Составной транзистор

СО 103 СОН ЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН ЕТ СССРОТНРЫТИЙ с. И Ет 7/24-0983(088. 8)Р 2663806 Судаков 375.026 т США бл. 195 Велико 03 Г 3/ л. 307 399530,2,фнг.2. британии Б 9,опубл,19 я ил СУДАРСТБЕННЫИ НОМО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИИ ОПИСАНИЕ И К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС.86, Вюл, Р 8ский радиотехнический инс(54) СОСТЛВ 110 И ТРА 11 ЗИСТОР (57) Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может использоваться в генераторных и усилительных устройствах. Повышается коэффициент усиления по току при одновременном расширении диапазона рабочих частот. Составной транзистор (СТ) содержит пять транзисторов (Т) 1-5 и четыре резистора 6-9, Резисторы осуществляют питание базовых цепей транзисторов Фиксированным напряжением смещения, а также позволя- д,ЯО, 12311511,1 П 03 1 3/19 ют установить экономичные режимы работы с отсечкой тока коллектора.Структуры Т 1,2,4 отличаются от струтуры Т 3,5, При подаче на вход СТ(база Т 1) сигнала, СТ производит егоэффективное усиление по двум каналамПервый канал усиления сигнала, поворачивающий его фазу па 7, образованпереходами Т 1,2,3,5. Т 5 возбуждается суммарным сигналом Т 2,3, поэтомуФаза выходного сигнала, снимаемого с эмиттера Т 5, определяется совокупностью составляющих Фазовых сдвигов тока на переходах Т 2,3. Второйканал усиления .сигнала, также поворачивающий Фазу сигнала на 11 , образован цепочкой переходов база-эмиттер Т 1, база-эмиттер Т 2, база-коллектор Т 4,;Выходные токи обоих каналов усиления суммируются на общейнагрузке в коллекторной цепи СТ, Длповышения коэффициента усиления потоку необходимо, чтобы различие граничных частот Т 1-5 не превьппало 203пиальная электрическая схема составного транзистора.Составной транзистор содержит пер: вы 1 з, второй и третий транзисторы 1-3 первый и второй дополнительные транзисторы 4 и 5, резисторы 6-9,Составной транзистор работает следующим образом.При подаче сигнала ца ззход составцого транзистора (СТ), подключенного к источнику питания, СТ производит эффектзпзцое его усиление пс двум каналам, Первый канал усиления сигнала поворачивает его фазу на УВторой дополнительный транзистор 5 возбуждается суммарным сигналом второго транзистора 2 и третьего транзистора 3 поэтому фаза выходного тока первого канала усиления в общем случае с учетом разности фаз токов коллектора второго транзистора 2 и эзаптера третьего транзистора 3, оп" ределяется совокупцостьзо двух составлязощих фазовых сдвигов тока, создаваемых ца переходах второго и третьего транзисторов 2 и 31чЧ ="бк "6 6 э(1)(2)й Бэ бк 8где количество штрихов в индексе Р указывает ца помер соответствующего транзистора.Второй капал усиления сигнала.(также с поворотом его фазы на)Г ) образоззан целочкой переходов: базаэмиттер первого транзистора 1, базаэмиттер второго транзистора 2, база- коллектор первого дополнительного транзистора 4,Фаза выходного тока (тока коллектора первого дополнительного транзистора 4) второго кацала усиления равна 112Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может использоваться в мощных усилителях, умножителях, автогенераторах высокой и сверхвысокой частоты, а также в других генераторных и усилительных устройствах самого различного назначения.Цель изобретения - повышение коэффициента усиления по току при одновременном расширении диапазона рабочих частот.На чертеже представлена принци" Р6 з 8 з 8 кВыходные токи обоих каналов усиления, имеющие фазы - и Г, суммируютс 2 ся на общей нагрузке в коллекторной цепи СТ1 азность фаз суммируемых выход-. ных токов двух каналов усиления с учетом выражений (1)-(3) равна+ , + цР. .р - Ч Ч, +9 -Ч, .Р -Рбз бк 6 э 6 з Е Як Тогда условие синфаэности (точного или оптимального фазирования) указанных токов в широком диапазоне частот имеет вид 6 м) = О, цли с учетом выражения (4)6 з 6 Ез Еэ 25(5) Из совокупности равенств (5) следует необхоДимость равенства между собой граничных частот всех транзисторов структуры СТ, т,е,(6)Таким образом, в фазированном СТ обеспечивается синфазцое сложение токов на лобой рабочей частоте.Гсли условие (6) це выполняется, цо максимальное различие граничных частот не превышает 202, то появляющаяся разность фаз токов составляет несколько градусов и практически мало влияет на величину выходного тока 4 О СТ. При большем различии частот Ц разность фаз токов возрастает и заметно снижает модуль коэффициента усиления по току и величину выходного тока. 45 Резисторы 6-9 позволяют осуществить питание базовых цепей транзисторов фиксированным напряжением смещения, что повышает стабильность зпараметров СТ. 1(роме того, эти ре зисторы (или прямо включенные диоды) позволязот установить для транзисторов повышенной и большой мощности экономичные режимы работы с отсечкой тока коллектора. Дпя уменьшения по терь сигнала, что особенно важно ца высоких частотах и СВЧ, последовательно с резисторами могут быть включены высокочастотные дросселис соответствующей величиной индуктивности. Составитель И.Водяхина Редактор Т.Парфенова ТехредН,Бонкало Корректор И.Эрдейи Заказ 2659/56 Тираж 816 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская наб д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Формула изобретенияСоставной транзистор, содержащий первый и второй транзисторы, имеющие одну структуру, и третий транзистор, имеющий другую структуру, причем база первого транзистора является базой составного транзистора, эмиттер соединен с базой второго транзистора, коллектор - с базой третьего транзистора, эмиттер которого подключен к коллектору второго транзистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения коэффиф., циента усиления по току при одновременном расширении диапазона рабочих частот, в него введены первый и второй дополнительные транзисторы, при 231576 4чем база первого дополнительноготранзистора соединена с эмиттеромвторого транзистора, коллектор которого подключен к базе второго дополнительного транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором первогодополнительного транзистора и является коллектором составного транзистора, а коллектор - с коллектором 1 О третьего транзистора и эмиттеромпервого дополнительного транзистора,являющимся эмиттером составного транзистора, причем структура первогодополнительного транзистора соответ ствует структуре первого транзистора,а структура второго дополнительноготранзистора - структуре третьеготранзистора, при этом разница междуграничными частотами транзисторов не 20 превышает 207.