Датчик свч мощности
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1170370
Авторы: Бондаренко, Дмитриев, Мерзляков
Текст
(51) 4 КОМИТЕТ СССТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ МЬ:в К АВТОРСКОМУ ДЕТЕЛЬСТ(21) ,(22) Д ДВк 7 рсГ где Гаданная максимальная о осиетельная п шность измер ния;соответственно теплопров ность, плотность и тепло кость пироэлектрического талла;максимальная о н скорость измен е измеряемой СВЧ к,р,с одем-крисая ний ф т - . тноситель ения знач -мощности то, сности и ектричес 3694928/24-0927.01.84(71) Горьковский ордена Трудового Красного Знамени политехнический , институт им. А.А.Жданова . (53) 621. 317. 783(088. 8)(56) Авторское свидетельство СССР У 294797, кл. 6 01 К 21/12, 1969.Авторское свидетельство СССР В 218250, кл. С 01 К 21/12, 1966. (54)(57) ДАТЧИК СВЧ-МОЩНОСТИ, содержащий пироэлектрический кристалл с нанесенными на него металлическим и первым резистивным слоя л и ч а ю щ и й с я тем, целью повышения чувствител быстродействия, на пнроэл кий кристалл нанесен второй реэистивный слой, при этом первый резистивный,металлический й .второй резистив"ный слои последовательно расположены на одной из поверхностей пироэлектрического кристалла в виде параллельных полосок, расстояние 3между которыми определяется по форму-;леИзобретение относится к устройствам для измерения электрических и магнитных величин и может использоваться для измерения мощности в системах автоматизированного измерения СВЧ параметров.Пель изобретения - повышение чувст витеяьности и быстродействия.На фиг. 1 схематично представлена конструкция датчика СВЧ-мощности; на 10 фиг. 2 - вид по срелке А на фиг. 1.Датчик СВЧ моЩности содержит пироэлектрический кристалла 1, вектор спонтанной поляризации Р которого ориентирован параллельно поверхнос ти кристалла, первый и второй резистивные слои 2 и 3, нанесенные на пироэлектрический кристалл 1 и расположенные в одной плоскости, причем первый и второй резистивные слои 2 20 и 3 соединены с одного конца пленочным короткозамыкателем 4, между первым и вторым резистивными слоями 2 и 3 расположен металлический слой 5, причем расстояние д от его краев до 25 первого и второго резистивных слоев 2 и 3 определяется по формуле:28 К3 сегде 3 - заданная максимальная отно- З 0сительная погрешность измерения;К о С - соответственно теплопровод-) О)ность, плотность и теплоемкость пироэлектрическогокристалла 1;Ч - максимальная относительнаяскорость измерения измеряемой СВЧ-мощности.Входные импедансы первого и вто рого резистивных слоев 2 и 3 согласованы с волновыми сопротивлениямиподводящих полосковых линий 6 и 7 совответственно в рабочем диапазоне частот. Согласование достигается выбором оптимальных размеров первого ивторого резистивных слоев 2 и 3 ивеличин их удельных сопротивлений, атакже применением в качестве согласующих четырехполюсников гладкихили ступенчатых неоднородных линий.Металлический слой 5 соединен с контактной площадкой 8.Измерение с помощью датчика СВЧмощности производится следующим образом,На резистивный слой 2 пироэлектрического кристалла 1 поступает измеряемая СВЧ-мощность Р . На второмрезистивном слое 3 датчика СВЧ-мощности рассеивается опорная мощность.Р, поступающая от генератора опорного тока, Если мощности Р и Ро равны, суммарный заряд Ч на металлическом слое 5 равен нулю. Если Р ФР,то Ч Ф 0 и на выходе датчика СВЧймощности появляется напряжение. Поскольку мощности Рн и Р промодули"рованы во времени, выходное напряжение датчика является переменным,причем для изображенного на чертеженаправления вектора спонтанной поляризации Р, оно является синфазным, сигналу на выходе генератора опорного тока, если РР, и противофазным.ему, если РсРд . При измерении с помощью датчика СВЧ-мощности необходи.мб соответственно либо увеличивать,либо уменьшать выходную мощностьгенератора опорного тока до тех пор,. пока мощность Ро не станет равнойР,. По значению Р, определяешься Р .Реда Патент", г.ужгород, ул.Проектна Филиал аказ 4700/42 Тир ВНИИПИ Государсфг ло делам изоб 113035, Москва, Жаж 748 Подписноенного комитета СССРетений и открытийРаушская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
3694928, 27.01.1984
ГОРЬКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. А. ЖДАНОВА
ДМИТРИЕВ ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ, МЕРЗЛЯКОВ ИГОРЬ НИКОЛАЕВИЧ, БОНДАРЕНКО ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 21/12
Опубликовано: 30.07.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1170370-datchik-svch-moshhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик свч мощности</a>
Предыдущий патент: Пондеромоторный измеритель энергии одиночного импульса свч мощности
Следующий патент: Спектроанализатор кардиосигналов
Случайный патент: Приспособление для торможения уточной нити в челноках