Номер патента: 902258

Авторы: Газарян, Лементуев

ZIP архив

Текст

.А, Газарян и В.А.Лемен изобретения ститут проблем управ рдена Лени(71) Заявнтел ид ФЕРНОЕ УСТРОЙСТВ 3Изобретение относится к импульсной и вычислительной технике и может быть использовано в качестве формирователя напряжения в цифровых схемах и для согласования уровней сигналов.Известно буферное устройство, , содержащее МДП-транзисторы с индуцированным каналом И 1.Недостаток этого устройства- низкое быстродействие.Наиболее близким к предлагаемому является буферное устройство, содержащее ИДП-.транзисторы с индуцированным каналом и конденсатор 21.Недостатком этого устройства явля ется низкое быстродействие, обусловленное большой длительностью фронтов нарастания и спада выходного сигнала.Указанн до ая цель рное уст транзисаналом,ыходстигается тем, йство., содержа что Цель изобретения - повышение быстродействия. щее первый, второй и третий МДПтранзисторы с индуцированным кана. лом и конденсатор; затвор первогоМДП-транзистора соединен с истокомвторого МДП-транзистора и через конф денсатор с выходной шиной, истокпервого МДП-транзистора подключенк стоку третьего ИДЯ-транзистора ивыходной шине, а сток первого МДПтранзистора соединен со стоком и О затвором второго ИДП-транзистораи шиной источника питания, введенчетвертый МДП-транзистор, сток которого соединен с шиной смещения изатвором третьего ИДП-транзистора,исток - с входной шиной и истокомтретьего МДП-транзистора, а затвор "с выходной шиной.На чертеже представлена принци-.пиальная электрическая схема устройства.Устройство содержит МДПторы 1-4 с индуцированным кускоряющий конденсатор 5, в(вход)9.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии к входной шине 9 прикладывается низкое напряжение логического "0". Транзистор 3при этом открыт и на выходной шине6 за счет соответствующего выбора геометрических размеров транзисторов 1 и 3 поддерживается низкий уровень выходного напряжения. При подаче на вход 9 высокого напряжения логической "1" транзистор 3 закрывается. Напряжение на выходной шине 6 устройства возрастает, что приводит к открыванию транзистора 4 и, сле-. довательно, к повышению напряжения на входной шине 9, к еще большему закрыванию транзистора 3.На выход, ной шине 6 устройства формируется при этом высокий уровень выходного напряжения. Транзйстор 2 работает. в режиме односторонней проводимости и повышение .напрржения на выходной шине 6 через ус 1 рряющий конденсатор 5 передается на затвор транзистора 1, что обеспечивает повышенную проводимость. этого транзистора при формировании фронта нарастания выходного сигнала,Введение дополнительного транзистора 4 обеспечивает работу транзистора 3 в режиме двухсторонней про 02258 4водимости и сокращение длительностифронтов нарастания и спада выход-.ного сигнала, что увеличивает быстродействие устройства. Буферное устройство, содержащее1 в первый, второй и третий МДП-транзисторы с индуцированным каналом иконденсатор, затвор первого МДП-транзистора соединен с истоком второгоМДП-транзистора и через конденсаторн с выходной шиной, исток первогоМДП-транзистора подключен к стокутретьего МДП-транзистора и выходнойшине, а сток первого МДП-транзисторасоединен со стоком и затвором вто 2 О рого МДП-транзистора и виной источника питания, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышениябыстродействия, в него введен четвертый МДП-транзистор, сток которогосоединен с шиной смещения и затворомтретьего МДП-транзистора, истокс.входной шиной и истоком третьегоМДП-транзистора, а затвор - с выходной шиной.030 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1.Авторское свидетельство СССРИ 296263, кл. Н Оз К 19/О 8, 1969.2,Меаогу Оеэ 19 п НапдЬоо 1 с, 1 пйе 1.зэ Согр 1977, р. 3-2,

Смотреть

Заявка

2941146, 18.06.1980

ОРДЕНА ЛЕНИНА ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ УПРАВЛЕНИЯ

ГАЗАРЯН ИРИНА АЛЕКСЕЕВНА, ЛЕМЕНТУЕВ ВЛАДИМИР АНУФРИЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 17/687

Метки: буферное

Опубликовано: 30.01.1982

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-902258-bufernoe-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Буферное устройство</a>

Похожие патенты