфрагпрующая область на исследуемом образце расположена в точке 3, а эталон помещен в точку 4 на расстоянии Л 1. от точки 3, то на фотопластинках 1 и 2 дпфракцпя от образца дает рефлексы с расстояниями между ними ВО и й 2, соответственно, а дпфрякцпя н 2 эталоне в .О д и В",д. В каждой позиции фотопластинок для эталона вычисляется постоянная прибора 1.,г, (1., и ЕХХ соответственно) . Чтобы использовать величины У.,., определенные для эталона, при расчете мсжплос.Остных рассто 51 ний исследусмо 1 о ер 11- сталла, необходимо в уравнение Вульфа - Брегга которое после перегруппировки членов имеет 15вид В 10 - В 20 - Всо Рго (2 а)Обозначим через коэффициент й отношениеР 10/В 20, который определяется из экспери Омента как Й=РоВ 2 г. Производя подстановкуР 2 о (В 10), выраженное через Й и Во (Р 20),в уравнение (2 а), получаемйВ 10: (Вго Рс о) 25(1)110подставить значения В,о, которые будут соответствовать дифракции от образца из точки э, Вычисления В 10 из известных на эксперименте величин Рго и В,о осуществляются следую- И щим образом. Согласно приведенной схеме выполняется следующее соотношениеГР 10 В 20: Р 20 Вго с (2) Все измерения на электронограммах производятся на рефлексах, лежащих строго на сфере отраяе 1 ия, параллельно тени образца с тем, чтобы устранить влияние эффектов формы и преломления электронов на точность измерения В, Кроме того, для образцов любого типа (поликристаллических и монокристаллических) на значения д, полученные по формуле (4), вносится обычная поправка, обусловленная изменением Ы. с увеличением д:З 2 с с Формула изобретенияСпособ электронографии на отражение, включающий использование дифракции электронов на приповерхностных слоях объектов и регистрацию дифракционных картин на фотопленке, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения точности измерения меяплоскостных расстояний изучаемого объекта, регистрацию дифракционных картин производят последовательно на две фотопленки, расположенные на разных расстояниях от объекта.Источники информации, использованные при экспертизе:1. Утевский Л. М. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении, М., Металлургия, 1973, с. 32 - 34.2. Жуков Л., Гуревич М. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов. М., Металлургия, 1971 (прототип).528638 Составитель Б. КалинРедактор С. Микулицкая Техред Е. Подурушина Корректор ов каз 2682/1ЦН писн Типография, пр, Сапунова,Изд. Ма 1832 ПИ Государственног по делам из 113035, Москва, Жираж 963вета Министров Скрытпйнаб., д. 4/5 комитета Со етений и от 5, Раушска