Постоянное запоминающее устройство

(19) 01),00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ,КОМИТЕТ. СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИ ли- тия е рг на ень а нфороп АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Киевский ордена Ленина потехнический институт им, 50-леВеликой Октябрьской социалистичкой революции(56) Патент США Яф 3588830,кл. 340/172, опублик. 1971.Патент С 111 А В 3665426,кл. 340/173, опублик. 1972.(54)(57) ПОСТОЯННОЕ ЗАПОИИНА)0 ЩУСТРОЙСТВО, содержашее первыйпитель, выходы которого соединсо входами первой группы коммутра, выходы. которого являются имационными выходами устройства,входы первой и второй групп нактела являются адресными входами первой и второй групп устройства, второй, третий ичетвертый накопители, входы которьк объединены, выходы второго накопителя соединены со входами второй группы коммутатора, выходы третьего накопителя соединены со входами первой группы блока сравнения, входы второй группы которого соединены со входамн первой группы первого накопителя, о.т.л и ч а ю щ е е с я тем, что с целью повышения чнформационной емкости запоминающего устройФства, оно содержит дешифратор, выходы которого соединены со входами третьей группы коммутатора, а входд первой и второй групп - с выходами соответственно блока сравнения и. четвертого накопителя, входы второго, третьего и четвертого накопителей соединены со входами второй группы первого накопителя.1 Изобретение относится к запоминающим устройствам, в частности к электрически программируемым постоянным запоминающим устройствам, и может быть использовано в автоматике и вычислительной технике.Целью изобретения является повышение информационной емкости запоминающего устройства.На чертеже представлена структур ная схема предлагаемого устройства,Устройство содержит первый накопитель 1, имеющий входы первой группы 2 (входы старших разрядов адреса) и входы второй группы 3 (входы 1 младших разрядов адреса), второй накопитель 4, третий накопитель 5, четвертый накопитель 6, блок сравнения 7, ко входам. первой группы которого подключены выходы третьего накопителя 5, а ко вхопам Второй группы - входы первой группы 2 первого накопителя 1, дешифратор 8, входы первой группы которого соединены с.выходами блока сравнения 7, а входы второй группы - с выходами четвертого накопителя 6, и коммутатор 9, к входам первой группы которого подключены выходы первого накопителя 1, к входам второй группы - выходы вторОГО накопителя 4 и ко входам третьей группы - выходы дешифратора 8. Выходы 10 коммутатора 9 являются информационными выходами устройства, КО входам второго третьего 5 и четвертого 6 накопителей подключены входы первой группы 2 первого накопителяПервый накопитель 1 состоит из И-разрядных ячеек и условно разсбит иа - равных блоков, содержа 5щих по .3 ячеек. Каждое слово условно разбивается на в " г -разрядныхслогов. Обращение к первому накопителю 1 производится таким образом, что старшие разряды адреса, поступающие на входы первой группы 2 нако:ителя 1, указывают номер блока, а младшие разряды адреса, поступающие на входы второй группы 2 - номер ячейки в блоке, Для старших) разрядов адреса отводится а =1 в -г эразрядов адреса, а для млад- ших 1= огразрядов. Второй накопитель 4 состоит из 5-разрядных ячеек, третий накопитель 5 - иэ 5 Ф-разрядных ячеек, четвертый 6 накоиэо -" - -разрядных ячеек.Слог длинойразрядов называется дефектным, если он содержит, хотя бы один Отказавший разряд, Лефектные слоги слОВ первого накопителя 1 под меняются истинньгми слогами, хранимыми во втором накопителе 4, а третий 5 и Четвертый 6 накопители хранят информацию необходимую для Определе 1 фния места подмены. Для этогс в третий накопитель 5 по адресу, Образованному иэ младших разрядов адреса ячейки первого накопителя 1, записывают старшие разряды адреса ячейки, в которой необходимо осуществить подмену, а в четвертый 6 накопитель аналогичным образом записывают номер подменяемого слога в слове. Другими словами, в третьем накопителе 5 хранятся коды номеров блоков, в четвертом 6 накопителе - номера слогов (каждое слово состоит иэ слогов с номерами От О до ( в , - 1)-го, содержащих дефекты.Обращение ко всем четырем накопителям произгзодитсл Одновременно. При чтении информации иэ дефектной ячейки первого накопителя 1 номср слога, считанный из четвертого 6 накопителя дешифрируется дешифратором 8 и если старшие разряды адреса ячейки первого накопителя совпадают с кодом, считанным иэ третьего накопителя 5 (это Определяется блоком сравнения 7), то с помощью коммутатора 9 Осуществляется подмена дефектного слога ячейки первого накопителя 1 кодом, считанным иэ второго накопителя 4, Таким Образом, в устройстве возможна подмена дефектных слогов первого накопителя 1, причем слово, хранимое в накопителе 1, может содержать не более Одного дефектного слога, Кроме того, первый накопитепь 1 не допжен содержать и более одноименных слов (слов, принадлежащих различным бпокам, у которых младшие разряды адреса совпадают), содержащих отказы, Если В считанных иэ накопителя 1 словах необходимо подменить более Одного слога, то зто легко осуществить путем увеличения разрядности накопителей 4 и 6 (накопитель 5 при этом остается беэ изменений). При подменеслогов в считанном слове во втором 4 нако-.3 11 пителе необходимо хранить чч -раз- рядные коды, а в четвертом б накопителе - ч 1 о - -разрядные. Кроме2 гтого, необходимо иметь либо ч дешифраторов 8, либо считанные из накопителя 6 слова разбивать на Составитель Г.БородинТехредЛ,Мартяшова Корректор И.Эрдейи Редактор С,Тимохина Заказ 3597/51 Тираж 584 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 ч 6 о - -разрядные группы и дешифрировать их последовательно,Если накопитель 1 построен наполупроводниковых микросхемах, топодмену удобно осуществлять слогами, длина которых равна длине ячейки микросхем, а накопитель 1 разбивать йа блоки так, чтобы количест во слов, входящих в блок, равнялоськоличеству ячеек микросхемы. Тогданакопитель 1 не должен содержатьдве и более микросхем, имеющихдефекты в одноименных ячейках, Подбор микросхем, удовлетворяющихпоследнему условию, легко осуществить с прИвлечением ЭВИ.В качестве накопителей 4-6 можноиспользовать такие же элементы памяти, как и в первом накопителе 1,т.е, содержащие дефекты. Но если. какая-то ячейка одного из накопителей 4-6 содержит дефект, то одно- .именные ячейки двух других накопителей не могут быть использованыдля записи в них информации, а, следовательно, и одноименные ячейкивсех блоков первого накопителя (поотношению к рассматриваемой ячейке)не должны содержать дефекты:П р и м е р. Пусть первый накопитель 1 имеет емкость .4 К 32-разрядных слов и условно разбит на блокипо 256 ячеек в каждом, а ячейка 59067 4состоит из восьми 4-разрядных слоговПри этом накопители 4 и 5 имеютемкость 256 4-разрядных слов каждый,а накопитель 6 - 256 3-разрядных, слов.Предположим, что в ячейках первого накопителя 1 садресамиА = 100110011111 А = 101100110110А = 110110100110; А = 001011010010 109 фимеются дефектные слоги, номера которых 1,3,4,7 соответственно (каждая отмеченная ячейка накопителя 1содержит по одному дефектному слогу). Тогда во второй накопитель 4 15по адресама = 10011111; . а = 00110110а = 10100110 а = 11010010,образованными из младших разрядовадресов соответствующих ячеек первого накопителя 1, записывают информацию, используемую для подмены,в четвертый накопитель 6 по тем жеадресам записывают коды 001, 011,Э 1100 111 а в третий 5 накопитель -коды 1001, 1011, 1101, 0010 соответственно. При обращении к адресам А 1,А, Лэ и А первого наконнтеля 1происходит обращение к адресам а,а а и а накопителей 4-6, Накопит эЗб тель 5 выдает старшие разряды адреса, блок сравнения 7 разрешает дешифрованные номера слога, подлежащего подмене, а коммутатор 9 подменяет дефектный слог слогом, считанным 35 из второго 4 накопителя, Таким образом, в рассмотренном примере можноподменить 256 4-разрядных слоговпервого накопителя 1, содержащих деФекты.