Патенты с меткой «электронографии»

Номер патента: 79239

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Богомолов

МПК: B32B 33/00, G03C 1/46

Метки: фотопластинки, электронографии

...слоев подбираются так, чтооы соз,ать п 1)я 1 ОлинеЙну 10 зяВиснкОсть между степенью поче)энени 5 пластинок и энергией электронов.На фиг, 1 и 2 изображена предлигасмая фотопластинка и ее характеристическая кривая; на фиг, 3 - примерные кривые зависимости по- чернения от соответствующих экспозиции (наклон криВых хяряктери Ко 79239зует чуВствительность фотослоя к электрон;1 м данного напр 51 кенРя)Злектронографическая фотопластннка (фРг. 1) имеет два слоя эсульсРи: мелкозе 1)Р)РСтыЙ 1 и крупнозс)знистыЙ 2. Стрел)ОЙ изображен 1 практическая длина пробега электронов. Зта;лина пробега, соответствующая толщине такого слоя эмульсии, который фактически принимает участие в фотопроцессе, если электрон цс проходит за пределы слоя...

Номер патента: 120949

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Алексеев, Багдыкьянц

МПК: G01N 23/02, H01J 29/84

Метки: дифракционной, некогерентно-рассеянных, устранения, фона, электронов, электронографии

...скорость и могущих вызвать неправильную работу регистрирующего устройства.Схематическое изображение устройства, выполненного по описываемому способу, приведено на чертеже.Электронный пучок 1 проецирует диффракционную картину образца 2 на экран, Из диффракционной картины с помощью диафрагмыдвыделяют узкий пучок 4 электронов. Прошедщие диафрагму 4 электроны120949 Предмет изобретения 1. Способ устранения фона от некогерентно-рассеянных электронов при диффракционной электронографии посредством диафрагмы, имеющей высокий отрицательный потенциал, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью устранения искажений в распределении интенсивности когерентного рассеяния, пучок рассеянных в результате диффракции электронов перемещают относительно...

Номер патента: 528638

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Пчеляков, Стенин

МПК: H01J 37/26

Метки: отражение, электронографии

...изобретения поясняется чертежом, на котором 1 - первая позици расположения фоОэмульсионного материала; 2 - вторая позицп 51 расположспия фотоэмльсионн 010 матср 1 яля; 3 - - тОложение ООьект 2; 4 - полоксние эталона.Если дпфрагпрующая область на исследуемом образце расположена в точке 3, а эталон помещен в точку 4 на расстоянии Л 1. от точки 3, то на фотопластинках 1 и 2 дпфракцпя от образца дает рефлексы с расстояниями между ними ВО и й 2, соответственно, а дпфрякцпя н 2 эталоне в .О д и В",д. В каждой позиции фотопластинок для эталона вычисляется постоянная прибора 1.,г, (1., и ЕХХ соответственно) . Чтобы использовать величины У.,., определенные для эталона, при расчете мсжплос.Остных рассто 51 ний исследусмо 1 о ер 11- сталла,...