Устройство для отображения информации с памятью

(71) Московский институт радиотехэлектроники и автоматики, 9 304625, кл, 8 11 8 11/08, 1969.2.: Авторское свидетельство СССВ 739643, .кл. Я 11 В 11/08, 1979.3. Авторское свидетельство ссВ 627529 кл. 6 11 В 11/00, 1978"(54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТОБРАЖЕНИНФОРМАЦИИ С ПАМЯТЬЮ, содержащее:параллельно установленные прозрачдиэлектрические пластины, на внутнюю поверхность первой из которыхнанесены последовательно прозрач.электропроводный слой и гелеобразндеформируемый слой, а на внешнюю п ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССЙО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКР.Ьерхность вторбй - прозрачные электроды строк, и электроды столбцов, ортогональные электродам строк, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с цельюповышения надежности устройства, ники, электроды столбцов нанесенй на изолирующий прозрачный слой, нанесенный на разрядный прозрачный электро- ССР проводный слой, нанесенный на поверхность второй прозрачной диэлектричес- Р кой пластины, причем во второй прозерачной диэлектрической пластине и Ср в электродах столбцов, изолирующемпрозрачном слое диэлектрика и разрядном прозрачном злектропроводномИя слое выполнены пары соосных отверстий две в первых из которых установлены раз- Е ные , рядные электроды, выполненные в виде рен- пронизывающих вторую Прозрачную диэлектрическую пластину волокон провоный дящего материала, контактно связаныйных с соответствующими электродамио- строк.Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для устройства вывода инфор,мации из вычислительных машин.Известно устройство для отображения информации, содержащее прозрачную пластину, последовательно покрытую прозрачным электропроводящими деформируемым слоями, металловолоконную пластину, на обе стороныкоторой нанесены дырчатые электроды,один из которых покрыт фотополупроводниковым слоем, а другой - резистивным слоем 11.Известно также устройство дляотображения информации, содержащее 15,осветитель записи и стирания, блокзаписи и управления деформируемымслоем, состоящий из параллельно установленных диэлектрических пластинс подключенными к источнику электри Оческой энергии прозрачными электропроводящими слоями на их внутренниисторонах, причем на электропроводящий слой пластины, обращенной к осветителю, нанесен Фотополупроводниковый слой, а на электропроводящийслой другой пластины нанесен деформируемый слой 12.Недостатком этих устройств является неудовлетворительная надежность,Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является устройство, содержащее осветитель записии стирания, две прозрачные диэлектри"ческие пластины с подключенными к источнику электрического напряженияпрозрачными электропроводящими слоями на их внутренних сторонах, причемэлектропроводящий слой пластины, обращенный к осветителю, состоит избтдельных параллельно расположенных 40проводников строк и покрыт Фотополупроводниковым слбем, на электропрово"дящий слой другой пластины нанесен.деформируемый слой, а осветитель записи и стирания содержит блок сканирования по фотополупроводниковомуслою изображения столбца, расположенного под прямым углом к проводникамстрок, соединенных с блоком формирования сигналов 13,50Недостатком известного устройстваявляется низкая надежность, обусловленная применением механическогоблока сканирования и низкой чувствительностью к управляющим сигналам.Цель изобретения - повышение надежности устройства для отображенияинформации с памятью.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для отображе О ния информации с памятью, содержащем две параллельно установленные прозрачные диэлектрические пластины, на внутреннюю поверхность первой из которых нанесены последовательно прозрачный электропроводный слой и гелеобразный деформируемый слой, а на внешнюю поверхность второй- прозрачные электроды строк, и электроды столбцов, ортогональные электродам строк, электроды столбцов нанесены на изолирующий прозрачный слой, нанесенный на разрядный прозрачный электропроводный слой, нанесенный на поверхность второй про" зрачной диэлектрической пластины причем во второй прозрачной диэлектрической пластине и в электродах столбцов, изолирующем прозрачном слое ,циэлектрика и разрядном прозрачном электропроводном слое выполнены пары соосных отверстий, в первых из которых установлены разрядные электроды, выполненные в виде пронизывающих вторую прозрачную диэлектрическую пластину волокон проводящего материала, контактно связанных с соответствующими электродами строк.На фиг.1 показано предлагаемое устройство; на фиг.2 - разрез АпА на Фиг.1.Устройство содержит первую диэлектрическую прозрачную пластину 1, покрытую прозрачным электропро водным слоем 2, на который нанесенгелеобразный деформируемый слой 3 толщиной 10-100 мкм. Параллельно пластине 1 установлена вторая диэлектрическая пластина 4, которая пронизана волокнами 5 проводящего материала. С внешней стороны пластина 4 покрыта электродами строк б, контактирующими с волокнами 5. С внутренней стороны пластина 4 последовательно покрыта разрядным прозрачным электропроводным слоем 7 и изолирующим прозрачным слоем 8, причем слои 7 и 8 выполнены с отверстиями 9 вокруг волокон 5. На слой 8 нанесены электроды 10 столбцов, расположенные ортогонально электродам б. Блок 11 формирования сигналов строк соединен с электродами б и слоем 7 и служит для создания ионного облака в отверстиях 9. Блок 12 Формирования сигналов столбцов соединен с электродами 10 и слоем 2.Устройство работает следующим образом.Блок. 11 Формирует высокочастотный электрический сигнал на одном из электродов б и слое 7. В результате между волокнами 5, принадлежащими данному электроду и слоем 7, происходит разряд, в результате чего в отверстии 9 образуется ионное облако. Блок 12 подает напряжение на те электроды 10, места пересечения которых с электродом 6 соответствуют наличию "единицы" в отображаемых двоичных сигналах, На остальные электроды б подается напряжение, равное нулю. В области, соответствующей-35, Раушская на каз 3028/62 ВНИИПИ Го по делам 113035, МПССР ное дарст изобре ква, Яю де лиал ППП ".Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 наличию фединицы", происходит осаждение электрического заряда на поверхности слоя 3. Последовательноформируя высокочастотный сигнал на;электродахб и подавая напряжениена электроды 10 получают распределение зарядов в плоскости слоя 3, соответствующее записываемой информации. Заряды, осажденные на слой 3,индуцируют заряды противоположногознака на слое 2. Между этими зарядами возникает электрическое поле,налряжениость которого зависит от;заряда, осажденного на слой 3. В результате воздействия электрическогополя на слой 3 на его свободнайповерхности образуется геометрический рельеф, который может сохраняться длительное время. Максимальноевремя хранения записанного рельефа,зависит от величины осаждаемого заряда и свОйств слоя 3. Длительностьвремени хранения записанного рельефа можно регулировать путем изменения электрического сопротивленияслоя 3 и изменения напряжения на,электродах столбцов, так как величина напряжения определяет плотность заряда осаждаемого на гелеобразный деформкруемый слой. Записанный рельеф слоя 3 может быть воспроизведен в виде оптического изображения с помощью известных устройств щелевой оптики.Толщина деформируемого слоя 3составляет не менее чем половину пространственного периода электро дов столбцов, отверстия вокруг волокон 5 выполнены диаметром 0,4-0,25 пространственного периода электро- .дов, а воздушный зазор между пластинами составляет 0,1-0,5 толщины де з 15 Формируемого слоя,Осаждение заряда непосредственно на деформируемый гелеобразный слой позволяющее увеличить чувствитель ность устройства более чем в 3 раза ,и замена сканирования светового столбца по фотополупроводниковому слою на коммутацию электрического напряжения на электроды столбцов повышает надежность. работы устройства.