403060

403060 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистицеских РеспубликЗависимое от авт, свидетельства М Заявлено 23 Л 111.1971 (Лт 169510526-9)с присоединением заявки Ме -ПриоритетОпубликовано 9.Х.193. Бголлстець Ме 42Дата опубликования описания 6.111.1974 М Кл. Н 031 с 17,60 Государственный комитетСовета Министров СССРоо делам изобретениии открытий УДК 681,374.3(088.8) Авторизобретения А. Я. Булгаков Заявитель ТРАНЗЙСТОРНОЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОИзобретение относится к области транзисторных ключевых схем и может быть использовано, например, в преобразователях кода в напряжение при необходимости применения планарных транзисторов, широко используемых в микросхемах.Известно транзисторное переключающее устройство, содержащее входной и два выходных транзистора, причем база входцого транзистора соединена через буферную схему с источником управляющего напряжения и базой первого выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор входного транзистора связан с шиной источника питания через резистор и связан с базой второго выходного транзистора, коллектор которого соединен с шиной управляемого источника питания. Однако в известном устройстве применение планарных транзисторов вызывает трудности.С целью расширения функциональных возможностей и повышения надежности в предлагаемом устройстве коллектор первого выходного транзистора связан с эмиттером второго выходного транзистора, с коллектором входного транзистора через последовательно сосдицеццые резистор и диод, а также с шиной выходных сигналов,11 а чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного устройства.Транзистор 1 соединен коллектором с п(ложительцым полюсом источника 2 напряже ция постоянного тока, базой - с коллектором входного транзистора 3 того же типа проводимости. В коллекторе транзистора 3 расположен резистор 4, а последовательно с цим - источник 5 напряжения постоянного 10 тока, отрицательный полюс которого находится ца общей шине (земле). Эмиттер транзистора 1 и коллектор первого выходного транзистора 6 того же типа проводимости соединены между собой и образуют выход схемы.15Коллектор второго выходного транзистора3 связан с выходом схемы через резистор 7.Последовательно с ним может быть включен диод 8, катод которого обращен к коллектору 20 транзистора 3. Подключение диода 8 и .полярности источников напряжения постоянного тока соответствует гг - р - тг-типу проводимости транзисторов. Эмиттер транзистора 6 соединен с общей шиной (землей). К базам 25 транзисторов 3 ц 6 через буферную схему 9подключен источник 10 управляющего напряжения.Эмиттер транзистора 3 связан с общей шиной чсрсз источник 11 напряжения отрица тельной полярности. Параллельно переходу5 10 15 20 25 30 40 45 50 55 база-эмиттер транзистора 6 подключен резистор 12.Вариантом включения диода 8 является расположение его между коллектором транзистора 3, точкой соединения резистора 4 и базы транзистора 1, катодом к коллектору транзистора 3, При этом между этим коллектором и выходом схемы остается включенным резистор 7. Оба варианта равноправны в отношении главного качества схемы: включен н транзистора 6 коллектором к выходу схемы и эмиттером к общей шине,Транзистор 1 является последовательным ключом, транзистор 6 - параллельным.Открываясь (насыщаясь) и закрываясь поочередно, они коммутируют источник 2 напряжения, в результате чего потенциал выхода практически равен нулю (открыт ключ на транзисторе 6 и закрыт ключ на транзисторе 1). Последовательный ключ па транзисторе 1 открывается при закрытом транзисторе 3, который образует инвертирующий каскад, разностью напряжений источников 2 и 5 через резистор 4, по переходу база-коллектор (инверсное включение).Диод 8 независимо от места его включения предотвращает шунтирование перехода базаэмиттер транзистора 1 резистором 7. От места включения диода 8 зависит температурное изменение коллекторного тока транзистора 6, При включении диода 8 между коллектором транзистора 3 и базой транзистора 1 пятка диода не должна быть существенно ниже пятки перехода база-эмиттер транзистора 1.Закрывание транзистора 1 производится напряжением источника 11 через насьнценные транзисторы 3 и 6. При этом обратное напряжение на переходе база-эмиттер транзистора 1 равно напряжению источника 11 и при соответствующем выборе этого напряжения может иметь величину, допустимую для планарных транзисторов. Транзисторы 3 и 6 открываются одновременно управляющим напряжением источника 10 через буферную схему 9.Базовый ток транзистора 6 разветвляется на два тока: коллекторный и эмиттерный. Для получения минимального остаточного напряжения на открытом транзисторе 6 он должен быть в инверсном включении, поэтому его коллекторный ток должен быть примерно равен его базовому току. Необходимая величина коллекторного тока обеспечивается сопротивлением резистора 7. Дополнительная регулировка базового и эмиттерного токов осуществляется резистором 12. Подбором сопротивления этого резистора можно достичь температурной компенсации изменения коллектор- ного тока, вызванного изменением прямого падения напряжения на диоде 8. Частичная температурная компенсация нронсходнг без резистора 12 благодаря температурному изменению прямого падения напряжения на переходах база-коллектор и база-эмиттер.Транзисторы 3 и 6 закрываются одновременно прн запирающем уровне управлющего напржени источника О. 1 ранзистор 6 закрывается по переходу база-эмнттср, запирающее напряжение на этом переходе легко может быть сделано допустимым для планарных транзисторов. Дополнительное снижение запирающего напряжения осуществляется благодаря резистору 12, Коммутируемое напряжение источника 2 поступает на закрытый транзистор 6 через открытый транзистор 1 и падает на переходе коллектор 1 база транзистора 6, что позволяет иметь напряжение источника 2 до десятков волы при использовании планарных транзисторов.Ввиду того, что базовый и коллекторный токи открытого транзистора 6 регулируются независимыми цепями, трудно достичь стабильного соотношения этих токов при изменении напряжений питания и температуры окружающей среды. Соответственно имеет место относительно значительный дрейф остаточного напряжения транзистора 6. Однако такой дрейф допустим в ряде случаев возможного применения схемы предложенного устройства. Предмет изобрстени Транзисторное переключающее устройство, содержащее входной и два выходных транзистора, причем база входного транзистора соединена через буферную схему с источником управляющего напряжения и с базой первого выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, а коллектор входного транзистора связан с шиной источника питания через резистор и с базой второго выходного транзистора, коллектор которого соединен с шиной управляемого источника питания, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения надежности, коллектор первого выходного транзистора связан с эмиттером второго выходного транзистора, с коллектором входного транзистора через последовательно соединенные резистор и диод, а также с шиной выходных сигналов.Составитель Л. Багян едактор М. Афанасьева Тскред А. Камышникова Корректор Л. Новожилов Заказ 467/14ЦНИИПИ ПодписноеСР Гипография, пр. Сапунова,Изд. М 2058осударственного комитетапо делам изобретений иМосква, Ж, Рауьнская Гираж 80Совета Министровоткрытинаб., д. 4 5