Номер патента: 1397870

Автор: Иванов

ZIP архив

Текст

(54 С 05 В ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Авторское свидетельство СССРВ 617772, кл. С 05 В 1/01, 1983.Авторское свидетельство СССРУ 1239681, кл. С 05 В 1/01, 1983. 1(57) Изобретение относится к импульс - ной технике и может быть использовано в устройствах автоматики, вынислительной технике, радиолокации и связи. Изобретение обеспечивает повышение помехозащищенности компаратора, что достигается введением первого 6 и второго 7 диодов. Устройствотакже содержит первую 1 и вторую 2входные клеммы, блок 1 сравнения,блокинг-генератор 4, усилитель 5, источник 8 напряжения питания, диоды9 и 10 блока сравнения, обмотки 11,12 и 14, 15 трансформатора 13, диод16 блокинг-генератора 4, конденсаторы 17 и 22, резисторы 18-21, транзисторы 23 и 24, резистор 25 и транзистор 26 усилителя 5. Диод 16 улучшает срезы выходных импульсов и защищает от пробоя транзистор 24 .1 з,п. ф-лы, 1 ил,Изобретение относится к импульсной технике.Целью изобретения является повышение помехоэащищенности.На чертеже представлена функцио 5 нальная схема частотного компаратора,Частотный компаратор содержит первую 1 и вторую 2 входные клеммы, блок 3 сравнения, блокинг-генератор 4, усилитель 5, первый 6 и второй диоды, источник 8 напряжения питания, первый 9 и второй 10 диоды блока сравнения, первую 11 и вторую 12 обмотки трансформатора 13, третью 14 и четвертую 15 обмотки трансформатора 13, диод 16 блокинг-генератора 4, первый конденсатор 17, первый 18, второй 19, третий 20 и четвертый 21 резисторы, второй конденсатор 22, первый 23 и второй 24 транзисторы, резистор 25 усилителя 5, транзистор 26 усилителя 5.Первая 1 и вторая 2 входные клеммы соединены. соответственно с первым 25 и вторым входами блока 3 сравнения, выход усилителя 5 соединен с входом блокинг-генератора 4, источник 8 напряжения питания соединен с соответствующими клеммами питания блокинггенератора 4, блока 3 сравнения и уси. лителя 5, первый 6 и второй 7 диоды катодами соединены соответственно с первой 1 и второй 2 входными клеммами, аноды первого 6 и второго 7 диодов соединены между собой и с входом усилителя 5, первый вход блокинггенератора 4 соединен через первый резистор 18 с базой первого транзистора 23, эмиттер которого соединен с концом четвертой обмотки 15 трансфор 40 матора 13, начало которой является вторым входом блокинг-генератора 4, третий вход которого соединен с концом третьей обмотки 14 трансформатора 13. начало которой соединено с ка тодом диода 16 блокинг-генератора 4 и первой обкладкой первого конденсатора 17, вторая обкладка которого соединена с коллектором второго транзистора 24, эмиттер которого соеди нен с анодом диода 16 и положительной клеммой источника 8 напряжения питания, отрицательная кламма которого соединена с первыми выводами второго 19, третьего 20 и четверто го 21 резисторов, второй вынод второго резистора 19 соединен с коллектором первого транзистора 23 непосрдственно, а через второй конденсатор 22 - с вторым выводом третьего рсзистора 20 и базой второго транзистора 24, коллектор которого соединен с вторым выводом четвертого резистора 21.Частотный компаратор работает следующим образом.Блокинг-генератор 4 на транзистор 24 вырабатывает выходные импульсы, фронты которых формируются н моменты критических фаз разряда конденсатора 22, т.е. при достижении суммарной передаточной обратной связью )С) некоторого превышения над достигнутым единичным значением, н процессе убывания запирающего базовый переход транзистора 24 напряжения при разряде конденсатора 22. Возрастание передаточной ОС от минимальной величины до единичного значения с последующим возникновением критической фазы прн некотором запирающем напряжении на эмиттерно-базовом переходе транзистора 24 объясняется параболическим законом ноэрастания его коэффициента усиления вследствие прохождения через запирающий потен - циальный барьер основных носителей, обладающих достаточной энергией для его преодоления.Основные носители, преодолевшие пс 1 тенциальный барьер эмиттерно-ба - зс 1 ного перехода, вызывают флюктуацнонные токи в коллекторной цепи транзистора 24, проходящие через конденсатор 17 и обмотку 14, наводя в ней флюктуационные ЭДС. Флюктуационные ЭДС, трансформируемые в обмотке 15, модулируют эмиттерный ток транзистора 23, вызывая на коллекторной нагрузке транзистора 23 передаточные. напряжения, которые прикладываются через конденсатор 22 к базе транзистора 24. При критической фазе разряда конденсатора 22 происходит лавинное нарастание коллекторного и базового тока в транзисторе 24, конденсатор 22 заряжается, запирая транзистор 24.Входная разность электрических потенциалов вызывает ток через эмиттерно-базовый переход транзистора 26, который в зависимости от знака разности будет проходить либо через обмотку 11 и диоды 9 и 6, либо через обмотку 12 и диоды 7 и 10, нследствие чего змиттерный ток транзистора7870 формула изобретения 1, Частотный компаратор, содержащий первую и вторую входные клеммы, соединенные соответственно с первым и вторым входами блока сравнения, блокинг-генератор, усилитель, выход которого соединен с входом блокинггенератора, источник напряжения питания соединенный с соответствующимиклеммами питания блокинг-генератора,блока сравнения и усилителя, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения помехозащищенности,в него введены первый и второй дио -ды, соединенные катодами соответстСоставитель Е,СоловьевТехрел Л.Сердюкова Корректор Г, Решетник Редактор С,Пекарь Тираж 866 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Заказ 2267/45 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 3 13926 будет модулирован разностью ЭДСобратной ОС, наведенных в обмотках11 и 12. Передаточные напряжения,снимаемые с коллекторной нагрузки(резистора) 25, усиленные коллекторным током транзистора 26, поступятчерез резистор 18 на базу транзистора 23. С коллекторной нагрузки 25усиленное коллекторным током транзистора 23 и претерпевшее дезъюнктивное сложение с усиленным напряжениемот воздействия передаточных ЭДС вобмотке 15 модулированное суммарноепередаточное напряжение поступит через конденсатор 22 на базу транзистора 24, изменяя в зависимости от входной разности электрических потенциалов на клеммах 1 и 2 выходную частоту устройства. Диод 16 улучшает срезы выходных импульсов и защищаеттранзистор 24 от пробоя,венно с первой и второй входнымиклеммами, аноды первого и второгодиодов соединены между собой и с входом усилителя,5 2. Компаратор по п. 1, о т л ич а ю щ и й с я тем, что блокинг-генератор содержит трансформатор, ди од, первый и второй конденсаторы,первый, второй, третий и четвертыйрезисторы, первый и второй транзисторы, первый вход блокинг-генераторасоединен через первый резистор с 15 базой первого транзистора, эмиттеркоторого соединен с концом четвертойобмотки трансформатора, начало которой является вторым входом блокинггенератора, третий вход которого 2 О соединен с концом третьей обмоткитрансформатора, начало которой соединено с катодом диода блокинг-генератора и первой обкладкой первогоконденсатора, вторая обкладка кото рого соединена с коллектором второготранзистора, эмиттер которого соединен с анодом диода, блокинг-генератора и положительной клеммой источника напряжения питания, отрицательная клемма которого соединена с первыми выводами второго, третьего ичетвертого резисторов, второй выводвторого резистора соединен с коллектором первого транзистора непосредственно, а через второй конденсаторс вторым выводом третьего резистора и базой второго транзистора, коллектор которого соединен с вторым вь 1 водом четвертого резистора.

Смотреть

Заявка

3966278, 10.10.1985

Б. Б. Иванов

ИВАНОВ БОРИС БОРИСОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G05B 1/01

Метки: компаратор, частотный

Опубликовано: 23.05.1988

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1397870-chastotnyjj-komparator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Частотный компаратор</a>

Похожие патенты