Сушилка для мелкодисперсных материалов

Номер патента: 1765649

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Кипнис, Микула, Рыжков

МПК: F26B 17/24

Метки: мелкодисперсного, сушки

...(0,05-0,125)Н, а зазор между ними и стенками корпуса составляет (0,2 - 0,4)О. При этом площадь погруженной боковой поверхности элементов составляет не менее 0,05 ОН. Установка имеет вибропривод 8. Крышка 3 снабжена патрубком 9 для отвода газовой фазы из корпуса в ловушку, и люком 10 для перекрытия загрузочного отверстия 4. Разгрузочный патрубок 6 снабжен входящим в него клапаном 11. Клапан 11 установлен с возможностью осевого перемещения посредством штока 12, проходящего через разгрузочный патрубок 6, и закреплен на нем. Шток 12 для передачи ему поступательного движения соединен с затворным механизмом 13, размещенным в нижней части разгрузочного патрубка 6 на выпускной трубе 14, которая имеет насадку 15 с перфорацией для просева...

Номер патента: 580422

Опубликовано: 15.11.1977

Авторы: Абаев, Бернер, Дукреев, Ройтман, Тумовский

МПК: F26B 3/22

Метки: мелкодисперсных, спосб, сушки

...4 - 5 мм и вертикальной составляющей 0,5 - 1,0 мм, а перемещение снизу, вверх осуществляют при 160 - 200 С;горизонтальной составляющей колебаний 2 - 3 мм и вертикальной составляющей 0,5 - 1,0 мм.Пример. На опытной установке перерабатывался шлам влажностью 30%. Шлам направляли ,по винтовой траектории сначала ными.При движении шлама сверху вниз с меньшими амплитудами колебаний перемещения5 шламов не происходит, а с увеличением амплитуды скорость их движения возрастает настолько, что,влажность 10 - 12% не достигается,При температуре сушки выше 350 С проис 0 ходит спекание материала, а при температуре,меньшей 300 С, время сушки возрастает настолько, что процесс становится нерентабельным.При движении шлама снизу вверх уменьше 5 ние...

Номер патента: 978389

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Коробской, Мартыненко, Москалев, Потураев, Прудкий, Явтушенко

МПК: H05B 6/64

Метки: мелкодисперсных, полупроводящих, сверхвысокочастотной, сушки

...воздуха, чтоприводит к увеличению электрическойпрочности из-за отсутствия в нем 5 пара, который уходит через зазорымежду козырьком 6 и конвейером 4 собрабатываемым материалом,,Использование предлагаемого устройства по сравнению с известным 10 позволяет увеличить КПД при сушкемелкодиспврсных полупроводяцих материалов. вдоль облучателя 3 размещена метаю= лическая пластина 5, кЬторая совместно с боковыми стенками облучателя 3 выполняет функции направлякцей системы, вдоль облучателя 3 распространяется бегущая электромагнитная волна. При этом вследствие поглощения сверхвысокочастотной энергии полу- проводящим материалом амплитуда бегуцей волны, по мере распространения вдоль облучателя 3, экспоненциально уменьшается. Таким образом,...

Номер патента: 1780823

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Ишков, Косяков, Филипков, Цетович, Шитиков

МПК: B01J 2/16

Метки: псевдоожиженного, слоя, сушилке-грануляторе, сушки

...гравйтэционной волной, имеющей места минимальных колебаний высоты (узловые точки) 8, Длина стоячей волны всегда остается кратной какому-либо характерному поперечному размеру слоя, диаметру, ширине, длине или диагонали (и следовательно, зависит от геометрии аппарата). Длина стбячей поверхностной гравитационной волны материала в аппарате пропорциональна расходу ожижающего агента и высоте слоя, и регулируется с помощьюэтих параметров или изменением поперечного размера слоя, например, при помощи перегородок. Опредепсевдоожиженного слоя), лежащими на одной узловой линии; на фиг, 5 - разрез Б - Б .15 на фиг. 4. На фиг, 1 и 2 максимально удален-, ные узловые точки принадлежат различным узловым линиям.В качестве примера осуществления ление...

Номер патента: 1780824

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Ишков, Косяков, Филипков

МПК: B01J 2/16

Метки: псевдоожиженного, слоя, сушилке-грануляторе, сушки

...этих параметров илиизменением поперечного размера слоя, например, при помощи перегородок. Определение создания в псевдоожиженном слое волнового ресима колебаний со стоячей поверхностной гравитационной волной и мест минимальных колебаний высоты псевдоокиженного слоя (узловых линий стоячей волны) 8 производится визуально (через смотровые окна или прозрачные стенки аппарата); при помощи установленных науровне газораспределительной решетки датчиков давления (в зоне пучностей колЕ- бания давления будут максимальными, а в узловых линиях - минимальными); при помощи датчиков порозности слоя (оптических, радиационных, электрических и т, д.) или другими способами.Процесс проводился в сушилке-грануляторе цилиндрического сечения диаметром 110...