Устройство для исследования смачивающей способности расплавов

Номер патента: 1395993

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Ковалевский, Крысанова, Куфайкин, Шилло

МПК: G01N 13/00

Метки: зазоры, заполнять, капиллярные, расплавов, способности

...нагреве расплав заполнителя протекает в те участки зазора 6, в которых выше капиллярное давление и лучше условия для смачиваиия и течения расплава.Характер заполнения зазоров расплавом оценивается визуально после охлаждения образца по наличию мениска затвердевшего расплава по краям пластины 2 со скосами 4, а также по галтелям внутри пазов 3 и отверстий 8. При наличии менисков и галтелей и вышеуказанных местах образца капил- . Лярные зазоры в соответствующих55 участках можно считать оптимальными Для данных условий нагрева, сочетаний материалов и расплава. Устройство работает следующим образом.Предварительно для исследуемых припоев и материалов был определен ,краевой угол смачивания, который сос"отавлял 30-40Все пластины изготавливались...

Номер патента: 564783

Опубликовано: 05.07.1977

Автор: Торвальд

МПК: B22D 11/10, B22D 41/50

Метки: кристаллизаторе, металла, подвода, расплава, уровень

...и направляется под кристаллизатором 5 роликами 10, Зеркало металла 11 в кристаллиэаторе 5 покрыто слоем шлака 12, защищающим металл от окисления и охлаж дения излучением, а также поглощающим неметаллические включения. Зеркало металла в промежуточной емкости 3 также покрыто споем шлака 12, Разливочная труба 4 установлена при помощи огнеупорной стопориой пробки 13.Разливочная труба имеет днище 14, толщина которого несколько больше толщины стенок 15. Разливочная труба снабжена в своей нижней части перегородкой 16, примыкающей к днищу 14 и стен. кам 15 и образующей с ними вертикальные каналы 17 и 18 преимущественно цилиндрической формы, Высота перегородки 16 превышает длину нижней подгруженной части трубы 4. Верхняя часть разливочной...

Номер патента: 1135765

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Задворнов, Копырин, Нетреба, Серый, Соснин

МПК: C21B 15/00

Метки: извлечения, металла, расплавов, шлаковых

...электродов между собой может осуществляться провод ником с сопротивлением.Перед началом работы устройства включают электромагнит 2 и подают напряжение на электроды 3. Ток, проходя через электроды 3, нагревает их до требуемой темгературы, после чего шлаковый расплав сливают в желоб 1, Поступающий самотеком по желобу 1 шлак в зоне сепарации подвергается воздействию скрещенных магнитного поля, образованного электромагнитом 2, и электрического, образован.ного током, проходящим через расплав между электродом 3. Направление тока таково, что при его взаимодействии с магнитным полем в расплаве возни3 1135 кает .электромагнитная сила, направленная навстречу движущемуся расплаву. В связи с тем, что электропровод- ность шлака на несколько...

Номер патента: 120003

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Кирьяков, Шелудяков

МПК: C22B 5/04, C22B 7/04

Метки: выделения, металлов, расплавов, силикатных, цветных

...Известно выделение цветных металлов из силикатны. расплавов воздействием на них углерода.Предлагаемый способ более совершенен по сравнению с известными подобными способами, так как он интенсифицирует процесс выделения металлов. Это достигается тем, что в расплав вводят науглероженный чугун и процесс осуществляют при температуре выше 1300, поддерживая концентрацию углерода в чугуне постоянной, непрерывно растворяя в нем углеродосодержащие материалы.По предлагаемому способу выделение цветных металлов осуществляется в обогрсваемои печи путем контактирования силикатного расплава обрабатываемого металла с чугуном, который насыщается углеродом непрерывным растворением в чугуне углеродосодержащих материалов. При этом никель, кобальт, хром и...

Номер патента: 1012667

Опубликовано: 15.01.1985

Автор: Суворов

МПК: G01N 23/225

Метки: автоионно-микроскопического, исследования, металлов

...направление падения бомбардирующих частиц на образец..На чертеже показан схематически ход лучей и взаимное расположение элементов, необходимых для реализации предлагаемого способа.Установка для реализации способа ,содержит расположенный напротив образца 1 флуоресцирующий экран 2, источник 3 бомбардирующих частиц, который может перемещаться в вакууме с помощью устройства движения 4 вдоль оси 7 и вдоль оси, при этом одновременно смещается жестко с ним соединенный дополнительный флуоресцирующнй экран-индикатор 5. Установив источник 3 в определенном положении (его можно оценить заранее, исходя из известной геометрии прибора и выбранного для анализа кристаллографического направления смещений атомов) и заполнив объем микроскопа...