Способ получения кристаллогидратного наполнителя, например, гипса”

Номер патента: 481561

Авторы: Вайкуле, Лакиза

ZIP архив

Текст

(ц) 483561. Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 10.05.73(21) 1921785/23-26с присоединением заявкиоЦ М. Кл. С 04 511/0208 1 1/02 С 0111/46 Гасуяаротвеииый иоинтет Совета Министров СССР по делам изооретеинй и открытий, Ваику Заявител Воронежский технологический институ 4) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОГИДРАТНОГО НАПОЛНИТЕЛЯ, НАПРИМЕР ГИПСА 2 а получаю При осушес полугидрат, не рого, идентич ленни спо структура которе кристаллогид мин. За это быть введен в равновеснаяая структуся 10-100ель долженпозицию.Бюксы с ата, сохраняет ремя наполнит олимерную кодПример 8 О 42 Н 2 Овакуум и взвешивашилку дическ В табл. 1 привнения веса порошк исилость изме2 Н О от вре 2ературе 80 Сооппине слоя ится заСа 8 О при темпт. ст. и идратации 750 млр и де акуум 0 мм Т а а 1 Вр гидрата 2 5 5 В бы,27,20 24,95 24, 10 23,2,5 Изобретение относится к способам получения наполиителей для полимеров на основе кристаллогидратов,Известен способ получения Р -полугидрата гипса в вакууме 600-759 мм рт.ст. с одновременным подогревом гипсового порошке до 100-150 оС.Однако при температуре дегидратации100 оС и выше структура кристаллогидрата,например гипса, изменяется с большой скоростью и к моменту введения в полимерную композицию полуводный гипс имеетструктуру 3 -полугидрата.С целью повышения качества целевогопродукта, по предлагаемому способу процесс дегидратации проводят при 70-100 оС.Таблица 2 Времявведения в композициюнаполнителя после дегидатации, Аин 20 30 60 100 Предел прочности при сжатии,2кгс/см 705 654 624 600 Оетаай вмь Е,ЬанкулсРедактор 0 и . , ех:зд, 34 )фв,а,к . 48одш 1 сное ЦНИтИ осуаарственвото комвтет С т" МЦ " .е 1 а,окота цн 1 ц.тров .:(.С.Рво де, вм и 1 б 1 ет евши в откьЯЙМосква, 3 ОЗо, Раушекая цвб.,Рвдврввве 1 атев Мо кг".,:оеквз,1 Ч, :евжковокав ваб, 21 131В табл, 2 йриводится зависимость предела прочности при сжатии заливочной композиции на Ьснове полиэфирной смолы ПН.и Предел прочности при сжатии образцовкомпозиций, наполненньи полугидратом гипса,получент.м при 120-145 С, не болеео570 кгсlсм 2.Предмет изобретенияСпособ получения кристаллогидратногонаполнителя, например гипса, путем дегидполугидрата гипса от времени введения последнего после дегидратации при темпеоратуре 80 С в вакууме 750 мм рт, ст,ратации его под вакуумом при повышенной20 температуре, о т л и ч а ю ц и й с я тем, что, с целью повышения качества ц,левого продукта, процесс осу 1 цествляв т при70-100 С,

Смотреть

Заявка

1921785, 10.05.1973

ВОРОНЕЖСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ЛАКИЗА ВЛАДИМИР ВИКТОРОВИЧ, ВАЙКУЛЕ КАТАРИНА ВЛАДИСЛАВОВНА

МПК / Метки

МПК: C04B 11/02

Метки: гипса, кристаллогидратного, наполнителя, например

Опубликовано: 25.08.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-481561-sposob-polucheniya-kristallogidratnogo-napolnitelya-naprimer-gipsa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллогидратного наполнителя, например, гипса”</a>

Похожие патенты