Фоторезисторный модулятор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 545064
Авторы: Авдеев, Вартазаров, Долидзе, Калитчев, Мартиросов, Розенштейн, Филатов
Текст
О П И С А Н И Е (гг) 545064 ИЗОБРЕТЕНИЯ К У Союз Советских Социалисгических Республик(61) Дополнительное вт. свид-ву 1 .И1) М, Кл. Н ОЗС 2) Заявлено 15,06.73 931989 09 заявкиприсоединением Государственный комите Совета Министров СССРделам изобретении открыти Дата опубликования о(54) фОТОРЕЗИСТОРНЫЙ МОДУЛЯТО Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться в приборостроении, например, в измерительных усилителях постоянного тока с высоким входным сопротивлением (10 в Ом и более).Известны фоторезисторные модуляторы, содержащие фоторезистор, узел оптической связи, источник света (1). Однако в известных фоторезисторных модуляторах имеются на выходе паразитные фото-э.д.с., возникающие на границах переходов металл - полупроводник фоторезистора во время его освещения модулирующими импульсами света.Наиболее близким по техническому решеншо из известных фоторезисторных модуляторов является фоторезисторный модулятор, содеркащггйг источник света, например светодиод, узел оптической связи и фоторезистор, в котором паразитные фото-э.д.с. устраняются применением защиты переходов металл - полупроводник от излучения 121. Однако в известном модуляторе при защите переходов частично закрываются от света участки полупроводникового слоя, примыкающего к переходам металл - полупроводник фоторезистора. Это приводит к тому, что часть полупроводникового слоя во время работы модулятора остается не освещенной и, следовательно, снижается коэффициент передачи модулятора, ухудшается отношение сигнал/шум за счет включающегося последовательно эквивалентного дополнительного активного сопротивления.Целью изобретения является устранение 5 паразитных фото-э.д.с, возникающих на границах переходов металл - полупроводник фото- резистора, Для этого в предлагаемом фоторезисторном модуляторе узел оптической связи выполнен в виде поворотного металлического О фиксируемого цилиндра со встроенным в него светопроводом, выходной торец которого расположен эксцентрично относительно оси цилиндра.На чертеже приведена схема фоторезистор ного модулятора.Предлагаемый фоторезисторный модуляторсодержит источник света (светоднод 1), узел оптической связи, выполненный в виде поворотного металлического фиксируемого ци- О линдра 2 со встроенным в него светопроводом3, и фоторезистор 4.Фоторезисторный модулятор работает следующим образом.Светодиод 1, питающийся импульсами тока, 5 излучает световыс импульсы, которые передаются через светопровод 3 на светочувствительный полупроводниковьш слой фоторезнстора 4. При попадании импульсов света на фоторезистор 4 изменяется его проводимость О и, таким образом, происходит модуляция сиг545064 Формула изобретения Составитель И, Карпухинаактор Т. Ларина Техред А. Камышникова Корректор А, Галахова Тираж 1054 а Совета Министр и открытий шская наб., д. 4/5 ПодписноеСССР пография, пр. С упова,пала в электрнческон цепи в которую включается фоторезистор 4. Во время освещения фоторезистора 4 импульсами света на обеих его границах переходов металл - полупроводник возникают фото-э. д. с., направленные 5 встречно и включенные последовательно друг с другом и сопротивлением полупроводникового слоя фоторезистора 4. В результате этого на концах фоторезистора 4 во время поступления на него световых импульсов возни кает результирующая фото-э. д. с., равная алгебраической сумме двух фото-э,д.с, возникающих на границе переходов металл - полупроводник. Устранение этой фото-э,д.с достигается путем поворота цилиндра 2 со светопро водом 3. При повороте цилиндра происходит перемещение центра светового пятна по поверхности фоторезистора, что приводит кувеличению освещенности одного из его переходов металл - полупроводник и уменьшению 20 освещенности противоположного перехода, Ввиду того, что значения фото-э.д.с на границах переходов прямо пропорциональны их освещен ностям, соответственно изменяются и значения генерируемых фото-э.д.с на перехо дах. Поворотом цилиндра 2 достигается равенство абсолютных значений фото-э.д.с на переходах и, как следствие, равенство нулю результирующей паразитной фото-э,д.с на концах фоторезистора 4. 30 Заказ 217/18 Изд.153 ЦНИИПИ Государственного комитет по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РауБлагодаря тому, что свстопровод помещен в металлический цилиндр, име 1 ощпй гальваническую связь с корпусом модулятора, уменьшается емкостная связь между светодиодом и фоторезистором, тем самым обеспечивается электрическая развязка цепей возбуждения светодиода от цепей, в которые включается фоторсзистор. Фоторезисторный модулятор, содержащий источник света, например светодиод, узел оптической связи и фоторезистор, о т л н ч а ющийся тем, что, с целью устранения паразитных фото-э.д, с., возникающих на границах переходов металл - полупроводник фото- резистора, узел оптической связи выполнен в виде поворотного металлического фиксируемого цилиндра со встроенным в него свето- проводом, выходной торец которого расположен эксцентрично относительно оси цилиндра.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;1. Калинчук Б. А. и др. Модуляторы малых сигналов, М., Энергия, 1972, с. 103.2. Илюкович А. М. Измерительные усилители постоянного тока с преобразователями на фотосопротивлениях, Измерительная техника5, 1967 (прототип).
СмотретьЗаявка
1931989, 15.06.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5534
АВДЕЕВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ, ВАРТАЗАРОВ ЭДВИН ГЕОРГИЕВИЧ, ДОЛИДЗЕ ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ, КАЛИТЧЕВ РУБЕН КАРАПЕТОВИЧ, МАРТИРОСОВ ВАЛЕНТИН ДЕРЕНИКОВИЧ, ФИЛАТОВ ИГОРЬ ЛЬВОВИЧ, РОЗЕНШТЕЙН ЛЕВ ИЗРАЙЛЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03C 1/34
Метки: модулятор, фоторезисторный
Опубликовано: 30.01.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-545064-fotorezistornyjj-modulyator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фоторезисторный модулятор</a>
Предыдущий патент: Формирователь сетки стандартных частот с кварцевой стабилизацией частоты
Следующий патент: Устройство для получения амплитудной модуляции с подавлением несущей
Случайный патент: Способ получения хлорбромсодержащих полибутадиенов