Позитивный фоторезист
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 547712
Авторы: Бойко, Гуров, Добижа, Милованова, Перова
Текст
па 1 еь библи- . ОП И( АНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл.е а 03 С 1/58 с присоединением заявки-Государственный номитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытийИзобретение относится к позитивным фоторезистам, предназначенным для фотолитографического метода создания изделий электронной техники, которые могут быть использованы в микроэлектронике, радиотехнике и полиграфии.Известен позитивный фоторезист, включающий производное нафтохинондиазида, пленкообра. зующую компоненту, фенолформальдегидные смолы (идитол и резол), метилэтилкетон, диметилформамид и диоксан 111.,Однако сформированные из известного позитивного фоторезиста защитные полимерные маски не выдерживают воздействия травителей, представляющих смеси концентрированных азотной, плавиковой и уксусной кислот, а также перекиси водо. рода. Целью изобретения является повышение химиеской стойкости фоторезиста.Поставленная цель достигается путем введения известный состав позитивного фоторезиста в качестве пленкообразующей компоненты фторопласта при следующем соотношении компонентов,вес .%:Производное нафтохинондиазида ,0 Фторопласт Фенолформальдегицная смола (идитол)3,0- 17,0Резол 6,0. 9,0Метилэтилкетон 2,4- 5,0Диметилформамид 5,0. 1 5,0Диоксан Остальное.П р и м е р. В емкость с мешалкой загружаютуказанные в таблице количества смол, диоксона идиметилформамида. Перемешиваюч смесь до полного растворения смол,В раствор смол загружают светочувствительныйпродукт в указанном в таблице количестве и перемешивают до полного растворения продуктов.Фторопласт марки 32 Л В прогревают в сушильном шкафу при 60 - 65 С в течение 40 мин, охлаждают до комнатной температуры в закрытом сосудеи, перемешивая, растворяют в указанном в таблицеколичестве метилэтилкетона.В емкость с раствором светочувствительного ипленкообразуюшего продуктов при непрерывномперемешивании добавляют раствор фторопласта ипродолжают перемешивать его еще 10 - 15 мин. Полученный раствор фильтруют один раз через технический капрон и два раза - через бумажный фильтр.Все перечисленные процессы ведут при красномсвете,10,4 0,053,00 9,60 56,95 15,00,085,009,046,82 Составитель А, МартыненкоТехред М. Левицкая Редактор О. Кузнецова Корректор А. Алатырев Заказ 635/99 Тираж 6 О 2 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская набд. 4/5Идитол (ГОСТ 2230-43) Резольная смола марки У 236 (МРТУ 6-05-1131-68) Производное нафтохинондиазида марки СКФторопласт марки 32 ЛВ МетилэтилкетонДиметилформамидДиок сан 1 бПрименяя защитные полимерные маски, сформированные из данного фоторезиста, удается тра. вить германий с использованием травителя Н Р: ;Н, О, = 2: 1 (объемные части) на глубину до 180 мкм, а кремний с использованием травителя НИОз, НР:20 :СН, СООН = 10: 1: 1 (объемные части) на глубину до 200 мкм. Формула изобретения Позитивный фоторезист, включающий производное нафтохинондиазида, пленкообразующую компоненту, фенолформальдегидные смолы - идитол и резол-метилэтилкетон, диметилформамид и диоксан,30 о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения химической стойкости фоторезиста, в качестве пленкообразующей компоненты он содержит фторопластпри следующем соотношении компонентов, вес, %: Производное нафтохинондиазида 10,4-15,0 Фторопласт 0,03-0,08 Фенолформальдегидная смола (идитол) 13,0-17,0 Резол 6,0-9,0 Метилэтилкетон 2,4-5,0 Диметилформамид 5,0- 15,0 Диок сан Остальное,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Мазель Е. 3., Пресс Ф. П., "Планарная технология кремниевых приборов", М., Энергия, стр.90 1974, (прототип) .
СмотретьЗаявка
2155144, 11.07.1975
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7850
МИЛОВАНОВА ЗИНАИДА ДМИТРИЕВНА, ГУРОВ СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ДОБИЖА ЕВГЕНИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, БОЙКО ТАТЬЯНА ВЛАДИМИРОВНА, ПЕРОВА ТАМАРА СЕРГЕЕВНА
МПК / Метки
МПК: G03C 1/58
Метки: позитивный, фоторезист
Опубликовано: 25.02.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-547712-pozitivnyjj-fotorezist.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Позитивный фоторезист</a>
Предыдущий патент: Копировальный слой для предварительного очувствления формных пластин
Следующий патент: Композиция для получения тонких копировальных слоев
Случайный патент: Устройство контроля коммутационной матрицы на герконовых реле