Магнитная система
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Соцйалнстимеских Республик(51 23) осударственный комитетСовета Министров СССРпо делам иэооретенийи открытий ите Опубликовано 15.10.77. Бюллетень3 Дата опубликования описания 10.10.77 3) УДК 621.318.56(72) Авторы изобретения К. П. Белов, С. А. Носковский ордена Лен государственный икит(71) Заявитсл и ориверс 54) МАГНИТНАЯ СИСТЕ Изобретение относится к устройствам для создания постоянных магнитных полей и может быть использовано в электротехнических и электрофизических установках.Известны магнитные системы, состоящие из магнитопровода, постоянных магнитов и полюсных наконечников 11. Наиболее близкой к изобретению по технической сущности является магнитная система, состоящая из магнитопровода, постоянных магнитов 21. Эта магнитная система характеризуется недостаточно высоким магнитным полем в рабочем зазоре,Целью изобретения является повышение величины магнитного поля в зазоре между полюсными наконечниками без увеличения габаритных размеров устройства. В описываемой системе это достигается тем, что в ней полюсные наконечники выполнены составными в виде последовательно расположенных стержня из пермендюра и насадки и монокристаллического редкоземельного материала, например тербия, причем монокристаллические насадки охлаждены до температуры жидкого азота, а ось легкого намагничивания монокристалла ориентирована в направлении магнитного поля в зазоре.На чертеже показана описываемая система, вариант выполнения,Она состоит из магнитопровода 1, постоянЕ. Чуприков и В. П, Посяд на Трудового Красного Знаменет им. М, В, Ломоносова ных магнитов 2, стержнеи из пермендюра 3 и насадок 4 из монокристаллического тербия,Монокристаллические насадки вырезаны изкристалла и расположены в устройстве так, 5 что ось легкого намагничивания монокристалла совпадает с направлением магнитного поля в зазоре. Для уменьшения сопротивления магнитопровода поверхности соприкосновения монокристалла и пермендюрового стержня, а 10 также материала магнита и пермендюровогостержня должны быть тщательно подогнаны и отполированы. Для достижения наиболее сильных магнитных полей в зазоре целесообразно концентрировать магнитный поток, используя 15 монокристаллические насадки в форме конических полюсных наконечников с углом ю при вершине равным 90 и усеченных на диаметре В. Как постоянные магниты, так и стержни из пермендюра необходимы для создания маг нитного поля при котором происходит техническое насьпцение магнитной индукции моно- кристаллической насадки из тербия. Вследствие больших величин размагничивающих полей применение монокристаллических насадок 25 с диаметром 0,=13 мм и высотой 8 мм в качестве полюсных наконечников без пермендюровых стержней неэффективно. Пермендюр использован как материал, обладающий техническим насыщением в слабых внешних мяг нитных полях (менее 100 э) и величиной маг576614 Формула изобретения Составитель А. ЛукинРедактор Л. Тгорина Техред И. Михайлова Корректор И, Позняков Подписн Тираж 995овста Министров СССРи открытийская наб., д, 4/5 Изд. М 813Государственного комитета С по делам изобретений 113035, Москва, )К, Рауш каз 228071-1 П ипографпя, пр. Сапунова, 2 нитной индукции при температуре использования составного полюсного наконечника наиболее близкой к магнитной индукции насыщения тербия вдоль оси легкого намагничивания,В описываемой системе возможно использование коротких (8 - 10 мм) монокристаллических насадок, которые могут быть вырезаны с заданной кристаллографической осью из монокристалла с диаметром не менее 13 мм и произвольной кристаллографической ориентацией относительно оси роста, При этом отпадает необходимость использования длинных монокристаллических стержней, что является существенным, так как промышленность не выпускает монокристаллы тербия необходимых размеров с осью роста, параллельной оси легкого намагничивания.Для достижения положительного эффекта необходимо во время работы поддерживать температуру монокристаллической насадки равной температуре жидкого азота, Превышение температуры монокристаллической насадки на 30 - 50 С приводит к уменьшению дополнительного магнитного поля, создаваемого составным полщсным- наконечником, не более чем на 6 - 8, Монокристаллические насадки могут быть охлаждены как погружением всего магнита в ванну с жидким азотом, так и посредством использования хладопровода, один конец которого погружен в ванну с жидким азотом, а другой - заканчивается обоймой, плотно обхватывающей монокристаллические насадки. Таким образом, описываемая система позволяет значительно повысить (до 45 кЭ) величину магнитного поля в рабочем зазоре; сохранить малые габаритные размеры при до стижении значительных величин магнитногополя и сэкономить магнитный материал; использовать короткие монокристаллические насадки, вырезанные из монокристалла произвольной ориентации.10 Магнитная система, содержащая постоянные магниты, магнитопровод и полюсные на конечники, отличающаяся тем, что, сцелью повышения величины магнитного поля в зазоре между полюсными наконечниками без увеличения габаритных размеров устройства, полюспые наконечники выполнены сос тавными в виде последовательно расположенных стержня из пермендюра и насадки из монокристаллического редкоземельного материала, например тербия, причем монокристаллические насадки охлаждены до температуры 25 жидкого азота, а ось легкого намагничиваниямонокристалла ориентирована в направлении магнитного поля в зазоре. Источники информации,30 принятые во внимание при экспертизе1, Патент США Мо 2952803, кл. 335-302,1960.2, Постоянные магниты. Справочник, М.,Энергия, 1971, с. 158.
СмотретьЗаявка
2342626, 05.04.1976
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ М. В. ЛОМОНОСОВА
БЕЛОВ КОНСТАНТИН ПЕТРОВИЧ, НИКИТИН СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ЧУПРИКОВ ГЕННАДИЙ ЕВГЕНЬЕВИЧ, ПОСЯДО ВЯЧЕСЛАВ ПАВЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01F 7/02
Метки: магнитная
Опубликовано: 15.10.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-576614-magnitnaya-sistema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитная система</a>
Предыдущий патент: Механизм сортировки для устройств раскалибровки радиодеталей на группы
Следующий патент: Обмотка индукционного аппарата
Случайный патент: Устройство для поддержания уровня воды в канале