Устройство для измерения отклонений формы поверхности
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 560132
Авторы: Белоусов, Лицын, Селютин, Черномордик
Текст
О П И С А Н И Е56032 союз Советских Социалистических Республик(23) ПриоритетОпубликовано 3 осударственный комитет Совета Министров СССР ДК 531.717(088,8 5.77, Бюллетень2 делам изобретен рытий ата оп бликования описания 04.07.7(72) Лвторы изобретения Е. В. Белоусов, Н ицын, В. В. Селютин и В, А. Черномордик Заявител Пермский политехнический институ(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОТКЛОНЕНИ ФОРМЫ ПОВЕРХНОСТИИзобретение относится технике и может быть исп троля формы поверхности видов обработки.Известны устройства дл по напряжению пробоя, со тор возрастающего напря блок регистрации. к измерительной льзовано для конпосле различны;,ны с выводами измерительных электродов, а выходы подключены к управляющим входам ключевых элементов, блоками памяти, подключенными к выходам ключевых элементов, и блоком деления, входы которого соединены с выходами блоков памяти, а выход подключен к входу блока регистрации.На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства,Устроиство содержит генератор 1 возрастающего напряжения, подключенный к измерительным электродам 2 и 3, образующим измеряемый и эталонный зазоры. Выводы измерительных электродов подключены через формирователи 4, 5 к управляющим входам ключевых элементов 6, 7 и к сигнальным входам этих же элементов. Выходы ключевых элементов 6, 7 подключены к входам блоков 8, 9 памяти, выходы которых соединены с входами блока 10 деления. Выход блока 10 деления подключен к входу блока 11 регистрации.Устройство работает следующим образом, На измеряемый и эталонный зазоры подается возрастающее напряжение с генератора 1. При определенных уровнях напряжения происходит пробой соответствующих зазоров. Формирователи 4, 5 управляющих сигналов при скачкообразном изменении тока, сигнализнрующем о пробое в соответствующем зання зазора 5 ие генераэлсктрод и я изме держа жения Наиболее б изобретению рения отклон жащее измер щие эталонну стающего на мерительным лизким теявляетсяений форьительныео поверхнпряжения,электрол ническим решени стройство для и ы поверхности, со электроды, обра ость, генератор во подключенный к ам, и блок реги змедер- зую- зра- из- трастроиства имею вленную тем, чт т не только от измеряемой пов словий (темпера Однако эти ность, обусло пробоя зависи электродами и и от внешнихсти и пр.). Цель изобре измерения. Это достига жено ключевь входы которых рительных эле равляющих синизкую точнапряжение азора между 20рхностью, но уры, влакнония - повыш е точнос тся тем, что устр ми элементами, соединены с вы тродов, формиро налов, входы кото оиство снаосигнальные одами измеателями упых соедине56032 Формула изобретения Составитель А. Куликов Техред О. Тюрина Редактор О. Юркова Корректор Н. Аук Заказ 1392/2 Изд.498 Тираж 907 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раугпская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 зоре, открывают соответствующий ключевой элемент 6 или 7, и напряжение пробоя записывается в блоке 8 или 9 памяти. 0 величине зазора судят по отношению напряжения пробоя измеряемого зазора к напряжению пробоя эталонного зазора. Эта операция осуществляется в блоке 10 деления.Несколько измерительных электродов могут образовывать эталонную поверхность, относительно которой определяются отклонения формы измеряемой поверхности. Устройство для измерения отклонений формы поверхности, содержащее измерительные электроды, образующие эталонную поверхность, генератор возрастающего напряжения, подключенный к измерительным электродам, и блок регистрации, отличающееся тем, 5 что, с целью повышения точности измерения,оно снабжено ключевыми элементами, сигнальные входы которых соединены с выводами измерительных электродов, формирователями управляющих сигналов, входы которых 10 соединены с выводами измерительных электродов, а выходы подключены к управляющим входам ключевых элементов, блоками памяти, подключенными к выходам ключевых элементов, и блоком деления, входы которого 15 соединены с выходами блоков памяти, а выход подключен к входу блока регистрации,
СмотретьЗаявка
2163729, 08.08.1975
ПЕРМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
БЕЛОУСОВ ЕВГЕНИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ЛИЦЫН НАТАН МОИСЕЕВИЧ, СЕЛЮТИН ВИКТОР ВАСИЛЬЕВИЧ, ЧЕРНОМОРДИК ВЛАДИМИР АБРАМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 7/34
Метки: отклонений, поверхности, формы
Опубликовано: 30.05.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-560132-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-otklonenijj-formy-poverkhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения отклонений формы поверхности</a>
Элемент памяти
Номер патента: 1287232
Опубликовано: 30.01.1987
Авторы: Настрадин, Рышков, Старчак
МПК: G11C 11/40
...При этом заряжается конденсатор 4 и открывается транзистор 1. Параметры схемы элемента выбраны такими, что после окончания действия на входе информационного сигнала к моменту прихода импульса на шину 5 питания конденсатор 4 не успевает разрядится до напряжения меньшего по абсолютной величине П,ор (фиг,2 в). Импульс, пришедший .с шины 5 через открытый транзис,тор 1 поступит на сток транзистора 3, т.е. на выход устройства, а так как исток транзистора 1 соединен со стоком транзистора 3 и затвором- транзистора 2, то на время, равное длительности импульсаь, откроется транзистор 2, и произойдет "подзарядка" конденсатора 4 через открытый транзистор 2 и нагрузочный транзистор 3 от источника питания (не 2 гпоказан). В дальнейшем в результате...
Многоустойчивый элемент памяти
Номер патента: 585548
Опубликовано: 25.12.1977
Авторы: Губский, Малевич, Постоянов
МПК: G11C 21/02
Метки: многоустойчивый, памяти, элемент
...формирователя 3, при.срабатывании которого цикл повторяется, На выходе вы. ходного усилителя 1 О прн этом регламентируется начальное устойчивое состояние многоусФойчивого элемента.Переход из одного устойчивого состояния в другое происходит при изменении (относительно начального - при увеличении) частоты входного сигнала. Прн этом закрывается (на время, равное одному периоду начального устойчивого состояния) ключ 4, в результате чего осуществляется подавление (срыв) колебаний предыдущего устойчивого. состояния и вслед за этим: ключ открывается и производится фиксация (установление очередного устойчивого состояния, соответСтвующего новому значению входного сигнала, Для этого, как и при фиксации основного начальйого устойчивого...
Элемент памяти
Номер патента: 1361626
Опубликовано: 23.12.1987
Авторы: Братов, Кравченко, Старосельский, Суэтинов
МПК: G11C 11/40
...1 являются нормально открытыми, а транзисторы 11 и 12 - нормально закрытыми, транзисторы блоков 2 и 3 выбор- ки - нормально закрытыми, транзистор 13 узла 4 смещений - нормально открытым.Шина 5 выборки элемента памяти одновременно является шиной питания для триггера 1, что позволяет не подключать выводы элемента памяти к двум различным шинам выборки и питания. В результате разрядные шины 7 и 8 пересекаются с меньшим количеством строчных шин. Емкости разрядных шип уменьшаются, и, следовательно, уменьшается время их перезаряда в режиме выборки.Элемент памяти работает следующим образом.В режиме хранения на шине 6 поддерживается нулевой потенциал, на " шине 5 - потенциал БрЦ - ц+, где Б - напряжение отпирания барьерного перехода П -...
Элемент памяти
Номер патента: 983754
Опубликовано: 23.12.1982
Авторы: Адилов, Азимходжаев
МПК: G11C 11/34
...- 8-10 мкм) изолирующим слоем 5 из слюдяной пластинки,перпендикулярно расположенный относительно электродов 2, полученныйкатодным распылением платины на поверхность слюдяной пластины 5 (фиг.1).На однороднополупрозрачную металлическую пластину, которая являетсятретьим электродом 4, над электродом. сток 2 наклеивают специальным клеемсветонепропускающую диэлектрическуюпластину - полоску из непрозрачнойслюды шириной 1 500 мкм, котораяявляется дополнительным изолирующимслоем б,Аналогичные результаты дает и дру"гой вариант исполнения, заключающийсяв образовании более толстого светонепропускающего слоя из платины (ширинойЙ500 мкм),30Принцип-работы предлагаемого элемента памяти заключается в следующем.На входы 11 и 12 элемента памяти,равномерно...
Элемент памяти
Номер патента: 1084893
Опубликовано: 07.04.1984
МПК: G11C 17/00
...плавающего затвор 4, либо уменьшением толщины межзатвсрного диэлектрика.Однако обя эти пути практически труд"но реализуемы, Включение дополнительного ксндегсаторя между плавающим затвором и стОХОм не мОжет быть ДсстатсчО зш" Фективным из-за необходимости Ограничения емкости такого конденсаторадля н"ключения пярязчтчег, ФФкта связанного с открыванием полувыбрянных пс стоку :лементсв памяти, чтоухудшает ряООту яксителя ня такомэлементе памяти в реальной схемеРПЗУ ПЕЛЬ ИЗОНГЕ"- И,: - УВ.-Л-чз ИЕЯреме ни хране -":ия и-".Ф" .яы.": лемувеличения сдвига пор= .с-.;ого =. и -:жения ячеек памяти при пер ходе изсостояния "Логическая " : с в :тс:чиюЛогический О".Псставт няя цель,с т.гяе Г; тем,что элемент памяти, сед-.,;=;.;.Пранзистор с...
Предыдущий патент: Устройство для бесконтактного измерения угла наклона
Следующий патент: Устройство для измерения перемещений
Случайный патент: Способ получения масел