Полупроводниковый прибор

Номер патента: 871103

Опубликовано: 07.10.1981

Автор: Рожков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, полупроводниковых, прямых, термокомпенсации, характеристик

...диоду,На фиг. 1 представлена функциональная схема предлагаемого устройствана фиг. 2 - вариант принципиальнойсхемы устройства с элементами заданиярежимов опорного диода и вычитающегоустройства, в качестве которого может 1 обыть использована схема на основе операционного усилителя с дифференциальным входом.Предлагаемое устройство (фиг. 1):соцержит генератор тока 1, опорный 15диод 2, вычитающее устройство 3 итермокомпенсируемый диод 4Ток генератора 1 проходит практически полностью через опорный диод 2, создавая опорное напряжение, поступающее2 оНа первый вход вычитающего устройства3, на второй вход которого подаетсянапряжение смещения О смС выхода вычитающего устройствана вход термокомпенсируемого диода 4поступает напряжение 0 В =(.1 о-...

Номер патента: 951200

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Астахов, Шадрин

МПК: G01R 31/26

Метки: визуального, диодов, полупроводниковых, характеристик

...5 и б.Сплошной линией изображены диаграммы, соответствующие годному диоду, у которого напряжение лавинногопробоя при заданном уровне обратного тока, задаваемого с помощью дискриминатора б, больше нормы, задаваемой с помощью дискриминатора 5, Бракованному диоду соответствуют диаграммы (фиг.2 б,г), изображенные пунктирной линией.Обратная ветвь ВАХ исследуемого диода 4, наблюдаемая на экране осциллографа 2, представлена на фиг.З. Кривая 10 соответствует диоду, годному по напряжению лавинного пробоя при заданном уровне обратного тока Зд . Свидетельствует об этом яркостная метка на ВАХ диода, соответствующая току Лб . Кривая 11 соответствует бракованному диоду (метка отсутствует), Напряжение является порогом...

Номер патента: 1817559

Опубликовано: 10.06.1996

Автор: Питанов

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-фарадной, диода, параметров, полупроводникового, характеристики

...и Ч;,1, и 1 - эффективные значения первой и второй гармоник тока через диод;Ч, - эффективное значение первой гармоники напряжения на диоде;у- показатель степени вольт-фарадной характеристики;Ч, -диффузионный потенциал выпрямляющего контакта диода.Осуществление предлагаемого способа поясняется с помощью устройства, показанного на чертеже и представляющего собой емкостно-омический делитель. Способ определения параметров вольтфарадной характеристики полупроводникового диода, включающий подачу на диод регулируемого обратного смещения и гармонического сигнала и измерение эффективного значения первой гармоники тока через диод, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном повышении его информативности,...

Номер патента: 251096

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Алферов, Андреев, Корольков, Носов, Портной, Третьяков

МПК: H01H 21/203

Метки: диодов, основе, полупроводниковых, соединений

...алюмивысокой чистоты позволяет получить концентрацию примесей в выращенных твердых растворах порядка 10Я 1Твердые растворы Яха Яз с ой низкой концентрацией примесей можно получить только п-типа, Использование в качестве подложки 4 оЯВ р-типа позволяет создать р-п-переход и высокочистый слой в области объемного заряда диода в течение одного технологического цикла.Критическая напряженность поля в твердых растворах с шириной запрещенной зоны,25 1096 Составитель М, ЛепешкинаРедактор В. Данилова ТехредА. Демьянова Корректор С. Болдижар Заказ 818/78 Тираж 1002 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035; Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул,...

Номер патента: 270898

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Аксененков, Бовыкин, Бородулина, Колесников, Крупко, Кузнецов, Сафонов, Свергунов, Тулинов, Филимонов, Царенко, Цыков, Чупрнков, Шейнов

МПК: H01L 21/50

Метки: диодов, линия, полупроводниковых, сборки

...и шлюзами для выполнения некоторых ручных операций соорки диодов.Устройство для присоединения к ленте в зоне оформленного кристаллодержателя баллона диода выполнено также в виде двух линейно расположенных механизмов, обслуживаемых оператором. Оно содержит направляющую 38 для ориентированного перемещения ленты, механизм 39 контактной конденсаторной сварки с двумя подвижно смонтированными в вертикальной плоскости электродами, один из которых выполнен регулируемым, а также комплект сменных кассет 40 с установочными штифтами и съемными электродами 41.Устройство для обжима и проварки трубки45 50 55 60 65 5баллона выполнено в виде пресса и механизма контактной конденсаторной сварки, которые приводятся в действие посредством...