Устройство для определения толщины волокнистых материалов

Номер патента: 1035410

Автор: Мухитдинов

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОНЕТСНИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ чен 1 ОСФМСТНЕННЦЙ ИОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГПФ(71) Ферганский политехнический институт(54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯТОЛЩИНЫ ВОЛОКНИСТЫХ ИАТЕРИАЛОВ,содержащее источник питания, первыйтранзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника. питания, эмиттер соединен с общимпроводом непосредственно, а база, 1035410 А через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор,а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питания,а база подключена к коллектору первого транзистора; светодиод, включенный между эмиттером второго транзистора и общим проводом, и Фоторезйстор, ваюченный между базой первого и коллектором второго транзисторов, о т л и ч а ю щ е е с ятем, что, с целью повышения чувствительности и расширения диапазонаизмерения, оно снабжено третьимтранзистором с двумя резисторами,коллектор которого через первыйрезистор,.аэмиттер через второйрезистор соединены с выходом источника питания, а база соединена сколлектором второго транзистора идополнительным светодиодом, вклюным между эмиттером третьего транзистора и общим проводом.11Иэббретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины волок"нистых материаловИзвестно устройство для контро"ля толщины волокнистых материалов,содержащее источник света, фотоприемник и блок обработки измерительного сигнала1 1.Недостатки известного устройства"невысокая надежность и низкая чувствительность,Наиболее близким к предлагаемомуявляется устройство для определениятолщины волокнистых материалов, со-,держащее источник питания, первыйтранзистор с двумя резисторами,коллектор которого через первыйрезистор подключен к выходу источ"ника питания, эмиттер соединен собщим проводом непосредственно,абаза - через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами,коллектор которого через первыйрезистор, а эмиттер цереэ второй резистор соединен с выходом источника питания, а база подключена к кол"лектору первого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером вто.рого транзистора и общим проводом,и оторезистор, включенный междубазой первого и коллектором второготранзисторов 2 1.Недостатками устройства являют"ся невысокая чувствительность инеширокий диапазон измерения,Цель изобретения - повышение чув"ствительности и расширение диапазона измерения,Поставленная цель достигаетсятем, что устройство для определениятолщины волокнистых материалов, содержащее истоцник питания, первыйтранзистор с двумя резисторами,коллектор которого через первый резистор подключен к выходу истоцникапитания, эмиттер соединен с общимпроводом непосредственно, а базачерез второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллек"тор которого через первь 1 й резистор,а эмиттер церез второй резистор соединены с выходом источника питания,а база подключена к коллектору первого транзистора, светодиод, вклюценный между эмиттером второго транзистора и общим проводом, и фотореэистор, вклюценный между базой первого и коллектором второго транзис 035"10а 5 10 15 20 2530 35 40 45 транзистор .2, Светодиод 1 снова начинает излучать, и цикл повторяется,Уровень темновой проводимости фоторезистора 6 смещается в зависимости от интенсивности потока излучения, поступающего на Фоторезистор 6 от дополнительяого светодиода 5 через контролируемый объект, При изменении толщины материала изменяется интенсивность прошедшего потока и, следовательно, изменяется часторов, снабжено третьим транзисторомс двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмит"тер через второй резистор соединеныс выходом источника питания, а базасоединена с коллектором второго транзистора и дополнительным светодиодом, включенным, между эмиттером третьего транзистора и общим проводом.На чертеже приведена электрическая схема предлагаемого устройства.Устройство содержит первый трэнзистор 1 с двумя резисторами 1,1и 12, второй транзистор 2 с двумярезисторами 2,1 и 2.2, третий транзистор 3 с, двумя резисторами 3.1 и 3.2светодиод ч, включенный между эмиттером транзистора 2 и общим проводом, дополнительный светодиод 5,включенный между эмиттером транзистора 3 и общим проводом, фотореэистор 6 и источник 7 питания,Устройство работает следующим образом,При подключении устройства к источникупитания первый транзистор1 закрыт из-за большого темновогосопротивления фоторезистора 6 обратной связи, Второй транзистор 2 открцт,Через светодиод 4 протекает токвызывающий свецение светодиодаПод действием потока излучения светодиода ч проводимость Фоторезистора 6 начинает увеличиваться. Когда сопротивление фотореэистора 6достигает определенной величины,соответствующей порогу отпиранияпервого транзистора 1, транзисторотпирается, и. вследствие этоговторой транзистор 2 запирается,Светодиодгаснет, Теперь сопротивление,Мторезистора 6 спадает. Когда величина проводимости фоторезистора 6 достигает соответствующейвеличины напряжения запирания транзистора 1, транзистор 1 запирается,и вследстие этого отпирается второйЗаказ 5810/40 Тираж 602 Подписное ВНИИХИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Чосква, Ж, Раушская наб д, 4/5 еефилиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,3 1 тота колебаний на выходе устройства. Небольшие .изменения значения темновой проводимости фоторезистора при.водят к значительным изменениям частоты повторения импульсов, генерируемых генератором, что обеспечивает выоокую чувствительность устройства. Так как фоторезистор 6 опти 035410 4,чески связан с первым светодиодом 4,срыва генерации не происходит. Выбором определенной величины токасветодиода 5 обеспечивается необходимый диапазон измерения,Изобретение позволяет поюемтьчувствительность и расширить диапазон измерений,

Смотреть

Заявка

3419291, 06.04.1982

ФЕРГАНСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

МУХИТДИНОВ МУХСИНЖОН

МПК / Метки

МПК: G01B 7/06

Метки: волокнистых, толщины

Опубликовано: 15.08.1983

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1035410-ustrojjstvo-dlya-opredeleniya-tolshhiny-voloknistykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для определения толщины волокнистых материалов</a>

Похожие патенты