Невзаимное устройство

Союз Советекиа Социалистических Республик(22) Заявлено 01,07,74 (21) 2039218/09 51) М. Кл.з Н 01 Р 1/32 с присоединением заяв Гасударственный комите Совета Министров СССР 23) Приоритет Опубликовано 15бано Д, А. Усанов и Л, Н. К Научно-исследовательский институтпри Саратовском ордена Трудового государственном университете им, Н ханиики и физикрасного Знамени Г, Чернышевского(54) НЕВЗАИМНОЕ У СТ он образца лектрика 3, оторого выи полупрогсточники 4 Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться в качестве СВЧ-развязки.По основному авт, св, 362378 известно не- взаимное устройство, содержащее отрезок прямоугольного волновода, источник магнитного поля и полупроводниковый образец, поперечное сечение которого выполнено уменьшающимся по линейному закону от основания 11.Однако известное устройство требует большую,величину индукции магнитного поля, необходимую для получения больших развязок и малых потерь.С целью уменьшения величины индукции магнитного поля, необходимой для получения больших развязок и малых потерь, в предлагаемом невзаимном устройстве, по крайней мере, иа одной из боковых сторон полупроводникового образца у его основания нанесен слой диэлектрика, диэлектрическая проницаемость которого выше диэлектрической проницаемости полупроводникового образца.На фиг. 1 приведена конструкция невзаимного устройства; на фиг. 2 - сечение по А - А на фиг, 1.Невзаимное устройство содержит отрезок прямоугольного волновода 1, внутри которого установлен полупроводниковый образец 2, поперечное сечение которого выполнено уменьшающимся по линейному закону от осна однои из боковых стор нования нанесен слой диэ ическая проницаемость к ектрической проницаемост ого образца 2, а также ого магнитного поля. нования у его ос диэлектр ше диэл воднико попереч Невзаимное устройство щим образом,Полупроводниковый обр из материалов, обладающ температуре высокой подв концентрацией носителей антимонида индия. Полуп зец 2 расположен в центре 1 или несколько смещен стенки. Магнитное поле на кулярно узким стенкам об работает следую 2 изготовлен и комнатной тью и низкой а, например иковый обрака волновода орону узкой ено перпендиволновода 1. азец ижно заря ровод отре в с правл разцая обратнои волны к осикового образца 2, на ванию часть одной или оны которого нанесен проницаемостью, выше ицаемости полупроводнергия волны сильно поельно малых значениях поля и прямых потерь, братной волны объясняслоя диэлектрика 3 с 20 При смещении пол нованию полупроводн прилегающую к осно каждой боковой стор слой диэлектрика 3 с25 диэлектрической прон никового образца 2, э лощается при относит индукции магнитного Сильное поглощение о30 ется тем, что наличие О П И С А Н И Е (1) 543053ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ3проницаемостью, выше диэлектрической проницаемости полупроводникового образца 2, приводит к увеличению концентрации СВЧ- поля обратной волны в области полупроводникового образца 2, граничащей с диэлектриком 3 и, следовательно, к увеличению поглощения. Поле прямой волны смещается к основанию полупроводникового образца 2, свободному от диэлектрика 3, поэтому концентрация СВЧ- поля прямой волны в полупроводниковом образце 2 меньше, а следовательно, меньше поглощение прямой волны. Дополнительное уменьшение индукции магнитного поля при одновременном увеличении СВЧ-развязки достигается использованием полупроводникового образца 2, поперечное сечение которого уменьшается по линейному закону от основания, и заменой части широкой стенки отрезка 543053 волновода 1, к которой прилегает сторона с большей площадью, поглощающим материалом,Формула изобретенияНевзаимное устройство по авт, св. 362378,отличающееся тем, что, с целью уменьшения величины индукции магнитного поля, необходимой для получения больших развя зок и малых потерь, по крайней мере, на одной из боковых сторон полупроводникового образца у его основания нанесен слой диэлектрика, диэлектрическая проницаемость которого выше диэлектрической проницаемо сти полупроводникового Образца.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе изобретения:1, Авторское свидетельство СССР362378,М. Кл. Н 01 Р 1/32, 1970 г. (прототип).оставитсль А. Кузнецов хред Е. Петрова Тираж 1019 ;огиитета Совета Министров тений и открытий35, Раушская наб., д. 4 5 ПодписноеСР пография, пр. Сапунова, 2 Изд.114 Государственного по делам изоб 113035, Москва, )К