Аналоговое запоминающее устройство

Союз Советских Свцивлистииеских РеспубликОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯИ АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ 666584)М. Кл 2) Заявлено 05,12,77 (2) 25присоединением заявки Йо 360/1811 С 27 0 осударствеииый СССР по аела и изоб и открыт(088. 8) Опубликовано 0506.79. ЬюлДата опубликования описа 8.06 2) Авторы изобретен(54 УСТРОЙСТВО ЗАПОМИНИОЩЕ рмации ки ра а о н стра в режим нены со накопит не устр рый обу лов сто транэис ляется мя хра форме,ци П- вм вр ово вляется я инФо увемаизобретени ремени хра личение в нени рции,Поставленная цель достигается тем,15 что в аналоговое ЗУ, содержащее накопительный элемент, например конденсатор, одна обкладка которого соедииена с шиной нулевого потенциала,другая подключена к одному иэ вхо 20 дов усилителя, первый ключ, выполненный на первом МДП-транзисторе,исток которого соединен с другойобкладкой конденсатора, выход усилителя подсоединен к другому еговходу и через развяэывающие элементы к затвору и подложке первогоМДП-транзистора, блок управления,первый и второй выходю которого соединены соответственно со входами30 второго и третьего ключей, первые Изобретение относится к области вычислительной техники.Известно аналоговое запоминающее устройство (ЗУ), содержащее накопительный элемент, например конденсатор, два ключа, два резистора, операционный усилитель и повторитель напряжения 1). Оно обладает достаточно высокой точностью хранения информации, но небольшое время хранения информации значительно ограничивает область его применения,Наиболее близким по технической сущности к изобретению является аналоговое ЗУ, содержащее ключ заряда, выполненный на МДП-транзисторе, блок управления, накопительный элемент, например конденсатор, буферный усилитель, два развязывающих элемента, например резисторы и два ключа 21. Исток МДП-транзистора соединен с накопительным элементом и входом усилителя. Выход усилителя через развязывающие элементы связан с эатво ром и подложкой МДП-транзистора, а последние через ключи соединены с блоком управления.В таком ЗУ благодаря равным поте иалам истока и затвора, а также истока и подложки МДП транзистора е хранения инфо ответствующие то ельного элемент , д анен один ток разряда словлен разностью пот ка и истока закрытого тора и, следовательно ФактороМ, ограничиваю ения информации в аналббб 584 Формула изобретения Заказ 3199/410 Подписное ЦНИИПТираж П фПатент, ул,Проектная,4 филиалг.ужгор выходы которых подсоединены к затвору и подложке первого МДП-транзистора соответственно, введены четвертый и.пятый ключи, выполненные соответственно на втором и третьем МДП-транзисторах. При этом сток первого МДП-транзистора соединен со стоками 5 второго и третьего МДП-транзистора, исток второго МДП-транзистора соединен со входом устройства, а эатвор-, со вторыми выходами второго и третьего ключей, исток третьего МЦП 10 транзистора соединен с другим входом усилителя, а затвор - с третьим выходом блока управления.На чертеже изображена принципиальная схема устройства. 15Оно содержит первый ключ, выполненный на первом МДП-транзисторе 1, накопительный элемент, например конденсатор 2, усилитель 3, развязывающие элементы 4,5, второй б и третий 20 7 ключи, блок управления 8, четвертый и пятый ключи, выполненные соответственно на МДП-транзисторах 9 и 10.Устройство работает следующим обр.азом.В режиме выбоРки выходные сигналы блока управления 8 открывают транзистор 9 и закрывают транзистор 10, этими же сигналами открываются ключи б и 7, которые передают на затвор и подложку транзистора 1 отпирающие его напряжения. При этом транзистор 1 открывается, и входной сигнал через открытые транзисторы 9 и 1 поступает яа конденсатор 2.В режиме хранения информации ключи б и 7 разомкнуты, транзистор 9 закрыт, транзистор 10 открыт и выходное напряжение усилителя 3, равное напряжению на конденсаторе 2, 40 фиксируется через элементы 5 и 4 на затворе и подложке, а через транзистор 10 - на стоке закрытого транзистора 1. Благодаря равным потенциалам выводов транзистора 1 между ними 45 отсутствуют разряжающие конденсатор 2 паразитные токи.Таким обраЗом, устранен ток разряда конденсатора, обусловленныйу50 разностью потенциалов стока и истока основного МДП-транзистора и,следовательно, увеличено время хранения информации в аналоговой форме. Аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопительный элемент, например конденсатор, одна обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала; другая обкладка конденсатора подключена к одному иэ входов усилителя, первый ключ, выполненный на первом МДП-транзисторе, исток которого соединен с другой обкладкой конденсатора, выход усилителя подсоединен к другому его входу и через развязывающие элементы к затвору и подложке первого МДП-транзистооа блок управления, первый и второй выходы которого соединены соответственно со входами второго и третьего ключей, первые выходы которых подсоединены к затвору и подложке первого МДП-транзистора соответственно, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения времени хранения информации устройства, в него введены четвертый и пятый ключи, выполненные соответственно на втором и третьем МДП-транзисторах, причем сток первого МДП-транзистора соединен со стоками второго и третьего МДП- транзисторов, исток второго МДП- транзистора соединен со входом устройства, а затвор - со вторыми выходами, второго и третьего ключей, исток третьего МДП-транзистора соединен с другим входом усилителя, а затвор - с третьим выходом блока управления. Источники ИнФормации, принятыево внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР Р 586500, кл.й 11 С 27/00, 3,05.76.2. Заявка Р 2449771/18-24, по которой принято решение о выдаче авторского свидетельства.