Доменное запоминающее устройство с произвольным доступом

(3 11 С 11/14 нсоеднненнем заявкиееудерстееееый кемететСввете Мнхеатрае СССРее делам кзобретеейк етхрмтей(7) Заявитель 4) ДОМЕННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ПРОИЗВОЛЬНЫМ ДОСТУПОМходят чере генератораДля этэ нительно ни мании из-эвторов БМ щих ячеекчеству битпителе). Кроме того, все датчики расположенына одной стороне пластины-носителя БМД это приводит к уменьшению площади контактных площадэк, на которых производится рвэвврка выводов датчиков, н, таким обрвзэм к усложнению процес варки, который должен быть прэведе бенно тщательно ввиду малости выхэ сигналов датчиков.Бель изобретения повышение плот ности записи и нвдежнэстн схемы,Укаэанная цель дэстигается тем, чтокэмпрессэры четных н нечетных разрядов соединены с соответствующими запоминающими ячейками, расположены по ра 25 ные стороны генераторов цилиндрических са разн осодных Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике, может быть использовано в качестве накопителя дискретной информации, представленной в форме цилиндрических магнитных доменов.Наиболее близко к предлагаемому доменное запоминающее устройство с произвольной выборкой информации.Это ЗУ содержит монокриствллнческую пластину с расположенными на ней адресными и разрядными панами и связанными с запоминающими ичейкамн генераторами цилиндрических магнитных доменов, компрессорами и датчиками считывания.Каждая динамическая ловушке соединена с генератором цилиндрических магнитных доменов, а также с соответствующей ступенью компрессора, выход которого подключен к датчику схемы индикации содержимого данного разряда и к аннигилятору, причем разрядные проводники проходят через эвпоминакнцие ячейки в зоне генератора БМД, а числовые проводники в виде ломаной пинии прозапоминающие ячейки в эона и в зоне доменной ловушки. го устройства характерны срввзквя плотность записи инфортого, что количество генервравно количеству запоминаюили, что то же самое, колиинформапин, хранимой в нако, г//" Ф 49 рФ3 4,Ф ф ф фут магнитных доменов и магнитосвяэант- прессором к датчикам, расположеннымчихами считываниявыходы четных и нечетных разрядов которых расположенысоответственно на противолежащих краяхмонокристаллической пластины, а генераторы цилиндрических магнитных доменовмагнитосвязаны с запоминающими ячейками П -" ного и и + 1 -го разрядов,Топология схемы управления (структурная схема устройства) цилиндрическими магнитными доменами в накопителе10представлена на чертеже.4 - числовая дцина й -го числа,и - разрядная шина О -ного разрядаво всех числах,-1 - разрядная шина И -1-го раз 15ряда всех чисел,Г - генератор БМЙ Ь и 0 -1 рази,и-рядах Я -ного числа,Ал, А,. - аннигиляторы содержимого И иИ -1 разрядов всех хранимых чисел,Ви 0 п - датчики содержимого и и л,-1)разрядов всех хранимых чисел;5 п 3- стрелки, указывающие направД и и-аление вывода детектируемых БМД в Ии и и 2 разрядах соответственно;Д - стрелкауказывающая направление вращения управляющего поля.Особенность предлагаемого накопителя заключается в том, что ЦМД, посту- зопаюшие на детектирование из четных разрядов, выводятся компрессором к датчикам,расположенным на одной стороне кристалла, а ЦМД, поступающие на детектирование иэ нечетных разрядов, выводятся ком- Зна другой стороне кристалла,Предлагаемая организация ЗУ позволяет повысить плотность записи и снизить количество выводов датчиков, приходящихся на одну сторону кристалла, что, в свою очередь, позволяег упростить процесс раэварки выводов указанных датчиков и таким образом повысить надежность устройства, Формула изобретенияДоменное запоминающее устройство с произвольным доступом, содержащее моно- кристаллическую пластину с расположенными на ней адресными и разрядными шинами и связанными с запоминающими ячейками генераторами цилиндрических магнитных доменов, компрессорами и датчиками считывания, о т л и ч а ю щ е е - с я тем, что, с целью повышения плотности записи и надежности схемы, компрессоры четных и нечетных разрядов соеди иены с соотвествующими запоминающими ячейками, расположены по разные стороны генераторов цилиндрических магнитных доменов и магнитосвязаны с датчиками считывания, выходы четных и нечетных разрядов которых расположены соответственно на противолежащих, краях монокристаллической пластины, а генераторы цилиндрических магнитных доменов магнитосвяэаны с запоминающими ячейками П -ного и П + 1 -го разрядов, 8 пЛ.