Высокочастотный резистор

и 664 сМОПИСАНИЕ Союз СоввтскихСоциалистицесмиаРеспублик ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТРРСКОМУ СВИДЮТВЛЬСТВУ 61) Дополнительное к авт, свил ву22) Заявлено 04.03.76 (21) 233136 8/18-0 Р Ъ/ с присоединением заявки 23) Приоритет даретевнймХ иоматвСССРдвлам извбрвтвеХи вткрытвй юллетеиьания 28.05.7Опубликовано 25.05. 7 Ь Дата опубликования оп 2 Богданова, Н. И, Германович, П. 3, Пазин и Ю. С. Петрейков Авторыизобретения витель 54) ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕЗИСТОР кием поИзобретение относится к технике сверхвысоких (СВЧ) частот и может использоваться, в частности, в полосковых и мнкрополосковых устройствах.Известен высокочастотный резистор, оодержаший диэлектрическую подложку с резистивной пленкой, .имеющей форму полукольца, к внутренней дуге которого присоединен проводник, а к внешней- контакт для заземления 11.Однако известный резистор характери зуется низкой рабочей мощностью, обусловленной неравномерным распределе плотности рассеиваемой мощности по верхности реэистивной пленки.Целью изобретения является повышение рабочей мощности.Для етого в высокочастотном резисто ре, содержащем диэлектрическую подложку с резистивной пленкой, имеющей форму полукольца, к внутренней дуге которого присоединен проводник, а к внешнейконтакт для заземления, реэистивная пленка разделена по концентрическим дугам на участки с различным удельным поверхностным сопротивлением, величина которого возрастает в направлении от внутреннего участка к внешнему, например, пропорционально квадрату расстояния этих участков до центра дуг.На фиг. 1 приведен предлагаемый резистор, общий вид; на фиг. 2 - график распределения плотности рассеяния мощности.О Высокочастотный резистор содержитдиэлектрическую подложку 1 с резистивной пленкой 2, имеющей форму полукольца, к внутренней дуге которого присоединен проводник 3, а к внешней - ижтакт 4 для заземления,Резистивная пленка 2 разделена по концентрическим дугам на участки 5 с различным удель- Иным поверхностным сопротивлением, величина которого возрастает в направлении от внутреннего участка 5 к внешнему пропорционально квадрату расстояния этих участков до центра дуг.3 66Сопротивление предполагаемого резистора определяется по формулеЛ 2=: Ьгде й - угловой размер резнстнвной пленки 2;Я число участков 5 резистнвнойпленки 2;л - порядковый номер участка 5;РР - радиусы дуг, ограничивающихкаждыйучасток 5 рр, удельное поверхностное со-противление резистивной пленки 2 накаждом участке 5.При изменении величины удельногоповерхностного сопротивления пропорционально квадрату расстояния участка 5резистивной пленки 2 до центра дуг, т.е.й Рл 1,2той= - ЕЬ 1Я " 2 п 2г 29=( Д 1йБлагодаря этому сопротивленииучастков 5 резистивной пленки 2 изменяются пропорциально плошади этих участков Я,( = соть 1), Таким образом, приллподаче мощности на предложенный рези-. стор обеспечивается большее ее рассеяниена участке с большим сопротивлением,имеющим к тому же и болыдую площадь;в результате плотность рассеяния мощности и по поверхности резистивной пленки 2 получается достаточно равномерной(см, фиг, 2), а значение рабочей мощности достаточно близким к допустимому1Таким образом, предложенное выполнение резистивной пленки высокочастотно 4250 4го резистора в виде ряда участков с различным удельным поверхностным сопротивлением, возрастающим от внутреннего участка к внешнему, позволяет получить достаточно равномерное распределение рассеиваемой мощности по поверхности этой пленки, и, в итоге, увеличить уровень рабочей мощности резистора до величины, близкой к предельне допустимо му значению. Это обеспечивает возможность выполнения предложенного резистора на достаточно высокую рабочую мощность при минимальной плошади резнстивной пленки и достаточно полном использовании (по рассеиваемой мощности) ее поверхности. Сокращение же габаритов резистора обеспечивает лучшее его согласование по входному сопротивлению. 20Формула изобретенияВысокочастотный резистор, содержащий диэлектрическую, подложку с резистивной пленкой, имеющей форму полу25 кольца, к внутренней дуге которого присоединен проводник, а к внешней - контакт для заземлении, о т л и ч а юш и й с я темчто, с целью повышениярабочей мощности, резистивная пленка30 разделена по концентрическим дугам научастки с различным удельным поверхностным сопротивлением, величина которого возрастает в направлении от внутреннего участка к внешнему, например, проз порционально квадрату расстояния этихучастков до центра дуг,Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе1. Патент США % 3678417,40 кл. 333-22, 1973,