H01L 5/00 — H01L 5/00

Номер патента: 482835

Опубликовано: 30.08.1975

Автор: Стафеев

МПК: H01L 5/00

Метки: полупроводниковый, прибор

...по 15-характеристикой), вь О омного материала, напр ванного золотом, о т что, с целью обеспеч вольтампсрную характе соседнего диода, инвер 5 жены па расстоянии не зионных или дрейфовыхМопокристалл высокоомного пол например п-типа, зоне глубокие пр кремний с примесРабота прибора образом,11 зобрстснис относится к области полупроводниковой электроники.Известен полупроводниковый диод с неоднозначной по току характеристикой (Я-характеристикой), выполненный из высокоомного материала, например кремния, легированного,плотом.11 редла гаем ый пол проводниковый прибор, содержащий диоды с 5-характеристикои, отличается тем, что, с целью ооеспечения воздействия на вольтамперную характеристику диода током соседнего диода, инверсные области...