Раствор для удаления защитного рельефа, сформированного из позитивного фоторезиста на основе нафтохинондиазидов и фенолформальдегидных смол

О П И С А Н И Е 145532ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикависиз т авт. свидетельства 1 Ч.Кл. б 03 с 116 2) Заявлено 19,07.73 1949486/23-4 явки-присоедццецие Государственный коми Совета Иинистрое СС во делам изобретени и открытий2) Приорите 53) УДК 771.5 (088,8 ллетецьблцковацо 30,12.74. а опублико шя описания 31.03.7(2) Авторы ИЗООРЕТЕЦПЯ А. Родионова н А. ф. Евстифеева Заявитель 54) РАСТВОР ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ЗАЩИТНОГО РЕЛЬЕФА,ФОРМИРОВАННОГО ИЗ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТАНА ОСНОВЕ НАФТОХИНОНДИАЗИДОВ ИФЕНОЛФОРМАЛЬДЕГИДНЫХ СМОЛ 2 цмецецие агрессивцых Оа) и легковоспламецяю цдя) рельев 80 С створцебе и в вляется 2 гидро- числе ошим окц чцой сред Изобретение относится к фотолитографии.Известен раствор для удаления защитного рельефа, сформироваццого из позитивного фоторезиста ца основе цафтохицоцдназидов и феполформальдегидцых смол, с поверхности кремциевых пластин, состоящий из перекиси водорода и гидроокиси аммония. Однако этот раствор цедостаточцо полно удаляет защитный рельеф и органические загрязнения с поверхности цолупроводциковых пластц:.Целью изобретения является эффсктивцое удалсцце рельефа и повышение чистоты и- ,верхцостц полунроводцика,Для этого в раствор введен этилеш.лцколь епри следующем соотношении компонентов,об, ч.:Перекись водорода ( - 10% -ЭтилецгликольГидроокцсь аммоцияВремя проведения процесса удалени 5фа этим раствором при температуре 6составляет - 15 миц,Этилецгликоль является хорошим рателем полцмерцых материалов сам по скомпозиции с М 1-10 Н. К тому же оц яхорошим комплексообразователем дляокисей больш;шства металлов, в томдля Си-, К, Ха.Переглсь водорода является хор,цтеле ии в кислой, так и В щело Эот окислитель окцсляет этилецгликоль до щавелевоц кислоты, а последнюю до СО и 1-1 еО, что оолегчдет утилизацию отходов,Предлагаемый раствор имеет следующиепреиы щества: совмещается операция удаления позитивного фоторезпста с операцией химической обработки поверхцостц кремццевых властии перед диффузионным процессом и формированием пленки на цей;О повышается эффективность удаления позитивных фогорезпстов, подвергцутых как низо-, так и высонотемпсратурцому дублению;улучшдсгся чистота поверхностей кремццеьых пластин;5 ключдстся ц 1 кислотН.Ю НХ щцхся жидкостей;допустима утилизация отработанного раствора в кислотно-щслочцой канализации;О .р долкцтсльцость технологического про.цсссд уд;ле.ця здшцтцой полцмерпой маски с поверхности цлдстцц сокращается в 2 - 3 раза по срдвцеипо с процессом, где для удалеьпя рельефа применяется раствор ца основе гидроб кцсц аммония и перекиси водорода.Г 1 р и м е р. Рдствр для удаления здщцтцого рельефа, сформированного цз позцтцвцого фоторезпстд цд основе цафтохпноцдцазцдов ц фецолррмдльдегцдцых смол црцготдвлцваот слцваццем в стекляцный сосуд 12 оо. ч,455312 Предмет изобретения Составитель А. Мартыненко Техред Г, ДворинаРедактор О. Юркова Корректор Н. Аук Заказ 123 Изд, М 19 б 0 Тираж 506 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, 7 К-З 5, Раушская наб., д. 4/5Обл. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли 310/в-цон Н,О 2, 1 об. ч. СзНвОз и 2 об. ч. ХН 4 ОН. Раствор нагревают до температуры 60 - 80 С. В него помещают кассету с кремниевыми пластинами, ца окисленной поверхности которых имеется защитная полимерная маска и выдерживают в течение 15 - 20 мин. Кассету с пластинами вынимают ц опускают в деиоцизоваццую воду, в которой возбуждается ультразвуковая волна, выдерживают в течение 3 мин и сушат в вакуумном шкафу. Этот раствср можно использовать еще раз, после чего его выливают в кислотную канализацию. Критерием чистоты окисленной поверхности кремния является ее гидрофильность (краевой угол смачивавия водой равен нулю), а также отсутствие ца поверхности светящихся точек в темном поле оптического микроскопа. раствор для удалеция защитного рельефа,сформированного из позитивного фоторезиста 5 ца основе нафтохицондиазидов и фецолформальдегидных смол, с поверхностей кремниевых пластин, содержащий перекись водорода и гидроокись аммония, отличающийся тем, что, с целью эффективного удаления рельефа и 10 повышения чистоты поверхности полупроводника, в его состав введен этилецгликоль при следующем соотношении компонентов, об. ч.:Перекись водорода ( - 10 -цая) 12 Этилецгликоль 1 15 Гидроокись аммония 2