Вяжущее

Номер патента: 175727

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Хвостенков

МПК: G01N 27/416

Метки: веществ, вяжущих, гидратационного, кинетики, твердения

...ис т в качестве од другим, напри олитом служитеи. одписная грссппа М 173 Известен способ определения скорости тверения вяжущих веществ, основанный на изерении электропроводности испытуемой среды.Описываемый способ отличается от известного тем, что о степени гидратации и твердения судят по величине измеряемой электро- движущей силы элемента, в котором исследуемое вяжущее или его композиция с наполнителями служит электролитом, а в качестве пары электродов применяют стеклянный, каломельный или металлический электрод. Таким образом повышается точность измерений и упрощается их методика,Кроме того, исследуемое вяжущее может использоваться в качестве одного из электродов в паре с другим, например каломельным, а электролитом могут быть вода...

Номер патента: 1680623

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Городецкая, Данилюк, Кузнецов

МПК: C01B 33/158

Метки: аэрогеля, блоков, кремния, оксида

...на секции осуществляют с помощью кассеты для форм, Кассета изготавливается таких размеров, чтобырасстояние между полками кассеты и стенками автоклава было незначительным. Кроме того, формы с гелями сверху покрываютстеклами, размеры которых несколько больше размеров форм.Процесс стадии удаления растворителяможет быть даже интенсифицирован безущерба для целостности блоков геля. Так, впрототипе снижение давления в автоклавеосуществляют в течение 24 ч, в предлагаемом способе - порядка 6 ч. После удаления растворителя поверхность аэрогеля является гидрофобной из-за присутствия на его поверхности метоксигрупп. Сконденсировавшийся метанол присутствует и в порах, Для удаления оставшегося метанола образец прогревают на воздухе при 400-500 С,...

Номер патента: 771051

Опубликовано: 15.10.1980

Автор: Баш

МПК: C04B 15/06

Метки: автоклавного, вяжущее, твердения

...затем происходит кристаллизация менее растворимых и более термодинамически устойчивых гидросиликатов и гидроалюмосиликатов калия,далее идет процесс, способствующийросту прочностных характеристикобразующегося камня,а также ускоренному твердению вяжущего при резкомповышении его адгезионной способности.Предлагаемое вяжущее готовят следующим образом.771051 Формула иэобретення 76-89 Обожженный лесс Бой натриевого или калиевого стеклаГипс стекла, или фосфогипс, или борогис (в пересчете на безводный Са 504) 10-20 Скорость твердения через . через 8 ч 12 чПрочность,кгс/см 2,на изгибна сжатиеАдгезионнаяспособность,КСц 18 70 25 90 0,16 0,26 Составитель Ш, СельченковаРедактор М. Харитонова Техред Ж,Кастелевич КорректоРН.Стец Заказ 7390/31...

Номер патента: 1326119

Опубликовано: 23.07.1990

Автор: Шкляев

МПК: H01L 21/31

Метки: кремния, оксида, пленок

...с давлением остаточных газов - 10 Па. В качестве источника Б).О используют пластины кремфния с,ориентацией поверхности (100),удельным сопротивлением .1 Омсм иразмерами 20 50,6 мм. Пластины устанавливают в танталовые зажимыи нагревают пропусканием тока. Напротивпластин на расстоянии 120 мм на одномиэ электродов устанавливают подложку.Осаждение пленок прОводят при температуре подложки 300-350 К, Кислороднапускают в реакционную камеру с помощью, вентиля-натекателя, содержаниепримесей в нем менее 13, ПроводятОсаждение пленки в следующем режиме:мощность высокочастотного разряда И=2= 4 Па. Пленка растет со скоростью:86 А/мин.П р и м е р 2. Осаждают пленкив режиме Ч = О,З,Вт/смф Т = 1550 Кк Р = 1 15 Па, Скорость ростапленки .40 А/мин.П р.и...

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...