Способ протезирования инвалидов после ампутации на любом уровне или врожденного недоразвития конечностей

Номер патента: 1250309

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Банная, Василенко, Зубарев, Филина, Чадов

МПК: A61N 1/36

Метки: изменениях, кровообращения, мозгового, нарушений, положения, пространстве, профилактики, тела, человека

...остаются значительно выше исходных значений. Характерной реакцией на антиортостаз является увеличение дикротического индекса, что свидетельствует о стойком повышении тонуса мозговых сосудов. Антиортостатическое положение сопровождается повышением систолического давления на 10 мм рт,ст. и диастолического давления на 25 мм рт.ст.Несмотря на частичную естественную компенсацию нарушений мозговой 35 40 45 50 55 пульсов 6-8 Гц в течение 20-30 мин.Затем снимают все указанные электроды и накладывают по одному электро"ду-катоду на центр мочек ушных раковин и по одному электроду-аноду.на сосцевидные отростки с обеих сторон, после чего на электроды подаютимпульсный биполярный ток прямоугольной формы с соотношением длительности положительной и...

Номер патента: 260988

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Зачатейский, Федоров

МПК: G05D 3/00

Метки: пневматический, положения, регулятор, тела

...регулятор работает следующим образом.Входной канал 21 соединяется с ресивером или нагнетающей магистралью, а выходной канал 22 - с пневморессорой, несущей нагрузку.В равновесном состоянии нагрузка на пневморессору уравновешена) рычаг 1 б и коромысло 19 находятся в среднем полсжении, а толкатели 14 - в крайнем нижнем. При этом внутренняя полость чувствигельного элемента 10 через канал в нижней тарелке и канал в толкателе 14 соединяется с атмосферой. Золотник 9 опускается вниз и шток 5 под действием пружины б также опускается вниз. При этом канал 22 отсечен от ресивера и атмосферы.При увеличении нагрузки на пневморессору последняя опускается, увлекая за собой регулятор, При этом положение рычага 16 относительно регулятора изменяется и...

Номер патента: 922561

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Биндюк, Ершов, Мельников

МПК: G01M 1/10

Метки: инерции, тензора

...к соосному с ними и контейнером 2 кольцевому подвесу 1. На валу 7 закреплена спираль 9 Архимеда, наруж 5 ный конец которой закреплен на основании 4. На этом же валу 7 жестко закреплен регулятор дисбаланса, состоящий из жестко заКрепленной на валу обоймы 10, ймеющей с двух сторон угловые шкалы 11 с отверстия ми, и закрепляемых на ней в любом положении двух одинаковых дисбалансных грузов 12. На валу 8 жестко закреплен регулятор момента инерции, содержаший два одинаковых, равноудаленных от оси вала 8 с регу. лируемым расстоянием до нее груза 13,Устройство работает следующим образом.Изделие 14 помещается в контейнер 2 и закрепляется в нем, а его,положение определяется по сетке 3 координатных линий на внутренней поверхности контейнера 2. В...

Номер патента: 97098

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Готфрид

МПК: E01B 35/02

Метки: железнодорожных, направлению, положения, правильности, прибор, проверки, рельсов, уровню

...(визирный) крест, состоитиз вертикальной рейки 12 и горизонтальной рейки 13 и сцабяен отвесом 14,Вертикальная рейка 12 шарниром 15 соединена с опорой 16, Дляоблегчения перемещения измерительного креста по рельсу его опора 1 б снабжена роликами, а длякрепления опоры на рельсе служатпружинные зажимы (не показанныена чертеже).Опора измерительного креста несет раздвижной стержень 17, который свободным концом опираетсяна смежную рельсовуо нитку. Этотстержень служит для измеренияпревышения одного рельса над другим, что мояно определить по отклонению отвеса 14 на рейке ИПроверка правильности положения рельсов с помощью предлагаемого прибора осуществляется следующим образом.На пути, в пункте, от котороготребуется вести проверку, устанавливают...

Номер патента: 1086999

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Коротков, Маликова, Симашкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, запрещенной, зоне, зоны, локальных, положения, полупроводника, уровней, ширины, энергетических

...кривая , . 35 Фотопроводимости полупроводника; на фиг. 2 - кривые спектральной зависимости фотопроводймости: кривая спектральная зависимость продольной фотопроводимости, кривая 2 - зависи мость амплитуды всплеска Д Э при. Л = . = 0,875 мкм от длины волны предварительного освещения, кривая 3 - зависимость В Э на фиксированной длине волны последующего облученич от дли ны волны предварительного возбуждения.Описываемый способ использует явление вспьшечной релаксации фотопроводимости полупроводника электромг- З 0 нитным излучением в области собстч венного и примесного поглощения (фиг. 1). В основе существования вспьппки фотопроводимости независимо от физических механизмов, ее вызывающих, лежит необходимость создания неравновесного состояния...