403061
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 403061
Текст
Схема управляется напряжением, подаваемым на базы транзисторов 8 и 9. В случае, когда потенциал на базе транзистора 8 вьппе потенциала на базе транзистора 9, эти транзисторы открыты, и ток протекает от источника +Е, через резисторы 10 и 11, транзисторы 8 и 9, резисторы 12 и 13 ца источник - Еь При этом на резисторах 10 и 13 образуется потенциал, способный ввести транзисторы 6 и 7 в режим насыщения, и напряжения источников +Е и - Е почти полностью передаются на резистор 14. Эти напряжения запирают транзисторы 1 и 5, одновременно запираются транзисторы 1 и 2 вследствие отсутствия тока, протекающего через управляющие коллекторно-базовые переходы этих транзисторов.Если потенциал базы транзистора 8 ниже, чем потенциал базы транзистора 9, то эти транзисторы запираются. Базы транзисторов 7 и 6 оказываются связанными через резисторы 10 и 13 с источниками питания +Е, и - Е соответственно, и эти транзисторы также запираются, В этом режиме базы транзисторов 4 и 5 оказываются под нулевым потенциалом, соединенные резистором 14. Эмиттерно-базовые переходы транзисторов 4 и 5 начинают работать как диоды, смещенные в прямом направлении по цепи: источник 3 (+Е) - эмиттер-база транзистора 4 - резистор 14, базаэмиттер транзистора 5 - Е, протекает ток, который открывает транзисторы 4 и 5. Ток от источника 3 протекает так же по цепи: +Е - транзистор 4 - резистор 16 - коллектор-база транзисторов 1 и 2, транзистор 5 -- Еь и транзисторы 1 и 2 открываются.Источник 3 остается все время изолированным от земли. В открытом состоянии ключа источник 3 изолирован от земли большим сопротивлением закрытых транзисторов 7 и 6, а в открытом - сопротивлением запертых переходов база-эмиттер транзисторов 4 и 5. 1 акое включение транзисторов 8 и 9 позволяет управлять схемой перепадами напряжений вце зависимости от полярности напряжений источников питания предыдущих схем, а также делает ее не критичной к амплитудам управляющих импульсов.Предмет изобретения10 1. Коммутирующее устройство, содержащееключевое устройство, состоящее из пары транзисторов, коллекторы и базы которых объединены, изолированный источник питания, схему подключения изолированного источника 15 питания к ключевому устройству и схему управления, выполненные на транзисторах, отличаюиееся тем, что, с целью уменьшения искажений коммутируемого сигнала и уменьшения токов утечки, схема подключения вы полнена на двух транзисторах, эмиттеры которых подсоединены к шинам изолированного источника питания, коллектор одного из транзисторов схемы подключения соединен через резистор с коллекторами транзисторов 2 З ключевого устройства, а коллектор другоготранзистора - с базами транзисторов ключевого устройства, базы транзисторов схемы подключения, между которыми включен резистор, подсоединены к коллекторам транзисто ров схемы управления, эмиттеры которыхподсоединены к шинам питания, а базы через резисторы соединены с соответствующими шинами питания и коллекторами входных транзисторов схемы управления, причем эмитЗ 5 теры входных транзисторов схемы управленияобъединены между собой, а базы подключены к шинам управления.2, Коммутирующее устройство по п. 1, отличаюиееся тем, что, с целью повышения бы стродействия, между коллекторами и базамитранзисторов ключевого устройства включенрезистор.оставитель Л. Багянхред А. Камышникова Корректор Е. Михеев ПодписноСССР Типография, ир. Сапунова,Изд. Мв 2058сударственного комитета по делам изобретений иЛосква, Ж-З 5, Раушская Тираж 780 Совета Чи пист открытий 4 5
СмотретьЗаявка
1665179
МПК / Метки
МПК: H03K 17/60
Метки: 403061
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-403061-403061.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">403061</a>
Схема смещения перехода база-эмиттер транзистора
Номер патента: 586858
Опубликовано: 30.12.1977
Автор: Адель
МПК: H03F 3/34
Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора
...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...
Устройство для испытания транзисторов
Номер патента: 873165
Опубликовано: 15.10.1981
Автор: Трифонов
МПК: G01R 31/27
Метки: испытания, транзисторов
...различной проводимости, конденсатор, лампа накаливания, реостат, причем база транзисторов соединены между собой, а коллекторы и эмиттеры соединены с.переключаОтелем проводимости и кроме того,коллекторы через диоды и переключательпроводимости соединены со вторым выво"дом, переключатель коллекторов соединен через звуковой индикатор сшиной питания и первым выводом, переключатель эмиттеров соединен с источ-.ником питания непосредственно, а через последовательно включенные лампунакаливания и реостат с третьим выво- Одом, который через конденсатор соединен с базами транзисторов.На чертеже представлена предлагае"мая схема устройства для испытаниятранзисторов,устройство содержит транзисторы 1и 2, переключатель 3 проводимости,звуковой индикатор...
Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем
Номер патента: 1274889
Опубликовано: 07.12.1986
Авторы: Зак, Лепешкин, Нижник, Соловьев
МПК: B23K 31/02
Метки: гибридно-интегральных, кристаллов, монтажа, платы, полевых, схем, транзисторов
...площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и...
Аналоговая модель транзистора
Номер патента: 900297
Опубликовано: 23.01.1982
Автор: Денисенко
МПК: G06G 7/48
Метки: аналоговая, модель, транзистора
...выход которого соединенс первыми входами РСГ-сетки и первымвходом источника тока, второй входкоторого подключен ко второму выходуКСГ 1-сетки и ко второму входу сумматора, выход которого соединен со вторым входом КСС-сетки,На чертеже изображена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит усилительныйтранзистор 1, конденсаторы 2 и 3,ЙСГ 1-сетку 4, состоящую из резисторов5, резисторов б и конденсаторовсумматор В, дифференциальный усилитель 9, источник 10 тока, резисторы11 и 12, усилительный транзистор 13,эммтерный вывод 14, базовый вывод15, коллекторный вывод 16.Устройство работает следующим об-.разом.Принцип моделирования основан надопущении о возможности разделенияструктуры транзистора на область базы и...
Способ контроля качества мдп интегральных схем с тестовыми транзисторами
Номер патента: 1408393
Опубликовано: 07.07.1988
Авторы: Латышев, Лисовский, Ломако
МПК: G01R 31/3181
Метки: интегральных, качества, мдп, схем, тестовыми, транзисторами
...без ошибок. При этих же лозах измеряют значения пороговых напряжений тестовых и- и р-канальных транзисторов. Циклы облучения - измерения параметров проводят до тех пор, пока це будет достИГНУто ЭНДЧЕНИЕ Я = Со. ЗДВИСИМОСтИ Г и П от лозы облучения (Р) испольгрЗУются Д 5151 пос ГРО ения ФУцк дни Го (11 с ) которая позволяет оценить качество схемотехпичес 1 со 1 о п 11 ое 1 стд. Нд фиг, 1-3 приведецы графики, логясцяющие предлагаемый способ.На фиг.1 показаны зависимости пороговых напряжений тестовых р-канальных транзисторов от дозы облучениядля схем 1 и 11. Указаны точки перехода линейной зависимости 1), (Р) кнелинейной, которые в нашем случаесоответствуют дозе = 10 Р. Видно,что изменение Б,р (Р) для схемы 11вьш 1 е, чем для схемы 1....
Предыдущий патент: 403060
Следующий патент: 403062
Случайный патент: Устройство для сообщения движения лыжнику