Генератор пилообразного напряжения

.Бюл.дскийитут и лектротехВ.И.Ульянова в, М В.Канитонов, .Ясюкевич ) и Н.И (088.8 е свид ельство СССР4/50, 04,05.84,(54) ГЕНЕРАТОР ПИЛЖЕНИЯ ОБРАЗНОГО НАПРЯОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ВТОРСКОМУ СВИ(61) 1238214 (21) 3764432 (22) 28.06.8 (46) 23.08.8 (71) Ленингр нический инс (Ленина) (72) А.Б.Иса Е.И.Старченк (53) 624.373 (56) Авторск1238214, к(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники. Генератор содержит дифференциальный усилитель 1 натранзисторах 2 и 3, источник 4 тока,эмиттерный повторитель 5, ключевойтранзистор 2, транзистор 9, резисторыи конденсатор. Транзисторы 2 и 3выполнены многоколлекторными, В результате исключения влияния технологических факторов и питающего напряжения получают более стабильнуюамплитуду и частоту выходного напряжения. 1 ил.Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано, например, в устройствах автоматики, вычислительной техники, и является усовершенствованием изобретения по авт.св.У 1238214,Целью изобретения является повышение стабильности амплитуды и частоты выходного напряжения. 10На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства. Устройство содержит дифференциальный усилитель 1, состоящий иэ пер бвого 2 и второго 3 транзисторов,эмиттеры ко 1 орых подключены к выходуисточника 4 тока дифференциальногоусилителя 1, коллектор первого ипервый коллектор второго транзисторов через повторитель 5 тока соединены с общей шиной, причем база первого транзистора дифференциальногоусилителя соединена через первыйрезистор 6 с общей шиной устройства, эмиттер ключевого транзистора 7соединен с общей шиной устройства,коллектор - с потенциальной обкладкой конденсатора 8 и базой второготранзистора 3 дифференциального уси- ЗОлителя 1, второй транзистор 3 выполгген многоколлекторным, второй егоколлектор соединен с потенциальнойобкладкой конденсатора 8, третийколлектор - с базой первого транзис 35тора дифференциального усилителя 1,третий транзистор 9 и второй резистор 10, причем первый транзистор 2выполнен многоколлекторным, второйколлектор которого соединен с его 40базой, база третьего транзистора 9соединена с первым коллектором второго транзистора 3, коллектор - с входом источника 4 тока дифференциального усилителя 1, а эмиттер через 45второй резистор 10 - с общей шинойустройства.Устройство работает следующимобразом.Пусть в начальный момент времениконденсатор 8 разряжен, поэтому вбазовой цепи транзистора 3 появляется ток, транзистор 3 начинает открываться и ток его второго коллектора вызывает заряд конденсатора 8, аток его первого коллектора вызываетприращение напряжения на резисторе 6,вто в свою очередь, приводит к запиранию транзисторов 2 и 7. Напряжение на потенциальной обкладке формирующего конденсатора нарастает по линейному закону. Как только напряжение на конденсаторе превысит напряжение О,появляется базовый ток транзистора 2. В цепи . коллектора транзистора 2 тоже появляется ток, что вызывает уменьшение тока коллектора транзистора 3 и, соответственно, уменьшение падения напряжения на резисторе 6 и еще боль. шее отпирание транзистора 2. Транэис тор 3 полностью закрывается, и весь ток источника 4 тока начинает протекать через транзистор 2. Транзистор 7 открывается и конденсатор начинает разряжаться. Как только напряжение на конденсаторе 8 в процессе разряда станет ниже напряжения О, падение напряжения на резисторе 6 увеличивается, транзисторы 2 и 7 закрываются, открывается транзистор 3 и процесс заряда конденсатора 8 повторяется.Амплитуда и частота предлагаемого генератора более стабильны, чем известного. Амплитуда и частота выходного напряжения зависят от стабильности источника 4 тока и пороговых напряжений, формирующихся на резисторе 6. Ток источника тока схемы известного генератора в период заряда и разряда конденсатора 8 одинаков и определяется выражениемЕ-Уээ (1)огде Ч., - напряжение между базой и эмиттером транзисторов источника 4; В - значение сопротивления резистора источника тока. Верхний уровень пилообразного напряжения(2)о 4 6 фгде К,г - коэффициент, показывающий отношение площадей коллекторных слоев транзисторов источника тока; О коэффициент, показывающий, какая часть тока протекает через третий коллектор транзистора 3. Нижний пороговый уровеньЧ = 1,э К 86/6 (3) где Ь , - коэффициент передачи по току транзистора 2 в схеме с общим эмиттером. Иэ выражений (1) - (3) следует, что ток источника 4 тока и пороговые напряжения зависят от(6) Ч о 6 Составитель А,ГорбачевРедактор Н.Лазаренко Техред Л.Сердюкова Корректор Е,Рошко Заказ 3848/55 Тираж 901 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул. Проектная, 4 напряжения питания Е от разброса Чи Ь, транзисторов. Причем технологически значения Кд и ш выпол. няются с достаточно высокой точностью и повторимостью.Определим такие же параметры (1 ЧБ,Ч ) для предлагаемого устройства: где ц - температурный потенциал;М " отношение площадей коллекторныхслоев транзисторов повторителя 5тока и введенного транзистора 9;М - отношение площадей коллекторныхслоев второго и первого коллекторовтранзистора 2; 1 О - ток источника 4тока во время заряда С, 1 - токисточника 4 тока во время разрядаС, Так как в большинстве случаевС ) 1, то вторым слагаемым в выражении 4 можно пренебречь и ток источника 4 тока независит от Е, иЧ, . Нижний пороговый уровень вью5ходного напряжения Ч не зависит отразброса параметра Ь, .Таким образом, за счет исключениявлияния технологических факторов ипитающего напряжения в предлагаемом 10 устройстве удается получить болеестабильную амплитуду и частоту выходного пилообразного напряжения,формула изобретения Генератор пилообразного напряжения, по авт,св.У 1238214, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения стабильности амплитуды и 20 частоты выходного напряжения, в неговведены третий транзистор, второй резистор, причем первый транзистор выполнен многоколлекторным, второй коллектор которого соединен с его базой, а база третьего транзистора соединена с первым коллектором второго транзистора, коллектор - с входом источника тока дифференциального усилителя; а эмиттер через второй резис тор - с общей шиной устройства.