Бистабильная ячейка

(71) Институт сильноточнойники СО АН СССР(57) Изобретение относится к имп ульс т ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯРИ ГКНТ СССР 2ной технике и может быть использовано в устройствах для электронной ком мутации низкоомных электрических цепей. Цель изобретения - расширение области применения за счет возможности коммутации низкоомной нагрузки Цель достигается тем, что в устрйст во введены второй вход 13 управления третий и четвертый транзисторы 5 и 7 разных типов проводимости, конденса" тор 11 и тиристор 10, Внешняя нагрузка 12 включается между шиной 9 питания и эмиттером второго транзистора 21 ил.Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах для электронной коммутации низкоомных электрических цепей.Цель изобретения - расширение области применения за счет возможности коммутации низкоомной нагрузки.На чертеже приведена схема устройства. 0Устройство содержит первый транзистор 1.первого типа проводимости, второй транзистор 2 второго типа проводимости, соединенные перекрестными коллекторно-базовыми связями 15 и образующими аналог р - и - р - и- структуры, первый и второй резисторы .3 и 4, шунтирующие эмиттерные перехоДы указанных транзисторов, третий транзистор 5 первого типа прово димости, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с коллектором и эмиттером первого транзистора, а база соединена с первым входом 6 управления, четвертый транзистор 7 25 второго типа проводимости, эмиттерный переход которого соединен через третий резистор 8 с шиной 9 питания, коллектор соединен с анодом тиристора 10 и через конденсатор 11 - с базой первого транзистора 1, а база - с эмиттером второго транзистора 2 и выводом нагрузочного элемента 12. Управляющий электрод тиристора 10соединен с вторым входом 13 управления, катод тиристора 10 соединен с эмиттерами первого 1 и второго 2 транзисторов и с общей шиной 14.Устройство работает следующим образом.40В исходном состоянии транзисторы 1, 2, 5, 7 и тиристор 10 закрыты, конденсатор 11 не заряжен, схема , почти не потребляет тока. При подаче положительного управляющегоимпульса на вход 6 транзистор 5 открывается и устанавливает транзисторы1 и 2 аналога в проводящее состояние, которое самоподдерживается, Через нагрузочный элемент 12 идет ток. Падением напряжения на нагрузоч 50 ном элементе 12 открывается транзистор 7, через него и резистор 8 заряжается конденсатор 11При подаче на вход 13 положительного управляющего импульса тиристор 10 срабатывает и разряжает конденсатор на резистор 3 и управляющий переход транзистора 1. Так как ток разряда в этой цепи направлен против первоначального, то транзисторы 1 и 2 аналога запираются, ток в нагрузке прекращается, транзистор 7 закрывается, тиристор 10 выключается при окончании разряда конденсатора 11 через резистор 3. Схема возвращается в исходное состояние.Предлагаемое устройство может быть реализовано на различных парах транзисторов в аналоге р-и-р-п-структуры от слаботочных до мощных, может работать при токев нагрузке 1-100 А, при напряжении питания 10-1000 В, частоте переключения входных сигналов менее 10 кГц и обеспечивает фронт и спад импульса тока в активной нагрузке 0,1-1 мкс. Возможно использование предлагаемого устропства в качестве частотного размыкателя цепей с индуктивной нагрузкой.Формула и з о б р е т е н и яБистабильная ячейка, содержащая первый и второй транзисторы первого и второго типов проводимости, нагрузочный элемент, первый вход управления, общую шину и шину питания, первый и второй транзисторы образуют аналог р-п-р-п-структуры, база второго транзистора соединена через первый резистор с его эмиттером, о т - л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью расширения области применения за счет возможности коммутации низкоомной нагрузки, в нее введены второй вход управления, третий транзистор первого типа проводимости, четвертый транзистор второго типа проводимости, конденсатор, тиристор, второй и третий резисторы коллектор и эмиттер третьего транзистора соединены соответственно с коллектором и эмиттером первого транзистора, база третьего транзистора соединена с первым входом управления, база первого транзистора через второй резистор подключе-на к эмиттеру первого транзистора, к катоду тиристора и к общей шине, а через конденсатор - к точке соединения анода тиристора и коллектора четвертого транзистора, база которого подключена к эмиттеру второго транзистора и первому выводу нагрузочного элемента, второй вывод которого соединен с шиной питания и первым выводом третьего резистора, вто598126 6равляющий электрод тиристора подключен к второму входу управления. рой вывод которого подключен к эмиттеру четвертого транзистора, а упСоставитель П,БестемьяновТехред Л.Олийнык Корректор С.Шекмар Редактор А.Мотыль Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101Заказ 3069 Тираж 663 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5