Магнитная ячейка памяти

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических республик(21) 2 5 6 67 21/1 2) Заввлеио с присоединением заявки йо(23) Приоритет 11/14 Государстаеиный комитет СССР по делам изобретений и открытий(0888) публиковано 0506,79, Бюллетень Й 9 ата опубликования описания 08067) Заявитель ИТНАЯ ЯЧЕЙКА ПИЛЯТ 54) сти ник ост иэсо- сти 10 енайуп- титн ой сжностьсчитыва тения являетс применения и чейки памяти еразрушающего рас- вестутемсчнтыва тсяй маг- проводрс ЦМДпрсчиты ь достигаередложеннои токовыемещены с р рассея30 в любо эн Изобретение относится к облаавтоматики и вычислительной техи может быть использовано при ироении запоминающих устройств (Эс произвольной выборкой,По основному авт.св. 520620вестна магнитная ячейка памяти,держащая как и предложенная плану из магнитоодноосного материалс цилиндрическими магнитными домми (ЦМД), на поверхности которорасположены токовые проводникиравления и Г-образная ферромагниная аппликация, причем токовые пводники управления расположены ппендикулярно сторонам Г-образнойаппликации.Недостатком известной магнячейки памяти является невоэмосуществления нераэрушающегония информации,Целью изобре яширение области зной магнитной я иосуществления нния информации.Поставленная целпутем того, что в инитной ячейке памятники управления раэ а упский, П.И.Набокин и Т,Г,Шмелева сторон Г-образ:ой ферромагнитноИ аппликации и выполнены с вырезами, расположенными у одного иэ концов Г- образной ферромагнитной аппликации,На фиг.1 схематично изображена предложенная магнитная ячейка памя ти на фиг.2 - временная последовательность импульсов тока в проводниках при записи 1, считывании и стирании 1Ячейка памяти содержит пластину 1 из магнитноодноосного материала с ЦИД 2, на поверхности которой расположены Г-образная,ферромагнитная аппликация 3 и токовые проводники управления 4 и 5, размещенные с разных сторон Г-образной аппликации и имеющие вырезы, расположенные у одного из концов этой аппликации.Элементы магнитной яч .йки памяти должны быть расположены в следующем порядке в направлении, перпендикуля ном плоскости чертежа: пластинапроводник 5, аппликацияоводник 4. В этом случае приванин токи в шинах намагничивают аппликации так, что их поляния не смещают ЦХД, стоящием положении (0 или 1666582 20 формула изобретения см уписьГчитыдоние стирание г4 иг.е Составитель Ю.Розентальдактор Л,утехина Техред С, Мигай Корректор Т .Скворцова Тираж 680 арственного комитет зобретений и открыт 8-35, Раушская наб аэ 3199/41 ЦнИИПИ Гос по делам 113035, Ыаскв/5 лиал ППП Патент, г.ужгород, ул,Проектная,как в опрашиваемой ячейке, так и во всех других ячейках под шинами 4 и 5.Ячейка памяти работает, следующим образом.В информационном состоянии 11 или 0) ЦМД 2 растягивается магйитным полем двух токов в шинах в полосовой домен б, часть которого находится поц аппликацией, а часть - в окне, образуемом вырезами в проводниках 4 и 5. Тогда после оптической индикации состояния ячейки и выключения токов полосовой домен . превращается в исходный в силу сохранения магнитостатической связи с аппликацией 3. Величины токов должны быть выбраны такими, чтобы только их сумма растягивала ЦМД 2 в поло- совой домен б.На Фиг.2 показана временная последовательность импульсов тока 3 ц Л4 в шинах при записи ф 1, считыва нии и стирании 111 ф. Смещение ЦМД из положения 011 в ф 1 ф и обратно происходит под действием магнит- . ных полей рассеяния аппликации, намагничиваемой полем токовых проводников, а растягивание ЦМД - под действием поля самих проводников. Повторные импульсы обратной полярности при записи и стирании 1 служат для, возврата ЦМД в невыбранных ячейках в исходные положения.Аналогичная структура ячейки памяти может быть предложена для индикации нулевого состояния ячейки,а не единичного, как описано выше.1В этом случае окно образуют околонижнего конца аппликации, соответствующего информационному О(фиг,1), а шины 4 и 5 в направлении,перпендикулярном плоскости чертежа,меняют местами.Предложенная магнитная ячейкапамяти с токовыми проводниками,служащими маской, и неразрушающим 0 считыванием позволяет уменьшитьчисло слоев при изготовлении накопителя методами интегральной технологии и, следовательно, увеличить процент выхода годных изделий упростить 15 и сократить по объему электроннуючасть ЗУ. При этом повышается надежность работы ЗУ и его быстродействие. Магнитная ячейка памяти по авт. св . Р 520620, о т л и ч а ю щ а яс я тем,. что, с целью расширения области применения путем осуществления неразрушающего считывания инФормации, токовые проводники управле" ния размещены с разных сторон Г-образнбй ферромагнитной аппликации и выполнены с вырезами, расположен,ными у одного из концов Р-образной ферромагнитной аппликации.