ZIP архив

Текст

ОЮЗ СОВЕТСНИХ ОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН ЯО( : с ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ т,1 еу л,сс,47тут электронной таросельскии,вченко СаАя 256-Ъ 1 ги. 1.еСегя,акопЕясппа Регйошап 29, Р 7,1 ЕЕ ситс микрользоваыть 8,ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(57) Изобретение отэлектронике и может но в интегральных схемах запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение быстродействия элемента памяти. Поставленная цельдостигается за счет введения узласмещения 4, подключенного к шинам 5,6 и блокам 2, 3 выборки информации.Шина 5 одновременно является шинойпитания триггера, что позволяет неподключать выводы элемента памяти кдвум различным шинам выборки и питания. В результате разрядные шины 7,8 пересекаются с меньшим количествомстрочных шин. Емкости разрядных шинуменьшаются, и,следовательно, уменьшается время их перезаряда в режимевыборки. 2 ил.1 136ЪИзобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в интегральных схемах запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение быстродействия элемента памяти.На фиг. 1 приведена структурная схема элемента памяти, на фиг. 2 электрическая схема элемента памяти.Элемент памяти содержит триггерблоки 2 и 3 выборки информации, узел 4 смещения, шину 5 выборки, шину 6 нулевого потенциала, две разрядные шины 7 и 8. Триггер 1 выполнен на транзисторах 9-12, узел 4 смещения состоит из транзистора 13 и диода 14.Транзисторы 9 и 10 триггера 1 являются нормально открытыми, а транзисторы 11 и 12 - нормально закрытыми, транзисторы блоков 2 и 3 выбор- ки - нормально закрытыми, транзистор 13 узла 4 смещений - нормально открытым.Шина 5 выборки элемента памяти одновременно является шиной питания для триггера 1, что позволяет не подключать выводы элемента памяти к двум различным шинам выборки и питания. В результате разрядные шины 7 и 8 пересекаются с меньшим количеством строчных шин. Емкости разрядных шип уменьшаются, и, следовательно, уменьшается время их перезаряда в режиме выборки.Элемент памяти работает следующим образом.В режиме хранения на шине 6 поддерживается нулевой потенциал, на " шине 5 - потенциал БрЦ - ц+, где Б - напряжение отпирания барьерного перехода П - пороговое напряжение нормально закрытых транзисто 1626ров, Узел 4 смещения выдает потенциал, сдвинутый на величину П;кр Ч Ь5При этом транзисторы блоков 2 и 3выборки оказываются запертыми,В режиме выборки потенциал на шине 5 повышается до величины101 вы 0 2 Ц 0 фа на выходе узла 4 - до величины15 При этом транзисторы блоков 2 и 3 отпираются и подключают выходы триггера 1 к разрядным шинам 7 и 8 соответственно, с которых производится считывание информации. При записи20 на шины 7 и 8 подается записываемая информация.Формула и э о б р е т е н и я25 Элемент памятй, содержащий триггер, вход питания которого подключен к шине выборки элемента памяти, а вход нулевого потенциала - к шине нулевоГо потенциала элемента памяти, 30 два блока выборки, информационные.входы которых соединены с прямым и инверсным выходами триггера соответственно, выходы блоков выборки подключены к прямой и инверсной разрядным шинам элемента памяти соответственно, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия, элемент памяти содержитузел смещения, первый и второй входы 40 которого подключены к шине выборки ишине нулевого потенциала элемента памяти соответственно, а выход соединен с входами разрешения выборки .первого и второго блоков выборки./ 2 Тираж 588ВНИИПИ Государственного копо делам изобретений и о 13035, Москва, Ж, Раушская Зака Проектная, 4 дприятие, г. Ужгород Производственно-полиграфическ Подписноитета СССРкрытийнаб.,д. 4/5

Смотреть

Заявка

4005485, 07.01.1986

МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

БРАТОВ ВЛАДИМИР АЛИЕВИЧ, СТАРОСЕЛЬСКИЙ ВИКТОР ИГОРЕВИЧ, СУЭТИНОВ ВЯЧЕСЛАВ ИГОРЕВИЧ, КРАВЧЕНКО ЛЕВ НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

Опубликовано: 23.12.1987

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1361626-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>

Похожие патенты