Способ сушки тонкодисперсных материалов

Номер патента: 942889

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Пооль, Стрыжанков, Талако

МПК: B22F 7/04

Метки: диска, металлического, напрессовки, поверхность, порошкового, пресс-форма, слоя

...4 и 12, выполненными из эластичного материала (например резина, полиуретан), вверх относительно нижнего пуансона (до регулировочных упоров 5 и 11). Для регулировки высоты слоя засыпки порошка движение поршня 7 вверх ограничено регулируемым упором 19. 9 4Магазин 20 поштучной выдачи металлических дисков, установленный позадипитателя 21, представляет собой кассету (не обозначена) с двумя эксцентричнорасположенными отверстиями д и с 3,равными наружному диаметру металлического диска 18, причем глубина нижнегоотверстия равна двум толщинам диска(21 ), а глубина верхнего такова, чтопод ним оставлено тело магазина толщиною в один диск ( Я "Ф, ) . Сопряженные части обоих отверстий соединенымежду собой пазом. В задней стенке (не...

Номер патента: 356314

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Батюн, Горлин

МПК: C23C 20/06, C25D 5/56

Метки: нанесения, пластмассовых, поверхность, проводящего, слоя

...Способверхносттролитичпокрытияспензиейрителе,пластмаспанесениполикарб Изобретение относится к области нанесения металлических покрытий на поверхность пластмассовых изделий, в частности к области нанесения на них проводящего слоя перед осаждением гальванических покрытий,Известен способ нанесения проводящего слоя на поверхность пластмассовых изделий, заключающийся в обработке их суспензией, содержащей наполнитель и органический растворитель, растворяющий металлизируемую пластмассу.Предложенный способ отличается от известного тем, что обработку осуществляют в суспензии карбонильного железа в дихлорэтане, что позволяет наносить проводящую пленку на поверхность изделий из поликарбоната,Согласно предложенному способу нанесение проводящей...

Номер патента: 1350443

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Пащенко, Рагутский, Ржевский, Солод, Тютюнник, Хорин

МПК: F16N 15/00

Метки: пар, поверхностях, сервовитного, скольжения, слоя, создания, трения

...и дозатора и доводятся до заданной концентрации непосредственно перед подачей в рабочие камеры, Программное устройство нагрузок и разгрузок гидростатических давлений в рабочей камере имеет регулируемый режим по скорости нагруженияи достижения заданного гидростатического давления до Ри до Р кр. минкр мин, кр. миифЛюбой из циклов нагружения, выдержкадостигнутого давления и последующаяразгрузка могут быть изменены в процессе выдачи видеозаписи заданногои фактического циклов диаграммы нагружения. С каждого гнезда ппиты производится видеозапись цикла гидростатического нагружения, электротока,температуры, а также тепловые, световые, акустические процессы у верхнейи нижней кромок кольцевых капиллярныхщелей каждого поршня и гильзы,...

Номер патента: 520944

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Вольфганг, Ганс, Георг, Гюнтер, Карл, Петер, Штефан

МПК: G03D 15/00

Метки: многослойного, например, покрытия, сушки, установках, фотоматериалов

...сушки. Ж, Отсюда воздух но спиральной схеме направляется вплоть доучвст-ка Р, Эта схема иногда используется,когда технология сушки материала в концеи в начале сушильного участка требует более низкой температуры сухого воздуха, од-,нако, в середине участка допустимы болеевысокие температуры.По схеме с циркуляцией воздуха (фиг. Д).вентилятор 17 нагнетает. воздух в любойучасток сушки через нагревательный алемент 18 и фильтр 19 по обогреваемым каналам 16 в шахту 2 подачи воздуха в корпусе 1 устройства, Воздух поступает черезшлицевые сопла 4 на высушиввемую основу 5 и обтекает по. ее краям. Путь цодвчивоздуха сзади нагревательных элементовразделен симметрично на двв канала, Благодаря етому возможно обдувать основу кинопленки воздухом...

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...