Способ изготовления кварцевых пластин
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 86187
Автор: Шембель
Текст
86187 Класс 21 Я 4, 10 К. Шембе,г СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ ПЛАСТИНЗаявлено 26 августа 1949 года за М .105541 в ГостехИну СС Для эталонов частоты и для специальных радиотехнических систем, например, навигационных, требуются генераторы высокочастотных колеоаний с весьма большой устойчивостью частоты,Опыт эксплуатации с щестОих стаоилизаторовчто у каждого из них наблюдаются изменения частоты двух тгулярные и нерегулярные.Эти изменения частоты вызываются процессами, происходящимив поверхностном слое граней колсблющсгося кристалла и В местахего механического крепления,Регулярные изменения частоты извсс; пы под общим 1 азвашюм; старения. Эти изменения характсризуотся тем, что протекают только В процессе работы стяоплизяторя, рсм в начале его эксплуатации они могут бьть вссгма болыпм;1, Я зТем умеыпаются.Фзисскс при Ип Ссг;билпосте за сст ст;рн 1 кварца состоят в слсдующем.Как известно, поверхпост, кжкдого твердого тсля испещренамикротрсщипами, которые пс смогут быть удалены ооработкой поверхности. Внутреннис стенки этих трещинок легко Ядсорбпруют посторонние молекулд при соприкоснОВении поверхности с ОкружяюгцеЙ средой.Поверхностный слой, испсщрспный трещиками, имеетмодуль упругости, чем внутренние слон кристалла. Кроме тслой имеет болыпиц коэффициснт Внутреннего трения, чем кристалл,тяк к:,к косц каждой трещинки, вокр,:;Ото)ОгогокгпзовгНь Очснсильные деформации, является излучателем упругих волн в твердоевещество кристалла.При кол бапиях к;псталла, когда поверхпостный слой еготсрпсвяет деформации. происходит перегрупппрОВКП лОлекул Внт,Спинк 1 1 Оня ю жястся. Сужение трсинк 1; сопрОВОждя 1 тся ееукорочением, тяк кяк происходит срящепие стенок В ее нижнем конце.В результате уменьшается толщина поверхностного слоя и, стало показал ппов: ре мсньшии ого, этот пре три86187 быть, уВеличиВяется )кссткость спстсмы, что п 1)1 Водит и увеличс 11 и 10 чястоть 2 с друГОЙ стороны - умеьщ 210 тся потери ня излучение7КУп 1)УГих Волн, так как Уменьшсется Вел 1 ппЯ пока;1 ьных деЧ)ОРмациЙ у концов трещинок.Согласно изобретению предлагается существенно уменьщить изменения частоты пьезооезоняторя за с 1 ст стярепР 5 Нуте) Рметяллизяции Всех без исключс 11 ия Гр 211 сЙ ко;1 сОл 10 щсйся плЯстинки, с целью склеивания поверхностных трещинок и, следовательно, уменьшеНИя ИХ дсфорМяциЙ ПрИ КО:СбсНИяХ.Б Отличие От метслсизации Г 1)аней кРР 1 стал;12 В тех с;1 УчЯЯх, кОГдс 1 таким путем создаются возбу)кда 01 Ц 1 е электроды, обладающие достаточной прочностью, чтобы не поврсх(даться при захкатии кристал- лЯ В ДеР)катег 1 с или и)и пс 1 йкс НОДВОДОк, п 1)едлаГЯемаЯ металлизация мо)кет Оыть Осуществлена Весь 1;1 топким слоем металла. Чтобы, Однако, Возбу)кдение колеоаний ОВ 1 ло Воз)0)КНО, неооходимо В по- КРЫТИИ (Метсчлл 1 ЧЕСКО)1 СЛОС) СДСЛЯТЬ П 1)ОРСЗР 1, НЯП 1)ИМС 1) ПО 1)ЕОРЯМ ПЛЯСТИНКИ.Основную роль В Ослаблении процесса старения кварца в эксплуатации будет РГрять метя;1;изация деф 011 иру 10 щихся ГрянеЙ, пав р яллельных сил ОВы м л Иия элсч(т 1) ичсскОГО поля, т. с. кяк раз тех граней, которые Обычно не метяллнзиру;отся. Предмет изобретен ия Комитет по делам изооретений и открытий пг)п Согете Министров СССР Редактор Л. Г, Голаидский Подп. к псч, 31/111-1959 г. Тираж 360. Цена5 коп. Бнфод 1 ацРонно-издатсльскп 1 отдел.Объем 0,17 п. л. Заказ 2230. Гор. Алатырь, типография Ъо 2 Министерства къльтуры ЧувапСко 1 АССР,Спосоо изготов.СИН 1 Квярг 1 свьх пластин, Отлич я ю 1 ци Йся тем, что, с целью осг 12 бления процесса старения кварца в эксплуатации, все грани пластин металлизируются, причем для обеспечения возмо)кности возбун(Дения, в покрытии предусматриваются узкие прорези, например, по ребрам.
СмотретьЗаявка
405541, 26.08.1949
Шембель Б. К
МПК / Метки
МПК: H03H 3/02
Опубликовано: 01.01.1950
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-86187-sposob-izgotovleniya-kvarcevykh-plastin.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления кварцевых пластин</a>
Интерференционный способ измерения термических изменений показателя преломления стекол и кристаллов и прибор для его осуществления
Номер патента: 144304
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Левин
МПК: G01B 9/02, G01N 21/45
Метки: изменений, интерференционный, кристаллов, показателя, преломления, прибор, стекол, термических
...стороны объектива 5, также в его фокальной плоскости, устанавливается ирис-диафрагма 7. Источник монохроматического света 8, имеющий несколько линий точно известных длин волн (например, кадмиевая, ртутная или гейслерова лампа) изображается конденсором 9 на ирис-диафрагму 7 в плоскость последней. Полупрозрачная пластинка 10 направляет пучок света на объектив 5. Благодаря этому на столик прибора будет падать параллельный пучок лучей. Объектив 11, установленный вблизи ирис-диафрагмы 12, дает в своей фокальной плоскости, совпадающей с коллектором 13, изображения трех систем интерференционных полос, т. е. от термометра и образцов на преломление и расширение. Это интерференционное поле с помощью двух ромбических призм 14 и 15, а также зеркал...
Устройство для управления генерируемой частотой изменением фаз
Номер патента: 38204
Опубликовано: 31.08.1934
Автор: Шембель
МПК: H03L 7/00
Метки: генерируемой, изменением, фаз, частотой
...получим схему с тремя лампами 1 фиг. 3). Здесь лампы 2 и 3 действуют в противоположных направлениях. Лампа 2 понижает частоту, лампа же 3 повышает частоту генератора. При одинаковых напряжениях на сетках этих ламп действие этих двух ламп уравновешивается, Изменяя соотношение сдвигов на их сетках, перемещением движка а, мы меняем частоты.Предлагаемое устройство можно применять и для дуплексной радиосвязи. Для этого управляющая частотой лампа включается так, что она меняет длину волны генератора при переходе с передачи на прием и обратно.На фиг. 4 изображены: а - кривая селективности контуров передатчика, О кривая селективности приемника ), - рабочая волна передатчика и ), . - нерабочая волна лередатПри передаче приемник...
Устройство для изменения в полете угла наклона крыльев или других поверхностей самолета
Номер патента: 10265
Опубликовано: 29.06.1929
Автор: Сапачев
МПК: B64C 3/38
Метки: других, изменения, крыльев, наклона, поверхностей, полете, самолета, угла
...8, служащие для них направляющими,В аналогичном прорезе, располо.женном ниже или выше крыла, может передвигаться ползунок 7, с которым шарнирно связаны подкосы 9,9, образующие вместе с лонжеронами 2 .и 3 жесткий треугольник, Одна из точек этого треугольника системой рычагов и тросов связана с рукояткой управления, так что пилот получает возможность движением рычага достигать поворота данного крыла. Так как путь рукоятки управления возможен большой, а путь крыла, при скашивании, достаточно мал, то обычная работа управления, по мнению изобретателя, не будет затруднена. Что же касается резких поворотов крыльев (при взлете, посадке, перемене высоты и т. п.), то для них необходим отдельный механизм передачи. Правый и левый прорез...
153578
Номер патента: 153578
Опубликовано: 01.01.1963
МПК: G06G 7/26
Метки: 153578
...знакопеременной функции Р(х, у)используются области А 1 А, поверхности (фиг. 3). Область А 1 соответствует значениям аргументов х и у, при которых функция Р( у)положительна, а область А, соответствует значениям аргументов х и у,при которых функция Р(х, у) отрицательна. Область А, и Аз электрически изолированы одна от другой. Их овойства аналогичны свойствачобласти А: площадь ограничивается периметром визиров и пропорциональна значению функции Р(х, у) для аргументов х у, являющихсякоординатами визира.На электрц,еской схеме включения устройства для воспроизведения зцакоперемецной функции Р(х, у) (фиг. 4) обозначения идентичны обозначениям схемы на фцг. 2.В иры 2 и 3 смещены однц относительно другого на Лх и Луиз рги(фиг, 3)....
Электрорадиографическая пластина
Номер патента: 568930
Опубликовано: 15.08.1977
Авторы: Балтушис, Варанецкас, Каминскас, Монтримас, Ракаускас, Шимкунене
МПК: G03G 5/02
Метки: пластина, электрорадиографическая
...металлическим слоем никеля, З 5 как это делается при изготовлении электро. радиографических пластин с усиливающими экранами из свинца или олова, Это сугцественно упрощает технологию изготовления пластин. На поверхность слоя кадмия или 40 индия при температуре подложки 100 - 150 С напыляется тонкий (1 - 2 мкм) промежуточный слой трехселенистого мышьяка, который повышает кристаллизационную стойкость аморфного селена. На поверхность подслоя трехселенистого мышьяка при температуре подложки 70 - 90 С напыляется слой селена толщиной 200 - 400 мкм в зависимости от требуемой фоточувствительности.Указанная композиция электрорадиографической пластины позволяет повысить нх холодоустойчивость до минус 40 С, з то время как холодоустойчизость...