Способ получения изображений на электрохимической бумаге

ОПИСАНЮ. ИЗОБРЕТЕНИЯ 4 7266 Союз Соватскин Социалистических РеспубдикК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зави имое от авт, свидетельства77404(28-12 Л. Кл. 6 03 д 17/О Гасударственный комитет Саавта Министраа СССР па делан юааретений н аткрытийУДК 681.646(088 юллетень4опубликования описания 14 Х 1.1974 Авторыизобретения А. А. Гринберг, Л. Г, Парицкий и Л, В. Удофизико-технический институт им. А. ф. Иоф аявитель СОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ БУМАГЕс технике записи ца ге ц может быть дццковых фотоэлекустройствах с исдырочцых переходов в инфракрасных лутносится ой бума олупрово ческих ектронно съемки нце оическ Изобрете электрохцм использова трокоцдукт пользованн для выпол ювп ограф ем эл ения Заявлено 05,Ъ 11.1971 (с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 21,Х 1,1973. чах,Известен фотоэлектрокоцдуктографцческий способ получения изображений в многослойных полупроводниковых фотографических устройствах с использованием в качестве фотоприемника электроцнодырочного перехода.Основным недостатком описанного способа является низкое значение величины разрешающей способности получаемых изображений, что обусловлено, в основном, растеканием неравновесных носителей тока вдоль полупроводниковых слоев,Уменьшение толщин полупроводниковых слоев связано с большими технологическими трудностями и сопровождается уменьшением чувствительности.С целью повышения величины разрешающей способности изображений, получаемых в фотоэлектрокондуктографических устройствах с электроннодырочным переходом, по предлагаемому способу во время экспонирования фотоприемник подвергают воздействию магнитного поля, охватывающего всю площадь фотоприемника, причем вектор индукции магнитного поля направлен перпендикулярно плоскости фотопрцемнцка.На фиг. 1 показан предлагаемьш фотоэлектрокондуктографическпй способ полу че нця изображений; на фиг. 2 - частотно-контрастные характеристики без воздействия магнитного поля (кривая а) и при наличии магнитного поля различной по величине напряженности 1 О, 20, 30 кэрст).0 Используют низкоомный диффузионныйполупроводниковый слой 1 (фиг. 1), на внутренней поверхности которого создается поверхностно-барьерный или диффузцонньш электроннодырочный переход 2, за которым расположен слой 3 полупроводника противоположного типа проводимости по отцошешцо к слою 1, Нижняя поверхность последнего покрыта защитным слоем 4, обладающим анизотропной проводимостью 1 от С ( ац).0 Полупроводниковые слои 1 и 3, разделенные областью объемного заряда р - п перехода 2, вместе с защитным слоем 4 составляют фотоприемную часть устройства.На время съемки анизотропный защитныйслой приводится в контакт с тонкочувствительной пленкой электролита 5, снабженной металлическим контрэлектродом 6.Фотографическое изображение прц освещении поверхности слоя 1 формируется на поо верхности пленки 5 при подаче напряжения отвнешнего источника к контрэлектроду 6 и слою 1, включающего г - р переход в запорном направлении (электрический затвор).Оптическая плотность сформированного изображения пропорциональна плотности тока на границе анизотропного слоя 4 и пленки электролита 5. Некоторое повышение величины разрешающей способности может быть достигнуто применением в качестве слоя 3 высокоомных материалов.Измерения выполнены при комнатной температуре, фотоприемная часть устройства - пз арсенида галлия.Постоянными величинами при проведении опытов были: толщина диффузионного слоя р-типа (4 10 - ф см), диффузионная длина пробега неосновных неравновесных электронов (10 - 4 см), подвижность электронов (4000 см-/в сек), коэффициент поглощеня света (1 О см-), толщина высокоомного слоя и-типа (10 в см), удельное сопротивление высокоомпого слоя (1 О" ом см), толщина пленки электролита (2 10- см) удельное сопротивление электролита (300 ом см).По кривым частотно-контрастных характеристик определяются значения велчипы разрешающей способности получаемых изображений. Так при отсутствии магнитного поля разрешающая способность составляет 286 лин/мм, а при воздействии магнитного поля напряженностно 10, 20 и 30 кэрст - 334., лин,мм, 5 430 лин/мм и 605 лин/мм соответственно.,Поставленная цель получения изображенийдостигается за счет уменьшения растекания носителей тока вдоль полупроводниковых слоев: в диффузионном - вследствие фокуси ровки носителей вдоль направления векторанапряженности магнитного поля(магнитнокопцентрационпый эффект); в высокоомном полупроводниковом слое за счет эффекта магнитосопротивления.15Предмет изобретенияСпособ получения изображешш на электрохимической бумаге путем экспонирования ори гииала па фотоприемиик с последукпцим переносом изображения на бумагу, о т л и ч а ющ и Й с я тем, что, с целью повьпцения разрешающей способности при экспонировании, фотоприемпик подвергают воздействшо маг нитного поля, вектор индукции которогонаправлен перпендикулярно плоскости фотоприемника.407266 оставптель Г, Мазо Редакт ехред Т. Миронов рректор Е. Сапун 027 Тираж 511ого комитета Совета Министризобретеший и открытий