Рамка для накопителя запоминающего устройства

Номер патента: 743080

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Афанасьев, Твердов, Якубович, Янович

МПК: H01L 21/88

Метки: выводами, контактной, рамки

...выводами заключается в следующем, В одно. слойной металлической ленте 1(см. фиг. 1) одновременно с основным рисунком выводов контактной рамки 2 в местах оснований выводов формируют канавку 3 по замкнутому контуру, глубиной не менее глубины основного рисунка выводов контактной рамки, после чего ее заполняют диэлектриком 4 (см, фиг. 2), производят его сушку и травят металлиЧескую ленту в растворе травителя в зоне размещения выводов до исчезновения материала ленты между выводами (см. фиг. 3), Затем контактную рамку с выводами передают на операцию сбор. ки полупроводниковых приборов с последующим контролем (см. фиг, 4).П р и м е р . Для изготовления контактных рамок с изолированными выводами используют3 743080алюминиевую и медную ленты...

Номер патента: 631978

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Баранов, Нарциссов, Синев-Баранов

МПК: G11C 5/06

Метки: жгутов, запоминающих, кодовых, колодка, контактная, постоянных, проводов, прошивочных, распайки, типа, трансформаторного, устройств

...ни я.На чертеже показана предложенная контактная колодка.Она. содержит диэлектрическое основание 1 и монтажные лепестки 2. Между лепестками 2 размещены выступы 3 и 4 со скосами с шагом, равным шагу лепестков. Выступы 3, имеющие скос, обращенный к плоскости основания 1, предназначены для разделения и направления концов прошивочФ ных проводов на лепестки 2 согласно заданной программе, а также для удерживания на основании 1 своими наклонными плоскостями концов прошивочных проводов и предохранения их изоляции от разрушения при распайке концов прошивочных проводов на лепестки 2. Между выступами 3 выполнены углубления 5, предназначенные для закрепления в них мастикой или клеем не- луженых частей концов прошивочных проводов. Выступы 4...

Номер патента: 702003

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Лещев, Рахманько, Старобинец, Цыпленкова

МПК: C07C 85/26

Метки: аммониевых, атомов, высших, оснований, содержащих, солей, углерода, четвертичных

...5-10 мин, Диметилфэрмамидную фазу отделяют и добавляюттупа еще 100 мл октана и встряхивают 3-5 мин, Диметилформамиднуюфазу снова отделяют и разбавляютводой на 50%. Выделившийся плав40ЧАС промывают горячей водой(60-70 С) по полного удаления ДМФА,Полученный плав ЧАС высушивают при. комнатной температуре в течение 23 суток или отгоняют легколетучие45примеси (октан, иопистый амил и др.)опри температуре 80-100 С и давлении10-12 мм рт, ст, Степень чистотыпродукта 96-98%.П р и м е р 3. Очистка пигексил 50метилоктадециламмонийиодида.В 100 мл ДМФА растворяют 3035 г дигексилметилоктадециламмонийиодида, после чего прибавляют к раство 55ру 1-2 мл 25%-ного раствора амми-ака до рН 10, Затем туда добавляют100 мл октана и перемешивают 5-.10...

Номер патента: 833949

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Лещев, Рахманько, Старобинец

МПК: C07C 85/26

Метки: atomob, высших, оснований, содержащих, солей, углерода, четвертичныхаммониевых

...К полученному раствору приинтенсивном перемешивании добавляют 10 -15 мл (11-14% НО) 2%-ного водного раствора КОН. Если в виде фазы выделяют амин(триоктиламин), то его отделяют. После этого к водно-диметилформамидному растворудобавляют 50 мл октана и встряхивают полученную смесь 2 - 3 мин. Водно.диметилформамидную фазу отделяют и добавляют к нейеще 50 мл октана. После встряхивания фазыразделяют, а к водно-диметилформамидной фазе добавляют 40 - 50 мл 10%.ного водного раствора К,1, ЧАС выделяют в виде фазы, которуюпромывают горячим (60 - 70 С) 1%-ным водным раствором иодида калия до полного удаления диметилформамида, Дальнейшую доочисткуЧАС проводят аналогично примеру 1. Степеньчистоты целевого продукта 97 - 99%.П р и м е р 3. Очистка...

Номер патента: 558333

Опубликовано: 15.05.1977

Авторы: Белых, Воронюк, Иваницкий, Ковалев

МПК: H01R 12/04, H01R 13/02

Метки: колодка, контактная, печатных, плат

...сетки. В стенках 3 корпуса 2 колодки выполнены отверстия а (см, фцг. 3)15 для уменьшения массы колодки. В дце 5 корпуса 2 колодки выполнены отверстия б дляфиксации объемного жгута 6 (см. фцг. 4), содержащего объемные проводцикц 7,Подключение схемных электроэлсментов 820 прц помощи колодки 1 производится следующим образом.С одной стороны печатной платы 9 располагают печатные проводники 10 и контактные площадки 11. Электроэлементы 8 распо 25 лагают ца плате 9 чередующимися с колодками 1 рядами. Выводы 12 электроэлементов8 устанавливают в отверстия в одностороннейпечатной платы 9 ц спаивают цх.Каждая колодка 1 является прцнадлежно 31 "тью объемного жгута 6 и обеспечивает воз 558333можность подключения его к испытательному...