Носитель информации для магнитного накопителя и способ его изготовления

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК а 4 С 11 С 11 ВИДЕТЕЛЬС"7 ДВТОРСНО 3, ч 22 в сдоеью легГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ МАГНИТНОГО НАКОПИТЕЛЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ(57) Изобретение относится к областивычислительной техники и может бытьиспользовано для построения магнитных накопителей оперативных запоминающих устройств и управляемых оптических транспарантов. Целью изобретения является снижение энергопотребления и упрощение конструкции магнитного накопителя. Носитель информациисодержит немагнитную подложку 1, вкоторой расположены монодоменныеячейки памяти 2, выполненныемагнитоодноссной пленки, с ос кого намагничивания, перпендикулярнойповерхности пленки, причем ячейки памяти размещены в углублениях подложки, Верхняя грань 3 ячеек памяти расположена в одной плоскости с поверхностью 4 подложки. Способ изготовления носителя информации для магнитного накопителя включает выт.- равливание в подложке 1 углублений, эпитаксиальное выращивание на поверх" ности подложки и в углублениях слоя магнитоодноосной пленки, полировку слоя магнитоодноасной пленки до получения плоской поверхности. Выращивание магнитоодноосного слоя в углублениях подложки приводит к возник- д новению в материале пленки в углублениях напряжений, приводящих в результате магнитострикционного Зфректа к сникании полн анизотропии. Это С . уменьшает пороговое поле переключения ячеек памяти и как следствие. уменьшает энергопотребление магнитно" го накопителя. Плоская поверхность носителя информации упрощает конструкцию накопителя за счет упрощения конструкции его управляющих шин. 2 сапа ф-лы, 1 запа ф-лы, 1 илаИзобретение относится к области вычислительной техники и может .быть. использовано для построения магнит- ных накопителей оперативных запоми 5 нающих устройств и управляемых оптических транспарантов.Целью изобретения является сниже- ние энергопотребления и упрощение конструкции магнитного накопителя. 10Начертеже изображена конструкция носителя информации.Носитель информации содержит не- магнитную подложку 1, в которой расположены монодоменные ячейки 2 памя-. ти, выполненные в слое магнитоодноосной пленки с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки, причем ячейки памяти размещены в углублениях подложки. Верхняя грань 3 ячеек памяти расположена в одной плоскости с поверхностью 4 подложки.Устройство работает следующим образом. 25Вектор намагниченности магнитоодноосной пленки монодоменной ячейки памяти может быть направлен либовверх (к верхней грани ячейки), либо вниз. Воздействуя на ячейку памяти 30 магнитным полем соответствующего направления,можно записать в ячейку памяти бит информации. Это состояние будетчсохраняться до следующего воздеиствия полем. Регистрируя магнитное поле рассеяния ячейки памяти, можно считать из нее записанную информацию.Вследствие того, что зпитаксиальный слой магнитоодноосной пленки ячеек памяти выращен в углублениях подложки, в этом слое существуют напряжения, приводящие в результате магнитострикционного эффекта к снижению магнитного поля анизотропии Н, Пороговое поле переключения Н ячейки памяти можно найти,из выражения Н = НА - 47 Мз, где М - намагниченность материала ячейки. Следовательно, напряжения в пленке уменьшают пороговое поле. В результате для переключения ячейки памяти требуется. меньшее управляющее магнитное поле, т.е, уменьшается энергопотребление магнитного накопителя. Кроме того, вследствие того, что верхняя грань ячеек памяти расположена в одной плоскости55 с поверхностью подложки, упрощаетсялконструкция магнитного накопителя ввиду упрощения конструкции его управляющих токопроводящих шин, а также улучшаются условия для управления переключением ячейки памяти и считывания информации, так как шины могут располагаться непосредственно над боковыми гранями ячейки памяти.Следует отметить, что магнитоодноосная пленка между ячейками памяти может быть полностью удалена, как показано на чертеже, или между ячейками она может быть оставлена в виде более тонкого слоя, чем в ячейках памяти. В последнем случае можно получить более высокий считываемый сигнал вследствие большой локализации поля рассеяния ячейки вблизи ее границы, однако увеличивается взаимное влияние соседних ячеек памяти.Способ изготовления носителя ин-, формации для магнитного носителя зак-, лючается в следующем. В немагнитиой подложке 1, например из гадолиний - галлиевого граната, ортофосфорнои кислоты при 120 С вытравливают углуб" ления для ячеек памяти на глубину 2,5 мкм. Защитной маской может слу.жить пленка окиси кремния толщиной 0,6 мкм, нанесенная на подложку высокочастотным магнетронным распылением. Затем, используя изотермическую жидкофазную эпитаксию, на поверхности подложки в углублениях выращивают слой магнитоодноосной пленки, например, состава (ВУТшСа) (СеРе) 0 толщиной 5 - 7 мкм. После этого проводят полировку эпитаксиального слоя до получения плоской поверхности, Полировка может быть произведена химико-механическим способом суспензией "Элппаз-к", с доводкой водородного показателя до значения 12 - 12,5 аммиаком водным. Измеренное поле анизотропии ячеек памяти с полностью сполироваиным между ячейками памяти слоем магнитоодносной пленки составляет 230- 240 Э.ф о р м у л а и з о б р е т е н и я1. Носитель информации для магнитного накопителя, содержащий немагиитную подложку с расйоложенными на ней монодоменнымн ячейками. памяти, выполненными в слое магнитоодноосной пленки с осью легкого намагничивания перпендикулярной подложки, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью сниЗаказ 37154 Тираж 558 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3145889 жения энергопотребления магнитного накопителя, ячейки памяти размещены в немагнитной подложке в углублениях.2. Носитель информации по 6.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с5 целью упрощения конструкции магнитного накопителя, верхние грани ячеек памяти расположены в одной плоскости с поверхностью подложки. 103. Способ изготовления носителя информации для магнитного накопителя, включающий эпитаксиальное выращивание 14слоя магнитоодноосной пленки на не- магнитной подложке, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью. снижения энергопотребления и упрощения конструкции магнитного накопителя, перед эпитаксиальным выращиванием в подложке вытравливают углубления, соответствующие монодоменным ячейкам памяти, а после эпитаксиального выращивания проводят полировку слоя магнитоодноосной пленки до получения плоской поверхности.