Состав для термодиффузионного легирования

Номер патента: 354007

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Белый, Егоренков, Институт, Лин, Плескачевский

МПК: C23C 26/00

Метки: изменения, металлических, поверхностного, слоя, состава, сплавов, структуры

...плавления при совместном нагреве сплава и полимерного покрытия в термошкафах, индукционным нагревом металла, диэлектрическим нагревом полимера и т, д. При этом поверхность металла искусственно обогащается нерастворимыми в полимере компонентами сплава. По окончании процесса полимерное по 1 рь 1 тиепри необходимости удаляют путем отслаивания, растворения в органических растворителях и т,д.5 Процесс растворения металлов расплавамиполимерных покрытий сопровождается такжевосстановлением окислов металлов, находящихся ва поверхности сплава, ликвидациеймикродефектов и т, д.10 Например, для обогащения поверхности латунной пластины медью на обрабатываемуюповерхность, предварительно шлифованную,насыпают слой порошкообразного пентапласта толщиной...

Номер патента: 1540578

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Елютин, Лазарев, Мараканов, Мушакова, Осипов, Чеботаренко

МПК: H01C 7/00

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводникового слоев, формирование рисунка резистивных и проводниковых элементов и стабилизацию термообработкой на воздухе с последующим формированием защитного слоя путем нанесения металлического слоя и его оксидирования, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности резисторов, в качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия и молибдена, а операцию стабилизации и оксидирования металлического слоя совмещают.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стабилизацию резистивного слоя осуществляют при температуре 350...

Номер патента: 219356

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Боыдарь, Кулагина, Потапов

МПК: C25D 3/56

Метки: осаждения, сплавов, хрома, электролитического

...спо электролитически оса фор, содержащий от 1 д ладающий повышенной костью и износостойкоствпервые позволяет ь сплав хром-фос% фосфора и обкоррозийной стойектролитического осажиз электролита, содерром и сернокислый амсоб жда Предмет изобрете спла- сер- отли- спла- ммо- ении 00 - 30 10 - 40 20 - 80 тем,пер тока тур Известен спосоо элдения сплавов хромажащего сернокислый хмоний.Для получения сплава хром-фосфор предложено в электролит вводить аммоний гипофосфит при следующем соотношении компонентов, г/л;сернокислый хром 100 в 3 аммоний гипофоофит 10 - 40 сернокислый аммоний 20 - 80 и процесс вести при рН 1 - 2, температуре 20 - 60 С и катодной плотности тока 20 - 50 а/дм.Процесс вед фключеннымимики.Выход сплава по току...

Номер патента: 269668

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ионычева, Йчэь, Московский, Шлугер

МПК: C25D 3/56

Метки: осаждения, сплавов, хрома, электролитичеокого

...Способ электролитического осаждения вов хрома в электролите, содержащем х вый ангидрид и селеновую кислоту, отл и 1 ийся тем, что, с целью получения с хром - селен - теллур, в электролит в теллуровую кислоту при следующем с шении компонентов, г лтоль/л:хромовый ангидрид 2,5 - 3,0 селеновая кислота 0,05 - 0,2 теллуровая кислота 0,01 - 0,1 спла- омо- чаюлава одят отножда ются 20щие 12 -процесс ведут при плотности ток0 а/длтз и температуре 20 - 25 С. Изобретение относится к области получения электролитических сплавов, в частности сплавов хрома.Известен способ электролитического осаждения сплава хром - селен в электролите, 5 содержащем хромовый ангидрид и селеновую ,.кислоту.Предложенный способ позволяет получать сплав хром - селен -...

Номер патента: 1598726

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Аванесян, Лазарев, Осипов, Савчук, Стусь

МПК: H01C 17/00, H01C 7/06

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий последовательное нанесение резистивных и проводниковых слоев на диэлектрическую подложку методом термического испарения в вакууме, формирование проводниковых и резистивных элементов методом фотолитографии, многократную термообработку в диапазоне температур 250 550°С, включающую нагрев, охлаждение, измерение сопротивления резисторов и расчет значений ТКС, изотермическую выдержку, подгонку величины сопротивления, причем термообработку прекращают по достижении заданных значений ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления за счет временной стабильности резисторов, подгонку величины сопротивления осуществляют в два этапа,...