Мишень запоминающей электроннолучевой трубки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 451146
Автор: Шипер
Текст
Союз Советских Социалистических Республик(11),451146 л, 0129/ 2) ЗаявлЕно 24,11.72 (21) 18присоединением заявки9471/26-25 осударотаенный хомитетСовета Министроа СССРпо дедам изобретенийи открытий(71) Заявитель МИШЕНЬ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ собой сетчатую Мишень пр металлическую следовательно электрика 2 и нительным и мляет ожку ещены лой 2 од кот й по ра два слоя является ыполнен, я 81 О ди опо 3. С ожет киси т моноо ре А С О , или другого негиддиэлекЯика, удовлетворяным требованиям; слой 3м рабочим диэлектрикомсобой фторид кальция или киси алюминия оскопического ющего приведен вляется обычны представляет магния, В проц чаетс я пучком быстрых электрон так как коэффициент втори д1, диэлектрик заряжае ьно по отношению к метал в,ной при это эмиссии оложител кой подл ерез диэ личееку подложкой мицени и крытием размещают додиэлектрика с удельным16 жке 1, Наличие токов уте ектрический лслой к подл с конечной величиной соп жке, тивсвязанных ления рабк тому, чсти 3 ми м более 10 оме 0,5 мкм, е приведено схемат лемента мишени. сопротивлени линой не бол На чертеж и.зображс 1 ще(Я) Зависимое от авт, свидетельства Изобретение относится к конструкциинакопительной мишени запоминающих электроннолучевых трубок, в которых при считывании записанного на мишени сигнала,электроны считывающего пучка не обладают мишенью.Однако гидроскопичность известных накопительных мишеней у трубок указанноготипа приводит к разрыхлению поверхностив процессе изцотовления прибора, а следовательно, к понижению сопротивления диэлектрического покрытия и увеличения тоЕков утечек, что уменьшает время считывания, особенно при повышенных температурах.Цель изобретения - увеличить времясчитывания информации при повышенныхтемпературах,Для этого межддиэлектрическим пополнительный слой ессе записи диэлектрик мишени очего слоя диэлектрика, привод то потенциал рабочей поверхношени становится равным потенцики 1, т. е. к стиранию запи45 146 Составитель Ц Е,кремова РелактоР О,СтенинаЗа к.з ЙЗ Текрел Н.Ханаева КоРРектоР 1,Ррев ова Иал.ЯД ЦНИИР 1 И Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 133035, Раушская наб., 4 Предприятие Патент, Москва, Г.59, Бережковская наб 24 ной информации, что, соответственно приво дит к уменьшению времени считывания.Чтобы затруднить инжекцию электронов из металлической подложки в диэлектрик и из диэлектрика в подложку, необходимо создать зону повышенного сопротивления, Такой зоной предлагаемой конструкции мйшени служит слой диэлектрика 2 с сопротивлением, на порядок превышающим сопротивление рабочего слоя диэлект рика 3,Введение дополнительного слоя диэлектрика из моноокиси кремния позволяет увеличить время считывания в области температур 50-60 оС в 4 раза. При использова;1 нии окиси алюминия время считывания увеличивается только в,2 .раза.Толщина дополнительного слоя диэлект-. рика не должна превышать 0,5 мкм. При увеличении толщины слоя 2 происходит уменьшение времени считывания, что, оче."ридно, связано с существегюй ролью в процессе образования токов утечек граничного с металлической подложкой 1 слоядиэлектрика (его структура) 5 Предмет изобретени; Мишень запоминающей электроннолуче"вой трубки, содержащая на сетчатой подложке, являющейся сигнальной пластиной,по крайней мере два слоя диэлектрика,о. т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения времени считывания ино 15формации при температуре выше 20 С,промежуточный слой на границе с сигнальной пластиной представляет собой стеклообразующий слой диэлектрика, например .
СмотретьЗаявка
1849471, 24.11.1972
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4937
ШИПЕР РАИСА ИЗРАИЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: H01J 29/10
Метки: запоминающей, мишень, трубки, электроннолучевой
Опубликовано: 25.11.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-451146-mishen-zapominayushhejj-ehlektronnoluchevojj-trubki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Мишень запоминающей электроннолучевой трубки</a>
Способ считывания информации с мишени запоминающей электроннолучевой трубки
Номер патента: 661577
Опубликовано: 05.05.1979
Авторы: Головастиков, Рабинович, Филинов
МПК: G06K 11/00
Метки: запоминающей, информации, мишени, считывания, трубки, электроннолучевой
...серии неравномерно распре" щделенных импульсов, являющихся запускаюШими для формирователя 2 Импульсов подсвета. Пилообразные напряжения свыходов генераторов 3 и 4подаются на отклоняющие пластиныЗЭЛТ 5, а импульсы подсвета с выхода формирователя 2 импульсов подсвета - на модулятор ЗЭЛТ. С сигнальнойпластины ЗЭЛТ импульсы поступают вблок 6 обработки считанного сигнала.При считывании потенциального рельефа, примененного в прототипе,длительность и ширина спектра считанного сигнала определяются скоростью движения и радиусом считывающего луча, а также шириной этогорельефаБаза такОго сигнала примерно равна 1.Согласно предлагаемому способуформируют дополнительно за периодстрочной развертки серии неравномер" -"но- распределенных импульсов...
Способ считывания информации с мишени запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1071975
Опубликовано: 07.02.1984
Авторы: Коробков, Сперанский, Филинов, Чураков
МПК: G01R 29/02
Метки: запоминающей, информации, мишени, считывания, трубки, электронно-лучевой
...После вычитания из Т постоянной величины 7 з получают интервал времени, который пропорционален ординате зарегистрированного на мишени ЗЭЛТ исследуемого про- цесса, т.е. Т - з = Т + 0,5 ЬТр. Таким образом, получают интер вал времени Т - , эквивалентный точнсиу значению ординаты записанного на мишени процесса (точное б 5 В.момент времени окончания заднего фронта первой полуволны дифференцированного сигнала й), соответствующий окончанию переднего фронта выходного сигнала, формируют первый импульс-привязку (фиг. 12), а в мо 5мент времени начала переднего фронта второй полуволны дифференцирован. ного сигнала (1 з), соответствующий началу заднего фронта выходного сигнала, формируют второй импульс- привязку (Фиг. 1). Длительность интервала...
Способ считывания потенциального рельефа мишени передающей телевизионной трубки с накоплением и устройство для его осуществления
Номер патента: 1584122
Опубликовано: 07.08.1990
Автор: Выскубов
МПК: H04N 3/16, H04N 5/21, H04N 5/228
Метки: мишени, накоплением, передающей, потенциального, рельефа, считывания, телевизионной, трубки
...достигаетсяэффект, обратный действию факторов,вызывающих неортогональность пучказа счет его отклонения к краям изображения.Устройство работает следующим образом,Синхрогенератор 6 управляет работой формирователя 2 гасящих импульсовпередающей трубки, формирователя 3гасящих импульсов приемника и генератора 7 разверток. Последний обеспечивает сканирование поверхности мишенителевизионной передающей трубки 1электронным пучком. Электронный пучок запирается на время обратногохода разверток в соответствии с выходным сигналом формирователя 2 гасящих импульсов передающей трубки(Фиг, 2,в),Формирователь 3 гасящих импульсовприемника управляет цепями формирования видеосигнала, обеспечивая соответствие длительности активной частистрок и полей...
Способ считывания информации с мишени запоминающей электронно-лучевой трубки
Номер патента: 928381
Опубликовано: 15.05.1982
МПК: G06K 11/00
Метки: запоминающей, информации, мишени, считывания, трубки, электронно-лучевой
...образованные электронным лучомформирующим второй видеосигнал, первый ви 40 деосигнал 4, второй видеосигнал 5, опорный сигнал 6, всйомогательный сигнал 7, пороговый сигнал 8 и выходной сигнал 9, соответствующий координате точки 10, расположенной в се-45 редине промежутка между точками пересечения электронным лучом линии потенциального рельефа в прямом и обратном направлениях.. При сканировании мишени запоминающей ЭЛТ электронным лучом и его вза50 имодействии с потенциальным рельефом линии 1 возникают первый и второй видеосигналы 4 и 5, величина и форма которых определяются величиной заряда, снимаемого с потенциального рельефа,/ его распределения и плотности тока в активной части электронного луча (в передней части по коду его движе-,1...
Способ получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя
Номер патента: 141907
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Каштанов, Крыжановский, Кузнецов
МПК: H01B 5/12
Метки: диэлектриков, поверхности, слоя, электропроводящего
...этих слоев находится в пределах 10 - 7070, Покрытый слоем меди диэлектрик подвергают воздействию паров серы при температуре 70 - 90 в закрытом сосуде в течение 0,5 - 5 час в результате чего на поверхности диэлектрика образуется электропроводящий слой, состоящий из сернистых соединений меди, В зависимости от толщины (светопропускания) слоя металлической меди получают электропроводящий слой сернистой меди с удельным поверхностным сопротивлением порядка 10 - 10 ом и светопропусканием в видимой и инфракрасной областях спектра порядка 30 - 90/О, С увеличением сопротивления прозрачность токопроводящего слоя возрастает,Описанный способ дает возможность получать слои, сохраняющие свои электрические и оптические свойства при длительном...
Предыдущий патент: Электронная пушка с клинообразным потоком электронов
Следующий патент: Способ получения автоэпитаксиального слоя кремния
Случайный патент: Устройство для определения угла скоса потока жидкости или газа