Патенты с меткой «нафтохинондиазидов»

Номер патента: 173756

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Белов, Володарский, Козлов

МПК: C07C 303/08, C07C 309/88

Метки: изомерных, нафтохинондиазидов, сульфохлоридов

...колбы, снабженной термометром и мешалкой, нагревают на масляной бане при 60-"С 2 час (или 6 час при 40 С), охлаждают до 20 - 25 С и выливают на лед. Осадок отфильтровывают, промывают холодной водой, затем 1%-ным раствором бикарбоната натрия и вновь водой до нейтральной реакции промывных вод, Хорошо отжатый на воронке осадок ярко-желтого цвета высушивают в вакуум- шкафу при комнатной температуре,Выход продукта 12,6 г, или 60% о тического. Сырой продукт его раствора в тр ным углем, а пос ливанием в петро кристаллизацией щество - длинн является 6-сульф диазпда. Диазоазста н%: 10,43, збалтываниемактивировант угля - выпоследующей олученное вел. 148 в 1 С нафтохиноночищают ихлорэтилене ле отделения лейный эфир из бензола, ые иглы - с т....

Номер патента: 273355

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Володарский, Козлов

МПК: C07C 247/20

Метки: нафтохинондиазидов

...натрия в 80 - 100 мл воды. После полното перехода амина в раствор лоследний фильтруют, отбирают 900 м,г, из которых подкислением выделяют 112 г 1,2-нафтохинондп азид-сульфокислоту(95% от выхода). Оставшийся диазораствор (200 мл) разбавляют водоп до 1 л, растворяют в нем 120 г технической 1-амино-нафтол-сульфокислоты (эхт-,кнслота) и диазотируют в течение 30 мин 25 раствором 35 г нптрида натрия в 100 лгг воды. После полного перехода амина в раствор ,последний фильгруют, отбирают 900 мл, пз которых подкисленпем выделяют 110 г 1,2- нафтохинондиазид-сульфокислоты(92%) 30 С оставшимся дпазораствором вновь поступаКорректоры: В. Петрова и Е. Ласточкина Заказ 2494,9 Тираж 480 Подписное111 И 11 П 14 Комитета по делам изобретений и открытий при...

Номер патента: 455312

Опубликовано: 30.12.1974

Авторы: Евстифеева, Родионова

МПК: G03C 1/68

Метки: защитного, нафтохинондиазидов, основе, позитивного, раствор, рельефа, смол, сформированного, удаления, фенолформальдегидных, фоторезиста

...отходов,Предлагаемый раствор имеет следующиепреиы щества: совмещается операция удаления позитивного фоторезпста с операцией химической обработки поверхцостц кремццевых властии перед диффузионным процессом и формированием пленки на цей;О повышается эффективность удаления позитивных фогорезпстов, подвергцутых как низо-, так и высонотемпсратурцому дублению;улучшдсгся чистота поверхностей кремццеьых пластин;5 ключдстся ц 1 кислотН.Ю НХ щцхся жидкостей;допустима утилизация отработанного раствора в кислотно-щслочцой канализации;О .р долкцтсльцость технологического про.цсссд уд;ле.ця здшцтцой полцмерпой маски с поверхности цлдстцц сокращается в 2 - 3 раза по срдвцеипо с процессом, где для удалеьпя рельефа применяется раствор ца основе гидроб...

Номер патента: 691799

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Абрамович, Бобков, Семячко, Тупахин

МПК: G03C 5/30

Метки: нафтохинондиазидов, органический, основе, позитивных, проявитель, фоторезистов

...является плохая воспроизводимость результатов, малые скорость и контраст проявления, нестабильность,Цель изобретения .заключается в устранении указанных недостатков.Поставленная цель достигается тем", что проявитель включает моноэтаноламин, триэтаноламин, воду и гликоль, например этиленгликоль, при следующем соотношении компонвн" тов, % об,:МоноэтаноламинТриэтаноламинь личивать в без ухудше изображени проявления В табли изменения . ленного из понировани Табл. 1 тава,об Моноэтан Триэтано Этиленгл 15 ВодаТабл. 3, 4 - дл ителя состава,Ъ об,:Моноэтаноламин 18Триэтаноламин 7Этиленгликоль 40Вода 35,Во всех сЛучаях толщина слоя фоторе,иста составляла 0,7 0,5 мкм времясушки слоя фоторезиста 15 мин температура сушки 955 С; размер элемента на...

Номер патента: 930206

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Богданова, Дозорцев, Кабанова

МПК: G03C 5/02

Метки: нафтохинондиазидов, основе, позитивных, сенситометрического, фоторезисторов

...красителя протекает на фоне избытка продуктов разложения) .Экстремальное значение оптической плотности соответствует экспозиции пленки фоторезиста, оптимальной с точки зрения максимального разрешения.Спектрофотометрирование растворов осуществляют с использованием светофильтра с максимумом пропускания при длине волны 540 10 нм и полушириной спектра пропускания 25 г 10 нм.Для растворения пленок фоторезиста используют водощелочные растворы со значением рН 12,6-12,9. В частности, могут быть использованы .растноры гидроокисей щелочных металлов, фосфатов или силикатов щелочных металлов и их смеси.При проведении одной серии экспериментон формируют пленки фоторезиста одинаковой толщины при постоянных,наперед заданных условиях (нязкость...