Способ изоляции поглощающих пластов в скважинах

Номер патента: 1072814

Опубликовано: 07.02.1984

Автор: Хендрикус

МПК: C11B 7/00

Метки: жировой, компоненты, отдельные, разделения, смеси

...при однократном фракционировании в количестве,например, более четверти от общеговеса жирового материала. На прак тике твердая фракция обычно поглощаетжидкую с пониженной точкой плавленияв количестве по крайней мере вдвое.превышающем ее собственный вес, Поэ-.тому твердые фракции в количестве,превышающем четвертую часть от общего веса материала, образуют шламы,,разделение которых на составляющиеих жидкие и твердые фракции труднообеспечить как фильтрацией, так ицеитрифугированием. В соответствиис изобретением кристаллы агрегируются вместе и удерживают относительно небольшую часть жидкой Фракции.Предлагаемый способ можно выполонять при температурах от 20, до +50 С,которые при использовании ограниченытолько физическими пределами...

Номер патента: 1480683

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Прокофьев, Урицкий, Шаталов

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий вытравливание в кремниевой подложке рельефа, формирование на рельефе слоя изолирующего оксида кремния, осаждение легированного слоя поликремния, наращивание опорного слоя поликремния, удаление части подложки с вскрытием монокремниевых участков, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния, слой легированного поликремния осаждают толщиной 0,5 - 2,0 мкм, а в качестве легирующего элемента используют бор с концентрацией в слое поликремния 1017 - 2

Номер патента: 1605615

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Вайсман, Валеева, Вердеревский, Головко, Михеева, Сонич, Цимлянский

МПК: E21B 33/138

Метки: зон, изоляции, пласта, промытых, состав

СОСТАВ ДЛЯ ИЗОЛЯЦИИ ПРОМЫТЫХ ЗОН ПЛАСТА, включающий лигносульфонат, водорастворимый бихромат, водорастворимые соли щелочных и щелочноземельных металлов и воду, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности изоляции за счет повышения вязкости состава при одновременном сохранении высоких структурно-реологических свойств защитного экрана во времени, он дополнительно содержит минеральную кислоту при следующем соотношении компонентов, мас.%:Водорастворимый лигносульфонат - 5,0 - 20,0Бихромат - 0,5 - 5,0Водорастворимые соли щелочных и/или щелочноземельных металлов - 9,0 - 24,0Минеральная кислота - 0,005 - 0,5Вода - Остальное

Номер патента: 1471901

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Добровичан, Коновалов, Опалев, Шер

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...