Номер патента: 1320888

Авторы: Мошкунов, Шутов

ZIP архив

Текст

(5 03 К 17 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А. Шуто ьсные полэлектроя, 1965,мощностиереключ4, с. 9 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПОДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ ИОТНРЫТИЙ(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использова-.но при построении наносекундных генераторов импульсов. Устройство содержит транзисторы 1.1-1 Л с резисторами 2,1-2 Л в цепях коллекторов и 3.1 ЗЛ в цепях эмиттеров, конденсаторы4.1-4 Л, диоды 5,1-5 Л, выходную шину 6, входную шину 7 общую шину 8,генератор 9 управляющих импульсов,внутреннее сопротивление 10 генератора 9, источник 11 питания и нагрузку12, Изобретение обеспечивает повышение быстродействия транзисторногоключа, выполненного по предложеннойсхеме путем уменьшения времени переключения транзисторов. 2 ил.1 13Изобретение относится к иьп 1 ульсиой технике и может быть использовано при построении наносекундных генераторов импульсов.Цель изобретения - повышение быстродействия за счет уменьшения времени переключения транзисторов .На фиг. 1 представлена схема транзисторного ключа; иа фиг. 2 - диа- .,граммы токов, протекающих через одиниз транзисторов транзисторного ключа.Транзисторный ключ содержит Бтранзисторов 1-11-Б, Б коллекториых резисторов 2-.12-И, Б эмиттерных резисторов 3-13-Б, Б конденсаторов 4-14-И и Б диодов 5-15-И,причем коллектор каждого транзистора1-11-И через соответствующий коллекторный резистор 2-12-Б подключен к выходной шине 6, а эмиттеркаждого транзистора 1-11-И соедиНен с первым выводом соответствующего эмиттерного резистора 3-1.З-И,каждый конденсатор 4-14-Б включенпараллельно. соответствующему эмиттерному резистору 3-13-И, второй вывод первого эмиттерного резистора 31 соединен с входной шиной 7 и черезпервый диод 5-1 с общей шиной 8, которая подключена к базе последнего1-Б, база каждого предыдущего транзистора 1-11-(Б) соединена свторым выводом соответствующего эмиттерного резистора 3-23-Б и черезсоответствующий диод 5-25-Б подключена к общей шине 8.На фиг. 1 также изображены генеРатор 9 управляющих импульсов, внутреннее сопротивление 10 генератора9 управляющих импульсов, источник 11питания и .нагрузка 12.Транзисторный ключ работает следующим образом,В момент времени С (фиг. 2) импульс генератора. 9, имеющий отпирающую полярность, вызывает в течениевремени С (фиг. 2) протекание управляющего тока между управляющейшиной 7 и общей шиной 8 по цепи последовательно соединенных конденсаторов 4-14-Б и база-эмиттерныхпереходов транзисторов 1-11-Б,При этом диоды 5-.15-И закрыты,ток в коллекторах транзисторов 1-11-Б отсутствует, а конденсаторызаряжаются до напряжения Уэ. Максимальная длительность С (фиг. 2)импульса 1 генератора 9 ограничи 20888 2вается временем диффузии 7 неоснов 1ных носителей к коллекторцому переходу транзисторов 1-11-Б, В базах транзисторов 1-11-Б к моментувремени С, накапливается заряд неосновных носителей Я,о - 1, С. Вмомент С, начинает протекать ток через коллекторные переходы транзисторов 1-11-Б, а в нагрузке 12 фор мируется выходной импульс. При этомколлекториые токи транзисторов1-11-И замыкаются на общую шину8 через базовые выводы и соответствующие открытые диоды 5-25-И.15 Эмиттерные переходы транзисторов1-11-И заперты напряжением заряженных конденсаторов 4-14-И 11 э эааВ период времени от С до Сэ (фиг,.2)коллекторные переходы транзисторов 20 1-11-И открыты. По мере рассасывания избыточного заряда неосновныхносителей коллекторные переходы вмомент времени С з смещаются в обратном направлении и к моменту С транзисторы 1-11-И запираются. Конденсаторы 4-14-Б разряжаются через резисторы 3-13-И, и транзисторный ключ возвращается в исходноесостояние.Быстродействие данного транзисторного ключа вьппе, чем у известныхтранзисторных ключей, за счет уменьшения переключения транзисторов.35Формула из обретенияТранзисторный ключ, содержащийБ транзисторов, И коллекторных резисторов, Б эмиттерных резисторов,входную и общую шины, коллектор каж 4 О дого транзистора через соответствующий коллекторный резистор подключенк выходной шине, а эмиттер каждоготранзистора соединен с первым выводом соответствующего эмиттерного ре 45 зистора, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повьппения быстродействия, введены И конденсаторов иБ диодов, причем каждый конденсаторвключен параллельно соответствующемуэмиттерному Резистору второй выводпервого эмиттерного резистора соединен с входной виной и через первыйдиод с общей шиной, которая подключена к базе последнего транзистора, база каждого предыдущего транзисторасоединена с вторым выводом соответствующего эмиттерного резистора и через соответствующий диод подключенак общей шине,краж 901 ИИПИ Государственноделам изобретени Москва, Ж, Р одписноеомитета СССРоткрытийкая наб., д, 4/5

Смотреть

Заявка

4006095, 06.01.1986

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2431

МОШКУНОВ АЛЕКСАНДР ИГОРЕВИЧ, ШУТОВ ВЛАДИМИР АЛЕКСЕЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, транзисторный

Опубликовано: 30.06.1987

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1320888-tranzistornyjj-klyuch.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Транзисторный ключ</a>

Похожие патенты