Формирователь импульсов для блоков памяти

.11) 4 а 11 С 7/00 САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТ(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ ДЛЯ БЛОКОВ ПАМЯТИ(57) Изобретение относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использовано при построении устройств для считывания информации из накопителей ЗУ, а также при организации информационных магистралей в качестве элемента, осуществляющего предварительный заряд паразитных емкостей, переключаемых в режиме считывания. Целью изобретения является снижение потребляемой мощности формирователя импульсов за счет построения схемы, обеспечивающей возможность формирования импульсов подзаряда независимо от логического уровня на перезаряжаемои емкости. Поставленная цель достигается тем, что в формирователь импульсов, содержащий первый и второй, третий, четвертый МДП-транзисторы соответственно р- и п-типов, причем сток первого транзистора соединен с затвором четвертого и стоком третьего транзисторов, затвор третьего и исток четвертого транзисторов объединены, введены пятый, шестой, седьмой и восьмой МДП-транзисторы, соответственно, р- и п-типов, причем истоки первого, пятого, второго, восьмого транзисторов, соответственно объединены, стоки восьмого и пятого транзисторов соединены с истоками соответственно третьего и седьмого трназисторов, сток восьмого транзистора соединен со стоком шестого, затвор которого соединен со стоками второго и седьмого транзисторов, затвор седьмого транзистора соединен с истоками четвертого и шестого транзисторов, стоки четвертого и пятого транзисторов объединены, затворы первого, восьмого, второго, пятого транзисторов соответственно объединены, что приводит к отсутствию в статическом режиме каналов протекания сквозного тока между шиной питания и общей шиной. 2 ил.Изобретение относится к вычислительной технике и электронике и может быть использовано при построении устройств для считывания информации из накопителей запоминающих устройств в качестве элемента, осуществляющего предварительный подзаряд шин данных.Целью изобретения является снижение потребляемой мощности.На фиг. 1 приведена схема формирователя импульсов; на фиг. 2 - кривые пе реходных процессов в элементе.Формирователь импульсов содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 МДП-транзисторы, соответственно,р- и и-типа, а также пятый 5, шестой 6, седьмой 7 и восьмой 8 МДП-транзисторы, соответственно, р- и п-типа, причем первый 1, третий 3, восьмой 8 транзисторы и пятый 5, седьмой 7, второй 2 транзисторы, соответственно, образуют две группы последовательно включенных транзисторов между шиной 9 питания и общей шиной 10. Затворы первого 1 и восьмого 8 транзисторов объединены и образуют прямой управляющий вход 11, объединенные затворы второго 2 и пятого 5 транзисторов образукт инверсный управляющий вход 12. Затворы третьего 3 и седьмого 7 транзисторов, объединенные с потоками четвертого 4 и шестого 6 транзисторов, образуют выход 13 формирователя импульсов. Затворы четвертого 4 и шестого 6 транзисторов соединены со стоками, соответственно, первого 1, третьего 3 и второго 2, седьмого 7 транзисторов, а стоки четвертого 4 и шестого 6 транзисторов соединены, соответственно, с истоком седьмого 7, стоком пятого 5 и истоком третьего 3, стоком восьмого 8 транзисторов.Формирователь импульсов работает в двух режимах: режим восстановления (подготовки) и режим формирования уровня предзаряда.В режиме восстановления (подготовки) на прямом 11 и инверсном 12 управляю щих входах установлен код, соответственно, Ф=О и Ф= 1. При этом открытые первый 1 и второй 2 транзисторы обеспечивают формирование в узлах А и В уровней, соответственно, Е и О. Закрытые пятый 5 и восьмой 8 транзисторы отключают выход 13 от шины 9 питания и общей шины 1 О, обеспечивая тем самым рассивное (третье) состояние выхода 13. Смена управляющего кода 01 на противоположный 1, 0 на входах, соответственно, 11 и 12 переводит схему в режим формирования предзаряда.В зависимости от состояния выхода 13 возможны два варианта переходного процесса:формирование предзаряда из нулевого состояния на выходе 13 - область 1 на фиг. 2; 55формирование предзаряда из единичного состояния на выходе 13 - область 11 на фиг. 2. В первом варианте переходного процесса открывающийся пятый 5 и открытый седьмой 7 транзисторы обеспечивают формирование в узле В логической единицы, закрывающей шестой транзистор 6. Открывающийся пятый 5 и открытый четвертый 4 транзисторы индицирукт процесс повышения напряжения на выходе 13 схемы до уровня, оп редел яемого соотнош ением0 Е - Ц 1+т где Е - напряжение на шине 9 питанияотносительно общий шины 10;т/, т) - пороговое напряжение, коэффициент влияния подложки четвертого 4 транзистора.В случае, если Л(/ (/открывающийся третий о и открытый восьмой 8 транзисторы обеспечивают формирование логического нуля в узле А, закрывающего четвертый транзистор 4. В случае, если ЛУ(У, что имеет место при выполнении условия четвертый транзистор 4 закрывается по подложке и потенциал узла А не изменяется.Таким образом, в результате воздействия управляющих сигналов Ф=1, Ф=О на выходе 13 сформирован импульс предзаряда, амплитуда которого ЛУ находится в пределах0.Ю(Е,причем в схеме отсутствуют сквозные токи, а выход 13 закрыт четвертым 4 ишестым 6 транзисторами. Последующееизменение состояния угравляющих входов 11и 12 на противоположное, соответственно,Ф=О, Ф= 1 обеспечивает сохранение уровнянапряжения Л(/ на выходе 13 за счет сохранения его отключенного состояния посредством запирания восьмого 8 и пятого 5 транзисторов. Воздействие в момент / внешнегоимпульса переводит выход 13 в состояниелогической единицы (фиг. 2, часть 1),либо в состояние логического нуля.Исходя из симметричности схемы характер переходного процесса при формированииуровня предзаряда единичного состояния(фиг. 2, часть 11) аналогичен рассмотренному, при этом уровень на выходе 13 определяется выражением(,уЕ - И Е а+ Ьр +1 Ргде К т)р - пороговое напряжение. коэффициент влияния подложкишестого транзистора 6.Воздействие внешнего импульса в момент1 о переводит выход 13 в нулевое (фиг. 2часть 11) состояние, либо в единичное.Таким образом, формирователь импульсов обеспечивает в течение активной фазы1278973 Формула изобретения фиг. и ар фиг. г тель В. ГордоноваИ. Верее Корректор43 Подписноего комитета СССРй и открытийаушская наб., д. 4/5город, ул, Проектная Состави Техред Тираж 5 дарственно изобретен Ж - 35, Р нт, г. Уж Редак Заказ ор В. Данко 778/53 ВНИИПИ Гос по делам 113035, Москва филиал ППП ПатРешетн выходной емкости до уровня, промежуточного между логическим нулем и единицей. Во время пассивной фазы (Ф=О, Ф=1) формирователь находится в третьем состоянии по своему выходу и не оказывает влияния на процесс формирования полных логических уровней внешними источниками. Формирователь импульсов для блоков памяти, содержащий первый и второй, третий, четвертый МДП-транзисторы соответственно р- и п-типов, причем сток первого транзистора соединен с затвором четвертого и стоком третьего транзисторов, а затвор третьего и исток четвертого транзисторов объединены, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности, он содержит пятый, шестой, седьмой и восьмой МДП- транзисторы соответственно р- и п-типов, причем истоки первого, пятого и второго, восьмого транзисторов соответственно объединены, стоки восьмого и пятого транзисторов соединены с источниками соответственно третьего и седьмого транзисторов, сток восьмого транзистора соединен со стоком шес того, затвор которого соединен со стоками второго и седьмого транзисторов, затвор седьмого транзистора соединен с истоками четвертого и шестого транзисторов, стоки четвертого и пятого транзисторов объединены, затворы первого, восьмого и второго, пятого транзисторов соответственно объединены.