Ячейка памяти

409293 О П И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Оо 1 Оа СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт. свидетельства3 аявлецо 27.Х 1.1971 ( 1729350/18-24) М. Кл. 6 11 с 1 пеняем заявки с присое Пр иорите осударственныи комитетСовета Министров СССРоо делам изобретенийи открытий 681.327.67(088,8) ацо ЗО.Х 1,1973. Бюлл ликования описания ець4 5.1 Ч.1974 публиков ата Лвторзобретеци. Мерзляков аявител ЕЙКА ПАМЯТ Изобретение относится к области вычислительной техники.Известны ячейки памяти ца МДсторах, состоящие из статического имического запомицающего элементавыходных МДП-трацзисторов, служа ввода и вывода информации.При работе известных ячеек в р церазрушающим считыванием ап входцого сигнала выборки Сач вы при считывании меньшей, чем при за формации, - так цазываемый двухацый режим работы. Двухамплитудцы работы позволяет получить достаточкое быстродействие, однако, ячейки при таком режиме могут иметь суще разбросы по и а чеция высокого бывыходцогои"счпрп считывацппмалоп. Это требует тов сигцала выборвеличивает амплитуП-трацзили диня(ЗЭ) и щих для вышецие надежноар метРЗабаз альцое цапряже мин.ие ца и котором в ячейке беспечеция вапия приаи,ч при то в своютранзисторов, пр шецие храцимой вязи с этим для о ушающего считы ь напряжение величицу выход обеццо при цебол ходцого сигцала го сигцашой дливыборки. еха ца ошецие сигиудшается. Уа - мицимаРаа мин,творах входныхпроисходит разруинформации). В сцадежцого церазрходится выбиратсчитывании С,очередь снижаетла считывания остельцости тих,чВ результате отвыходных шинах у ежи ме с плитуда бирается писи ипмплитуд й режим цо высопамяти ствеццые(где Кроме того, для обеспе стродействпя длптельцост сигнала выборки Уа,ч должна быть достаточно увеличения крутизны фро ки, что в свою очередь у ду емкостцых помех.Цель изобретения - п сти работы устройства. Это достигается тем, что ца входе ячейкимежду затворами управляющих транзисторов и шиной выборки включены дополнительные 15 МДП-трацзистор и конденсатор, преобразующие форму входного сигцала выборки Ьи, пз прямоугольной в экспоцецциальцую или лицей по изменяющуюся. В результате такого преобразования сигнал выборки Ун ца затво рах управляющих транзисторов плавно измецяется как по длительности, так и по амплитуде, Это обстоятельство позволяет плавно подходить к порогу разрушения хранимой в ячейке информации и, таким образом, осла бить влияние разброса запоминающих элементов по данному параметру. Поскольку крутизна фронта экспоненциального или лицейцо изменяющегося сигнала выборки меньше, чем прямоугольного, то величица емкост цых помех также мецьше, чем в первом слусчС/зсчС зо мин зо о Где Уэсч-напряжение на затворах управляющих транзисторов при считывании;длительность сигнала считывания на затворах управляющих транзисторов, отсчитываемая по уровню 1/о;пороговое напряжение управляющих транзисторов;минимальная площадь, при коТсч 0 т эоми, эо торой происходит разрушениехранящейся информации приусловии У э ) зоомннораз минминимальное постоянное нае/зомин пряжение на затворах управляющих транзисторов, при котором происходит разрушение инфор м а ци и.В условии (1) заложена также дополнительная устойчивость предлагаемой системы выборки против влияния разбросов параметров ячейки на характеристики хранения информации.Для того, чтобы задний фронт сигнала на затворах управляющих транзисторов С/зе не был растянут после окончания входного сигнала выборки С/исч за счет большого сопротивления МДП-транзистора 10, на затвор этого транзистора (шина 12) подается импульс управляющего напряжения Е/ р длительностью тн амплитудой 0, дополнительно открывающий транзистор 10, обеспечивая тем самым необходимый задний фронт сигнала У . Это позволяет сохранить бызсч ехрстродействне ячейки практически таким же, что и у известного в режиме двухамплитудной выборки. Схема ячейки памяти показана на чертеже, где 1 - запоминающий элемент; 2 - управляющие транзисторы; 3 - адресная шина; 4 и 5 - информационные шины; 6 - шина источника питания; 7 - шина нулевого потенциала;8 - затворы управляющих гранзисторов; 9 - четырехполюсник; 10 - дополнительный МПД-транзистор; 11 - дополнительный конденсатор; 12 - дополнительная шина управления.Входной сигнал выборки Уо,сч подается на адресную шину 3 и формируется четырехполюсником 9, Сформированный сигнал выборки поступает на затворы транзисторов 2 и открывает их. В зависимости от хранящейся в ячейке информации считанный сигнал У появляется на шине 5 или 4. Для обсзсчспечения неразрушающего считывания режим работы дополнительного транзистора 10 выбирается, исходя из условия Так как передний и задний фронты сигналаУэ менее крутые, чем фронты входного сигнала выборки У асч, то помехи, появляющиеся на выходных шинах 4 и 5 по перед 5 нему и заднему фронтам за счет паразитцыхемкостных связей между этими шинами и затворами выходных транзисторов 2, оказываются меньше, чем в случае применения известной ячейки памяти.10 Для обеспечения надежной записи информации необходимо выполнить условиеУз н/ )/зо ма сизо(2)огде тзан - длительность сигнала записи назатворах выходных транзисторов, отсчитываемая по уровшо 0 о;/эо маэо минимальная площадь, при которои происходит надежная запись информации в МДП-ЭП при условии з, , ) ) Узоораз мин25 Для выполнения условия (2) при записи науправляющую шину 12 подается импульс управляющего напряжения записи длительностью та и амплитудой /и . В результате эгого дополнительный транзистор 10 переходит в крутую область своей выходной характеристики, обеспечивая тем самым нужный входной импеданс формирующего четырехполюсника 9. Поэтому сигнал Сэзан в ре 35жиме записи информации практически не отличается от входного сигнала выборки УихэанТаким образом, осуществляется надежная запись информации в ячейку памяти. При записи 1 или О на шины 5 или 4 поступает4 о соответствующий импульс записи 1 илизаписи О.При необходимости предлагаемая ячейкаможет работать в обычном режиме с двух.амплитудной выборкой. Для этого следует45 лишь подать соответствующее постоянное напряжение на управляющую шину 12, обеспечивая тем самым нужный входной импеданс четырехполюсцика как при записи, так и при считывании.Таким образом предлагаемая ячейка памяти по сравнению с ранее известными имеет более широкую область применения, меньшую величину помех на выходных шинах считывания - записи, позволяет уменьшить влияние разброса параметров и нестабильности амплитуды входного сигнала выборки на характеристики хранения информации,Предмет изобретения60 Ячейка памяти, содержащая запоминаю.щий элемент, выходы которого соединены со стоками управляющих МДП-транзисторов, истоки которых подключены к информационным шинам, затворы обьединены и подклю чены к адресной шине, отличающаясяТираж 576комитета Совета Министровбретений и открытийРаушская наб д. 4/5 аказ 100317ЦНИИПИ Го ПодписноеСР ипография, пр. Сапунова,геМ, что, с целью повышепия надежности работы устройства; в пее введены конденсатор и МДП-транзистор, сток которого подключен к зат ворам управляющих транзисторов,Изд,1124 ударственногопо делам изо осква, Ж,исток - к адресной шине, затвор - к дополнительной управляющей шине, а конденсатор подключен между стоком дополнительного транзистора и шиной нулевого потенциала.