Способ получения стеклянной пленки на подложке

Номер патента: 952941

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Гасанов, Дубяга, Жильцова, Козлов, Стулкова

МПК: C09K 3/00

Метки: дренажных, мембранных, подложки, средство, труб, элементов

...как в примере 1. В 95 полученных МТЭ отсутствуют вздутия мембран, Производи-. тепьность по дистиллированной воде О, 6 15 м З/м ч П р и м е р 3. Готовят водные растворы, содержащие 0,1 вес.% полиэтиленгликоля, полиакриламида, полиэтиленимина, метилцеллюлоэы, Иа-карбоксиметилцеллюлозы или оксиэтилцеллюлозы, Каждым из полученных растворов обрабатывают подложки дренажных труб и затем изготовляют МТЭ, как в примере 1.95 Ъ полученных МТЭ не имеют вздутий мембран. Они имеют высокую проницаемость по дистиллированной воде, соответственно 0,937;. 0,575, 0,479; 0,626; 0,518; 0,458 м /мчП р и м е р 4. Готовят 0,1 вес.% водный раствор поливинилового спир та и,обрабатывают им дренажные трубы, получают и испытывают МТЭ, как в примере 1....

Номер патента: 1170889

Опубликовано: 27.10.1998

Авторы: Дубровин, Мурзинов, Рубанова, Стрюкова, Чекалов, Шварцвальд, Шевцов

МПК: G03C 1/74

Метки: подложке, стеклянной, фотографических

Способ изготовления фотографических материалов на стеклянной подложке путем последовательного нанесения на подложку желатинсодержащих растворов вспомогательных и эмульсионных слоев при относительном поступательном перемещении поливного устройства и подложки вдоль линии полива, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности слоев фотоматериалов на истирание, растворы слоев наносят под углом между линиями полива смежных слоев, составляющим 10 - 170 градусов.

Номер патента: 1346600

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Акутене, Каменецкас, Петраускас

МПК: C03C 17/36

Метки: кварцевой, подложке, проводниковых, тонкопленочных, элементов

...вращения3000 об/мин) достигается его равномерное распределение по подложке.Затем в печи производят обжиг до .850+О С, Скорость подъема температуры У = 20+5 С/мин, температураобжига Т = 850-1 О С, время выдержки Т = 15+2 мин, скорость охлаждения У =20+5 С/мин.В результате высокотемпературногообжига состава на подложках образуется пленка толщиной 1500-2000 Асвинцовоборосиликатного стекла.Затем производят напыление металлических слоев в установке УВН"1 П-З.Перед напылением подложки выдерживаоют при температуре 300+20 С в течение 5 мин, Напыляют поочередно слойхрома толщиной 0,02 мкм слой медитолщиной 3 мкм и слой хрома толщиной 0,02 мкм при вакууме рабочей ка00 Продолжение табл,123 510 37 438+20 ВОз 10 441-20 Состав...

Номер патента: 1565302

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Бунин, Иноземцев, Кораблин, Малахов, Самохин, Серова

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: подложке, полупроводниковой, рельефа

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий последовательное нанесение на подложку слоев электронорезисторов с термообработкой каждого слоя, формирование многослойной маски путем экспонирования и проявления системы слоев и перенос рисунка маски в подложку путем химического травления подложки в окнах маски, отличающийся тем, что, с целью повышения точности получения точности элементов рельефа, нанесение на подложку первого слоя электронорезиста осуществляют из раствора сополимеров полиметилметакрилата и метакриловой кислоты в смеси бутилацетата, толуола и этилцеллозольва, причем данный слой наносят толщиной 0,01 - 0,1 мкм, а его термообработку проводят при 210 - 220oС.

Номер патента: 1614742

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Игнашев, Сидоренко

МПК: H05K 3/36

Метки: алюминия, многослойных, печатных, плат, подложках

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ АЛЮМИНИЯ, включающий механическую и химическую обработку подложки, нанесение на обе стороны подложки масок из фоторезиста с рисунком схемы проводников на поверхности и в объеме подложки, двустороннее анодирование подложки, удаление маски с рисунком схемы проводников в объеме подложки, повторное двустороннее анодирование, отличающийся тем, что, с целью повышения качества плат за счет уменьшения рельефа поверхности подложек, первое двустороннее анодирование проводят на глубину "а", равную 0,25 толщины проводников в объеме подложки, после чего удаляют оксидный слой, а повторное анодирование выполняют на глубинуh =