Сдвоенный полупроводниковый излучатель

". ," о ;г 4е нэ яя ф ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1 и 46750 Союз Советских Социалистических Республик05 Ъ 33/О осударственныи комитет овета Министров СССР 3) Приоритетпубликовано 15.04.75, Бюллетень14 УДК 628,9,03(088 о делам изобретенн н открытий(72) Автор изобретеш М. А. Великотный Ленинградский институт точной механики и оптик1) Заявител ЕННЫЙ ПОЛУПРОВОДН 1 Й ИЗЛУЧАТЕЛЬ л с ви ра Известны оптические исучом, отдельные части кя независимо.Обычно такой источник получают искусственно, например, при помощи многоканальной 5 оптической системы, каждый канал, которой проектирует в плоскость разделяющего элемента излучающую поверхность предварительно промодулированного источника. Часто таким разделительным элементом служит приз 10 ма (например, в приборах управления лучом).Однако такие устройства обладают сравнительно большими габаритами, сложны, имеют малый срок службы и потребляют значительную мощность. 15Известны полупроводниковые излучатели, выполненные на двух кристаллах арсенида галлия с р - п-переходом и раздельным подводом питающего напряжения.Эти излучатели, хотя и могут быть исполь зованы для получения разномодулированного луча, однако в них между световыми полями обоих кристаллов имеется широкая разделительная темная щель, а вдоль этой щели - неравномерность яркости. 2Для получения бесконечно узкой прямолинейной границы между светящимися полями обоих кристаллов и равномерной яркости вдоль этой границы в предлагаемом излучателе боковая грань призмы расположена под углом 45 к плоскости р - и-перехода и на нее нанесено отражающее покрытие с частичным перекрытием светящихся полей обоих кристаллов, яркость которых равномерна вдоль прямолинейной разделяющей их границы.На чертеже схематически показан предла гаемый сдвоенный полупроводниковый излучо тель.Здесь: 1 - кристаллодержатель (общий электрод), 2 - кристалл арсенида-галлия с р - п-переходом, 3 - независимые омические контакты к п-области, 4 - внутреннее отражающее покрытие, 5 - р - п-переход.Конструкция излучателя обеспечивает выход излучения в направлении, перпендикулярном плоскости р - п-перехода.Кристаллы арсенид-галлия 2 выполнены в де призмы, одна из боковых граней которой сположена под углом 45 к плоскости р - п-перехода. На эту грань нанесено отражающее покрытие 4. Таким образом, излучение р - и-перехода происходит со всей поверхности внешней грани кристалла. При этом на отражающей грани происходит смешение лучей и, как следствие этого, выравнивание яркости вдоль границы раздела световых полей призм. На чертеже направление излуче. ния показано стрелками,4675 О 5 Предмет пзобрстения Составитель Л. Сольц Редактор И. Шубина Техред Е. Иодурушина Корректоры: 8. Дод и Е. ДавыдкинаЗаказ 1655 г 14 Изд.1358 Тираж 869 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4,5Типографии, пр Сапунова, 2 Для получения бесконечно узкой границы раздела осуществлено перекрытие одного из светящихся полей следующим образом.Кристаллы 2 установлены на кристаллодержателе 2 на разной высоте, что позволяет частично перекрыть внешнюю излучающу 1 о грань нижнего кристалла внешней гранью верхнего, как показано на чертеже; г 1-область каждого кристалла имеет свой омический контакт, выполненный в форме ленты, расположенной вдоль ребра, и позволяющий осуществлять раздельную модуляцию излучения током питания,Резкая, прямолинейная граница раздела светящихся полей дает возможность использовать сдвоенный полупроводниковый излучатель для формирования в пространстве луча с резко выраженной границей раздела между его разномодулированными частями. Сдвоенный полупроводниковый излучатель,содержащий два кристалла арсенида галлия 5 в форме призмы с р - л-переходом и раздельным подводом питающего напряжения, смонтированных на общем основании - кристаллодержателе, отличающийся тем, что, с целью получения бесконечно узкой прямолиней ной границы между светящимися полями обоих кристаллов и равномерной яркости вдоль этой границы, боковая грань призмы расположена под углом 45 к плоскости р - и-перехода и на нее нанесено отражающее покрытие, 15 причем наклонная грань одного кристаллачастично расположена под наклонной гранью другого, создавая минимальное перекрытие светящихся полей вдоль границы полей.