Генератор синусоидальных колебаний

СОЮЗ СОЗЕТСНИХСОЦ)4 АЛИСТИЧЕСНИХ %СПУБЛИН ТОЕННЫЙ НОМИТЕТ ССС ЭОБРЕТЕНИЙ И ОТНГОСУД АРС ПО ДЕЛАМ ЗОБРЕТ РСИО СВИДЕ ГЕЛЬСТВУ Н АВТО(72). А.я. Кулик и Л,А. Кулик . а коллектор второго транзистора яв(53)6 21. 373. 42 (088 8) ляется выходом генератора синусои "(5 б) 1. Патент СИй М 4160953, дальных колебаний, о т л и ч а юкл. 325/440., оцублик. 1979. щ и й с я тем,. что, с целью повыше 2 Авторское свидетельство СССР . ния стабильности частоты и амплитуды .В 427447, клН 03 .Ь 1/00, 1972 . синусоидальных колебаний, в. него :(прототип). .. . . введен дополнительный транзистор то- (54)(57) РВЙВРАТОР"СННУСОИДЪЛЬННХ . .го же типа структуры, коллектор и КОЛЕБАНИЙ, .содержащий источник по-эмиттер которого соединенысоответстстоянного напряжения итри транзисто- . венио с эмиттером первого транзисра одного типа структуры, причем .,тора ис ббщей шиной, выход источниколлекторпервого транзистора соеди" . ка постоянного напряжения соединен нен с базой второГо транзистора и с : с вторым выводом колебательного конпараллельным колебательным контуром, , тура, и между точкой их соединения Евторой вывод которого соединен через .:. и общей шиной введен второй резистивсоответствующие конденсаторы с общей ный делитель напряжения, при этом шиной и с базой первого транзистора,: коллектор третьего транзистора и между эмиттЕром второго. транзисторабаза дополнительного транзистора сое- Си эмиттером первого транэнстора,вклв-: дйнены соответственно с первым и чен первый реэистнвный делитель на+ ;: ,.вторымотводами второго резистивного апряжения, отвод которого соединен делителя напряжения, которые через с базой третьего транзистора, при : соответствуйицие введенные конденса- фффэтом база первого транзистора через торы соединены с общей шиной,3. Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться для генерирования синусоидальных колебаний, например, в.радиоприемных устройствах.Известен генератор синусоидальных колебаний на транзисторах с подключенными к ним колебательным контуром и источниками питания 113Однако в спектре сигнала данного 10генератора синусоидальных колебаний велик уровень высших гармонических составляющих.Наиболее близким к предлагаемому является генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник постоянного напряжения и три транзистора одного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соеди- . нен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, второй вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора, между эмиттером второго транзистора и эмиттером первого транзистора вклю 25 чен первый резистивный делитель напряжения, отвод которого соединен с базой третьего транзистора, при этом база первого транзистора через резистор соединена с эмиттером второгоЗО транзистора, эмиттер третьего тран" . зистора соединен с общей шиной, а коллектор второго транзистора является выходом генератора синусоидальных колебаний, при этом эмиттер первого 35 транзистора соединен через соответствующий резистор с общей шиной, а коллектор третьего транзистора соединен с вторым выводом колебательного контура Г 23. 40 Однако известный генератор сивусоидальных колебаний не обеспечивает, достаточной стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний 45 вследствие того, что стабилизация амплитуды производится за счет изменения напряжения питания частотозадающего транзистора, коллекторная емкость которого С) в значительной степени и нелинейно зависит от напряжения, прикладываемого к промежутку коллектор-база (О), Крутизна этой зависимости является наиболее высокой при малых значениях 05, что имеет место в известном генераторе синусоидальных колебаний. По" этому с изменением температуры окружающей среды или параметров транзистора от воздействия других факторов схема стабилизации амплиту ды вносит дополнительное изменение частоты колебаний. Коэффициент стабилизации амплитуды колебаний при этом равен коэффициенту усиления третьего транзистора. 65 Цель изобретения - повышение стабильности частоты и амплитуды синусоидальных колебаний.Поставленная цель достигается тем, что в генератор синусоидальных колебаний, содержащий источник постоянного напряжения и три транзистора одного типа структуры, причем коллектор первого транзистора соединен с базой второго транзистора и с параллельным колебательным контуром, второй вывод которого соединен через соответствующие конденсаторы с общей шиной и с базой первого транзистора, между эмиттером второго, транзистора и эмиттером первого транзистора включен первый резистивный делитель напряжения, отвод которого соединен с базой третьего транзистора, при этом база первого транзистора через резистор соединена с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с общей шиной, а коллектор второго транзистора является выхоДом генератора синусоидальных колебаний, введен. дополнительный транзистор того же типа структуры, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с эмиттером первого транзистора и с общей шиной, выход источника постоянного напряжения соединен с вторым выводом колебательного контура, и между точкой их соединения и общей шиной введен второй резистивный де" литель напряжения, при этом коллектор третьего транзистора и база дополнительного транзистора соединены соответственно с первым и вторым отводами второго резистивного делителя напряжения, которые через соответствующие введенные конденсаторы соединены с общей шиной.На чертеже представлена структурная электрическая схема генератора синусоидальных колебаний.Генератор синусоидальиых колебаний содержит первый, второй, третий и дополнительный транзисторы 1, 2, 3, 4, конденсаторы 5 - 8, первый и второй резистивные делители 9 и 10 напряжения, параллельный колебательный контур 11, резистор 12, источник 13 постоянного напряжения. Генератор синусоидальных колебаний работает следующим образом.Резисторы резистивного делителя 9 выбраны таким образом, что при отсутствии колебаний третий транзистор 3 закрыт и не влияет на условия самовозбуждения автогенератора с внутренней связью, выполненного на транзисторах 1, 2 и 4. При отпира- нии третьего транзистора 3 увеличение амплитуды колебаний автогенератора приводит к возрастанию тока третьего транзистора 3, что приводит1072241 Составитель Г. Захарченкоактор Н. Стащишина Техред Ж.Кастелевич КЕ 4 Ш ЭВ В ор М. Демчик Подпиомитета СССРоткрытийая наб., д 4/5 каэ 144 Тираж .862 ВНИИПИ Государственног по делам изобретений 035, Москва, й, Раушсфилиал ППП фПаюентф, г. ужгород, ул. Проектная, 4 к увеличению падения напряжения на резисторе 14 второго реэистивного делителя напряжения 10 и, как результат, к уменьшению постоянного напряжения на базе дополнительного транзистора 4. Вследствие этого5 уменьшается ток первого и второго транзисторов 1 и 2 и амплитуда коле.- баний автогенератора до наступления равновесияВ установившемся режиме автогенератора напряжение смещения О трЕтьего транзистора 3 выбирается таким, что амплитуда переменной составляющей токов первого и второго транзисторов 1 и 2 не превышает . постоянной составляющей и не проис ходит их насыщение. Коэффициент стабилизации амплитуды колебаний будет равен2 5 Ф 16 15 ф где К,К ,К ,К - коэффициенты. уси-ления транзисторов .1,2,3,41В 5 р В 6 . -величины резисторов 15, 16При этом стабилизация амплитуды колебаний осуществляется за счет изменения напряжения смещения (0) первого и второго транзисторов 1 и 2,что не вызывает изменения частоты генерации.Относительная нестабильность частоты выходных колебаний при этом не превысит 110 , а коэффициент стабилизации амплитуды колебаний увели- чится по сравнению с прототипом в 10 в .10 разТаким образом, в предлагаемом генераторе синусоидальных колебаний значительно повьааается стабильность частоты и амплитуды синусоидальных колебаний.