Линия поверхностной волны

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 91 И 1) 114 Н 01 РЗ/ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКПРИ ГКНТ СССР АНИЕ ИЗОБРЕТЕН СВИДЕТЕЛЬСТ А ВТОРСНОМ вьа еАе иэлектлический(71) Государственный проектно-конструкторский и научно-исследовательский институт по автоматизации угольной промьппленности "Гипроуглеавтома 31тизация(54) ЛИНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ВОЛНЫ(57) Изобретение относится к техникеСВЧ. Цель изобретения - повьппение зффективности электромагнитной связи сприемопередатчиками, Линия поверхностной волны содержит проводник 1размещенный на первом слое 2 дрика, и цилиндрический металэкран 3 с продольной щелью 4, размещенный снаружи слоя 2. При этом проводник 1, слой 2 и экран 3 со щелью 4 полнены в виде соосных цилиндров, второй слой 5 диэлектрика - в виде цилиндра, охватывающего слой 2, ось которого смещена относительно оси проводника 1. Несимметричное размещение слоя 5 относи.ельно проводника 1 и асимметрия, вносимая щелью 4, формируют необходимое неравномерное распределение напряженности электромагнитного поля в линии поверхностной волны. Причем его максимум расположен в плоскости, проходящей через оси слоя 5 и проводника 1 со стороны щели 4 в экране 3. Требование к диэлект- Я рическим проницаемостям слоев 2 и 5 обеспечивает отсутствие поверхностной волны, сконцентрированной вблизи слоя 2 и слабо связывающейся с приемо- "ф передатчиком, Размещая этот источник со стороны максимума напряженности по ля в линии поверхностной волны, можно обеспечить повьппение их взаимной связи е 1 ил е Д146761 9 ние напряженности электромагнитногополя в линии поверхностной волны,Причем его максимум расположен в:.плоскости, проходящей через оси второго слоя 5 диэлектрика и проводника 1 со стороны продольной щели 4 вцилиндрическом металлическом экране 3. Требование к диэлектрическойпроницаемости первого 2 и второго 5слоев диэлектрика обеспечивает отсутствие поверхйостной волны, сконцентрированной вблизи первого слоя 2 диэлектрика и слабо связывающейся свнешним источником,/ Таким образом, размещая источник со стороны максимума напряженности поля в линии поверхностной волны, можно обеспечить повышение их взаимной связи. Формула изобретения рии цилиндрического металлического экрана в направлении от продольной щели причем диэлектрическая проница 3емос ть в то рого слоя диэлек трика б ольше диэлектрической проницаемости первого слоя диэлектрика. Составитель С.БанковТехред Л,СердюковаКорректор М,Васильева Редактор В,Петраш Заказ 1202/48 Тираж 615 . ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 Изобретение относится к техникеСВЧ, а именно к устройствам связи,и может быть использовано в подземныхшахтных выработках,5Целью изобретения является повышение эффек тив нос ти элек тромаг нитнойсвязи с приемопередатчиками.На чертеже изображена линия поверхностной волны, поперечное сечение.Линия поверхностной волны содержит проводник 1, размещенный в первом слое 2 диэлектрика, цилиндрический металлический экран 3 с продольной щелью 4, размещенный снаружи первого слоя 2 диэлектрика. Причем проводник 1, первый слой 2 диэлектрикаи цилиндрический металлический экран 3 с продольной щелью 4 выполнены 20в виде соосных цилиндров, а второйслой 5 диэлектрика - в виде цилиндра, охватывающего первый слой диэлек"трика 2, ось которого смещена относительно оси проводника 1 в плоскостисимметрии цилиндрического металлического экрана 3 в направлении от про,дольной щели 4.Линия поверхностной волны работает следующим образом, 30Внешний источник электромагнитнойэнергии (передатчик) возбуждает ос.новную волну линии поверхностной волны, которая затем распространяетсявдоль нее и обеспечивает связь с при емником. Эффективность возбужденияосновной волны определяется пространственным распределением ее поля,причем она тем выше,чем выше напряженность поля в направлении источника и 40чем меньше она в других направлениях.Несимметричное размещение второгослоя 5 диэлектрика относительно проводника 1 и асимметрия, вносимая продольной щелью 4 цилиндрического металлического экрана 3 формируют необходимое неравномерное распределеЛиния поверхностной волны, содержащая проводник, расположенный в первом слое диэлектрика, проводник и первый слой диэлектрика выполнены в виде соосных цилиндров, о т л и - ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышенйя эффективности электромагнитной связи с приемопередатчиками, введены цилиндрический металлический .экран, выполненный с продольной щелью и установленный снаружи первого слоя диэлектрика соосно с проводником, и второй слой диэлектрика, выполненный в форме цилиндра, охватывающего первый слой диэлектрика, ось которого параллельна оси проводника и смещена относительно нее в плоскости симмет