Устройство для выращивания моно-кристаллов из расплавов

О П И С А Н И Е (ц 5 О 8266ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(61) Дополнительно авт. свид-в 51) М. Кл,2 В 01 Л 17/04 1 явлено 26,06.72 (21) 1802140/23 присоединением явк Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений 23) Приорите(53) УДК 669 054 (088 8 юллетень12сания 18.05.76 ковано 30,03.76.публикования оп о и открь ат Авторы изобретеню М, Гармаш, В. Б. Голубева и И. Н. Черноусов 71) Заявитель УСТРОЙСТВ ВЫРАЩИВАНИЯИЗ РАСПЛАВОВ ОКРИСТАЛЛО тков 20 разскийтов, вытиг- вну- ото- бо 3 ров. прт Изобретение относится к технике выращивания монокристаллов из расплавов, а именно к устройствам для выращивания монокристаллов методом Чохральского,Известные устройства для выращивания 5 монокристаллов содержат тигель и керамический стакан, выполняющий роль теплоизоляции. Недостатком такой конструкции является растрескивание и разрушение керамики вследствие термических напряжений в ней, 10 возникающих при быстром разогреве тигля до температуры 2000 С за 140 - 200 мин, и механических напряжений, имеющих место в результате изменения размера металлического тигля при эксплуатации. Это приводит к изме нению теплового режима и геометрии расположения металлического тигля в нагревателе, что снижает качество выращиваемых кристалС целью устранения указанных недоста между тиглем и керамическим стаканом мещен, по крайней мере, один керамиче стакан, выполненный из отдельных элемен На чертеже изображено устройство для ращивания монокристаллов. Устройство состоит из металлического ля 1 внешнего керамического стакана 2,тренних керамических стаканов 3, 4, дно т рых выполнено из отдельных секторов, а ковая поверхность - из набора разъемных лец в зависимости от требуемых размеСочленение секторов и разрезных колец может быть выполнено различно в зависимости от прочностных характеристик керамики, например для алундовой керамики можно применить различные замковые соединения, а для стабилизированной двуокиси циркония - сочленение замком или прямое соединение в зависимости от размеров зерна и допусков.Сборка кристаллизатора производится в следующей последовательности: внешний стакан (обечайка и дно) помещается на несущую подставку, далее укладываются внутренние сектора дна, затем устанавливаются разьемные разрядные кольца таким образом, чтобы разъем приходился приблизительно на середину нижележащего кольца и т. д. до требуемой высоты, определяемой высотой металлического тигля и типом выращиваемого кристалла. Собранный кристаллизатор помещают на специальную подставку в камеру ростовой установки, создают специальную атмосферу (инертную или вакуумную), осуществляют наплавление сырья и выращивание монокрнсталлов, После окончания процесса выращивания использованный металлический тигель с остатками сырья извлекают, заменяют новым, и процесс повторяют.В процессе выращивания кристалла, происходящем при высоких температурах порядка - 2000 С, исключается растрескивание керамического стакана благодаря тому, чтоРедактор Т. Пилипенко Корректор Т, Гревнова Заказ 1036/11 Изд,1243 Тираж 864 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К.35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 разогреве в отдельных деталях керамического стакана возникают гораздо меньшие термические напряжения, чем в целиковом стакане, а механические напряжения, возникающиев результате изменения размера металлического тигля, отсутствуют за счет того, что отдельные детали керамического стакана подвижны друг относительно друга,Формул а изобретенияУстройство для выращивания монокристаллов из расплавов, содержащее тигель и керамический стакан, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока его службы, стабилизации температурного режима и повышения качества полученного кристалла, меж ду тиглем и стаканом размещен, по крайнеймере, один разъемный керамический стакан, выполненный из отдельных элементов. 2. Устройство по и. 1, отличающееся 10 тем, что дно разъемного стакана выполнено из отдельных секторов, а боковые стенки - в виде набора колец,