Оксидно-полупроводниковый конденсатор

Номер патента: 410

Опубликовано: 15.09.1924

Автор: Чернышев

МПК: H01J 1/42

Метки: анодов, катодных, ламп

...поверра разворачиваются Для улучшения охлаждения анодов в катодных лампах при помощи излучения, автор предлагает делать их в виде цилиндров из гофрированной жести. Таким образом удается значительно увеличить излучающую поверхность с одной стороны и, с другой стороны, придать цилиндру большую механическую прочность. В результате при тех же размерах внутреннего радиуса цилиндра удается получить излучающую поверхность до двух раз большую, чем в обычно применяемых цилиндрических анодах, и, таким образом, имеется воз можность увеличить мои 1 нос 1 ь лампы в о-жежелате аниче мет изоБРетения ойство анодо еризующееся аноды катод тонкого гоф еталла, при ч могут быгь с и закраиной,лами, ндри- товле- листондра. нутой атодных Устр характ...

Номер патента: 429374

Опубликовано: 25.05.1974

Автор: Гриша

МПК: G01R 27/26

Метки: бесконтактных, высокой, измерений, параметров, полупроводниковых, слоев, частоте

...1 с плавной перестройкой частоты, элемент связи 2, имеющий малое (менее чем в 10 раз) реактивное сопротивление по сравнению с последовательным реактивным (емкостным) сопротивлением кварцевого резонатора 3, пер вичпую обмотку 4 трансформатора с емкостным зондом 5, Индуктивное сопротивление первичной обмотки 4 трансформатора должнО быть во много раз (более 10) менее эквивалентной индуктивности кварцевого резонато ра 3, а емкость зонда 5 должна быть большой(более 10 раз) по сравнению с эквивалентной последовательной емкостью кварцевого резонатора 3.-а некотором расстоянии от зонда 5 15 (0,1 мм) находится испытуемый слой 6, нанесенный на проводящую подложку 7 стеклянной пластины 8. Вторичная обмотка 9 трансформатора подключена к...

Номер патента: 1068847

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Гулидов, Овчаренко, Панасюк, Смирнов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: области, параметров, полупроводникового, слоя

...области измерений, а такжевременная зависимость 13 толщины неравновесной области пространственного заряда.МДП-структура включает также скрытый слой 14, контактное окно 15 дляподключения вольтметра, контактнуюплощадку 16 - МДП-структура на внешней области полупроводникового слоя,контактную площадку 17 - МДП-струк-,тура на контролируемой области полупроводникового слоя,Электрическую изоляцию контролируемой области от остальной частислоя структуры на. время измеренияосуществляют не с помощью разрушающих структуру технологических операций, а путем йодачи на ограничивающую размеры контролируемой области по поверхности слоя замкнутуюМДП-структуру импульса напряжениятакой полярности, при которой происходит обеднение слоя полупроводника...

Номер патента: 1272283

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Ворвуль, Ковалелис, Матвеев, Росов

МПК: G01R 29/12, G01R 29/24

Метки: движущихся, диэлектрических, заряженных, контраста, периодически, полупроводниковых, слоях, электростатического

...частот, оконечного усилителя 7 и регистрирующего прибора 8.Неподвижные чувствительные элек- ЗО троды 1 располагаются на расстоянии, например, 0,5-2 мм от контролируемой поверхности по направлению перемещения периодического потенциального рельеФа на расстоянии, равном нечет- З 5 ному числу пространственных полупериодов периодического потенциального рельефа.Чувствительные электроды могут иметь любую форму и быть выполнены 40 различным образом, например из Фольгированного стеклотекстолита (фиг.2),Могут быть предусмотрены конструктивные меры, позволяющие плавно либо ступенчато изменять расстояние между 45 чувствительными электродами, Входное сопротивление дифференциального усилителя 4 равно, например, 10-30 МОм,Принцип действия...

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79